Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
1.
Инвентарный номер: И-13867 - кх.
   Ж3
   P 23


    Papailiou, Konstantin O..
    Silicone Composite Insulators. Materials, Design, Applications [Text] : монография / K. Papaiiiou, S. Frank. - Berlin : Springer, 2013. - XVII, 495 p. : ил. - (Power Systems). - Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 489-495. - ISBN 978-3-642-15319-8 : 5620.00 р.
ГРНТИ
ББК Ж377
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛЫ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

  Оглавление
Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния / Д. И. Биленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ ЧАСТИЧНО ОКИСЛЕННЫЙ -- ЕМКОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ ЧАСТОТНАЯ -- СЕНСОР

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Г. А.
    Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов / Г. А. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОР
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91


    Мустафаев, Ар. Г.
    Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии / А. Я. Колпаков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОКРЫТИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ -- СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ АЗОТОМ -- МЕТОД ВАКУУМНО-ДУГОВОЙ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов / А. С. Корпухин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 34-40 : рис. - Библиогр. : с. 40 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКТЮАТОР ТЕПЛОВОЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДЕФОРМАЦИОННЫЕ -- КРЕМНИЙ -- ПОЛИИМИД
Аннотация: Исследовано влияние условий формирования и толщины полиимидного слоя, состояния балки в процессе его имидизации, а также природы и толщины функционального металлического слоя на начальный угол отклонения слоистых композиционных упруго-шарнирных полиимид-кремниевых консольных балок тепловых актюаторов и его изменение при нагревании и охлаждении. Установлено, что с точки зрения направленного регулирования этих характеристик важнейшую роль играют температура имидизации и толщина полиимидных слоев в упруго-шарнирной области, а также свободное или заневоленное состояние балок в процессе имидизации. Функциональные слои металлов толщиной порядка 0,1 мкм незначительно влияют на термодеформационные характеристики балок, а при увеличении их толщины - резко ухудшают эти параметры

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 20


   
    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 39


   
    Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур / П. Г. Бабаевский, А. А. Жуков , А. С. Корпухин, Г. М. Резниченко // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 15-18 : рис., табл. - Библиогр. : с.18 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИИМИД -- КРЕМНИЙ -- МИКРОСТРУКТУРА УПРУГО-ШАРНИРНАЯ
Аннотация: Исследованы деформационно-прочностные свойства растяжении полиимидно-кремниевых трапециевидных упруго-шарнирных микроструктур, модифицированных армированием в нижней части полиимидного слоя функционализированными одностенными углеродными трубками и нанесением на поверхность кремния тонких слоев кремнийорганического соединения, алюминия и системы ванадий-никель. Показано, что армирование полиимида введением нанотрубок во всех случаях повышает деформационно-прочностные характеристики микроструктур

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: 212466 - кх.
   648.4
   Д 50


   
    Диэлектрики в наноэлектронике [] : научное издание / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; РАН, СО, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2010. - 257 с. - ISBN 978-5-7692-1081-5 : 510.00 р.
ГРНТИ
ББК 648.441
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 39


   
    Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния / Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88 : табл. - Библиогр. : с. 88 (31 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, ^50 = 70 нм; альфа-форма, ^50 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, ^50 = 200 нм; нитрид, Si3N4, ^50 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика