Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (137)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (102)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (50)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (79)Расплавы (70)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (7)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>)
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Ж3/P 23
Автор(ы) : Papailiou, Konstantin O., Frank, Schmuck
Заглавие : Silicone Composite Insulators. Materials, Design, Applications
Выходные данные : Berlin: Springer, 2013
Колич.характеристики :XVII, 495 с.: ил.
Серия: Power Systems
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 489-495
ISBN, Цена 978-3-642-15319-8: 5620.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : Ж377
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛЫ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
  Оглавление
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/В 58
Автор(ы) : Биленко Д. И., Белобровая О. Я., Галушка В. В., Жаркова Э. А., Мысенко И. Б., Терин Д. В., Хасина Е. И.
Заглавие : Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (15 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Г. А., Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 12 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на изоляторе--моделирование--моп-транзистор
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на сапфире--эпитаксия из твердой фазы--радиационная стойкость--плотность деффектов
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Колпаков А. Я., Суджанская И. В., Галкина М. Е., Гончаров И. Ю., Поплавский А. И., Манохин С. С.
Заглавие : Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 45 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Корпухин А. С., Бабаевский П. Г, Жуков А. А., Козлов Д. В., Смирнов И. П.
Заглавие : Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 34-40: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 40 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследовано влияние условий формирования и толщины полиимидного слоя, состояния балки в процессе его имидизации, а также природы и толщины функционального металлического слоя на начальный угол отклонения слоистых композиционных упруго-шарнирных полиимид-кремниевых консольных балок тепловых актюаторов и его изменение при нагревании и охлаждении. Установлено, что с точки зрения направленного регулирования этих характеристик важнейшую роль играют температура имидизации и толщина полиимидных слоев в упруго-шарнирной области, а также свободное или заневоленное состояние балок в процессе имидизации. Функциональные слои металлов толщиной порядка 0,1 мкм незначительно влияют на термодеформационные характеристики балок, а при увеличении их толщины - резко ухудшают эти параметры
Найти похожие
7.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 39
Автор(ы) : Бабаевский П. Г., Жуков А. А., Корпухин А. С., Резниченко Г. М.
Заглавие : Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 15-18: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.18 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полиимид--кремний--микроструктура упруго-шарнирная
Аннотация: Исследованы деформационно-прочностные свойства растяжении полиимидно-кремниевых трапециевидных упруго-шарнирных микроструктур, модифицированных армированием в нижней части полиимидного слоя функционализированными одностенными углеродными трубками и нанесением на поверхность кремния тонких слоев кремнийорганического соединения, алюминия и системы ванадий-никель. Показано, что армирование полиимида введением нанотрубок во всех случаях повышает деформационно-прочностные характеристики микроструктур
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 648.4/Д 50
Автор(ы) : Гриценко, Владимир Алексеевич, Тысченко, Ида Евгеньевна, Попов, Владимир Павлович, Перевалов, Тимофей Викторович
Заглавие : Диэлектрики в наноэлектронике : научное издание
Выходные данные : Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010
Колич.характеристики :257 с
Коллективы : Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
ISBN, Цена 978-5-7692-1081-5: 510.00 р.
ГРНТИ : 47
ББК : 648.441
Предметные рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА-- ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 39
Автор(ы) : Астафурова Т. П., Моргалев Ю. Н., Боровикова Г. В., Зотикова А. П., Верхотурова Г. С., Зайцева Т. А., Постовалова В. М., Цыцарева Л. К.
Заглавие : Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88: табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 88 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, . 0 = 70 нм; альфа-форма, . 0 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, . 0 = 200 нм; нитрид, Si3N4, . 0 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50  
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика