Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 76
Автор(ы) : Тимошенков С. П., Гаев Д. С., Бойко А. Н., Горшкова Н. М.
Заглавие : Применение пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе МЭМС
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 35-38: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 38 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматриваются способы применения пористого кремния при создании газопоглощающих структур в составе микроэлектромеханических систем. Предлагаемые способы позволяют создавать газопоглощающие структуры с высоким значением эффективной поверхности и сорбционной емкости, совместимые с технологиями микросистемной техники
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 35
Автор(ы) : Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н.
Заглавие : Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 39
Автор(ы) : Астафурова Т. П., Моргалев Ю. Н., Боровикова Г. В., Зотикова А. П., Верхотурова Г. С., Зайцева Т. А., Постовалова В. М., Цыцарева Л. К.
Заглавие : Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88: табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 88 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, . 0 = 70 нм; альфа-форма, . 0 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, . 0 = 200 нм; нитрид, Si3N4, . 0 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 69
Автор(ы) : Дорофеев С. Г., Кононов Н. Н., Ищенко А. А.
Заглавие : Новый способ получения флуоресцентных гидрофильных наночастиц на основе кремния
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 4. - С. 102-104: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 104 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биометки--точки квантовые--гидрофилизация поверхности--кремний нанокристаллический--метки флуоресцентные--наночастицы биодеградируемые
Аннотация: Разработан новый способ получения флуоресцирующих гидрофильных частиц нанокремния, позволяющий получать массовые количества наноматериала, что открывает возможности его применения в медицине и биологии для флуоресцентной диагностики, фотодинамической и фототермической терапии. Получены наночастицы, дающие золи в воде, обладающие устойчивой яркой люминесценцией с максимумами интенсивности в области 780 нм, средними размерами 2-3 нм и узкой функцией распределения по размерам - от 1,3 до 4,0 нм, без использования токсичных веществ в процессе их гидрофилизации
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абросимова Н. Д., Смолин В. К.
Заглавие : Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике"
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 26-27. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 27 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эллипсометрия--гетероструктуры--структуры кнд, кнс, кни
Аннотация: Рассмотрены вопросы контроля приборных слоев полупроводниковых гетероструктур с использованием метода эллипсометрии. Показана информативность разработанных методик
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Белов А. Н., Гаврилов С. А., Демидов Ю. А., Шевяков В. И.
Заглавие : ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 52 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 38
Автор(ы) : Синев Л. С., Рябов В. Т.
Заглавие : Согласование коэффициентов термического расширения при эдектростатическом соединении кремния со стекдом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 24-27: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 27 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены напряжения, возникающие в деталях из стекла и кремния после их соединения электростатическим методом из-за разницы их коэффициентов теплового линейного расширения. Представлена аналитическая модель, позволяющая графически определить оптимальную температуру доведения соединения. Даны рекомендации по выбору температуры доведения процесса соединения
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Колпаков А. Я., Суджанская И. В., Галкина М. Е., Гончаров И. Ю., Поплавский А. И., Манохин С. С.
Заглавие : Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 45 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Н 25
Автор(ы) : Куприянов Л. Ю., Рогинская Ю. Е., Козлова Н. В., Политова Е. Д., Кальнов В. А., Жихарев Е. Н.
Заглавие : Наноструктура тонких пленок композита кремний - углерод, полученных методом магнетронного распыления
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 120-124: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 124 (16 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Методом послойного магнетронного распыления получены тонкие пленки нанокомпозита кремний - углерод. Толщина пленок составляет 110-470 нм, и они имеют слоистую наноструктуру, образованную слоями кремния и углерода толщиной 7-10 нм каждый. Рентгенографические исследования показали присутствие в составе пленок кристаллической фазы карбида кремния, образующегося на границах слоев. Спектры зеркального отражения в диапазоне 200-2500 нм содержат ряд максимумов, которые могут быть отнесены к спектрам поглощения аморфного кремния, аморфного углерода и разупорядоченного карбида кремния. Особенности спектров ИК поглощения указывают на возможность образования графеновых фаз низкой размерности в области контактов слоев кремния и углерода. Сделан вывод, что изученные пленки могут рассматриваться как перспективная база для разработки электродов литиевых батарей с улучшенными характеристиками
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика