Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>) |
Общее количество найденных документов : 50
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. 
| Инвентарный номер: 200768 - кх.
642
Г 37
Герасименко, Николай Николаевич.
Кремний - материал наноэлектроники [] : учебное пособие для вузов / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с. - (Мир материалов и технологий). - ISBN 5-94836-101-2. - ISBN 978-5-94836-101-7 : 215.00 р.ББК 642.331.2я73
Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА (ПРИБОРЫ) -- НАНОФОТОНИКА (ПРИБОРЫ)
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: нет.
У 25
Углеродные наносети: новые возможности электроники [Текст] // Нанотехнологии: наука и производство. - 2008. - № 1. - С. 33
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УГЛЕРОДНЫЕ НАНОСЕТИ -- УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ
Аннотация: Кремний - вещество, без которого невозможно представить современную электронную аппаратуру. Сегодня в центре внимания углерод, который в недалеком будущем, возможно, будет играть ведущую роль в создании недорогих электронных устройств, обладающих широким диапазоном новых возможностей
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: нет.
П 76
Применение имплантации ионов кислорода и процесса твердофазной рекристаллизации для улучшения кристаллической структуры кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 3. - С. 54-56 : рис. - Библиогр.: с. 56 (17 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТВЕРДОФАЗНАЯ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ИМПЛАНТАЦИЯ ИОНОВ -- КИСЛОРОД -- КРЕМНИЙ -- САПФИР
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет.
И 88
Исследование закономерностей транспорта водорода в порошковый кремний [Текст] / А. А. Ковалевский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 13-16 : граф. - Библиогр.: с. 16 (18 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНСПОРТ ВОДОРОДА -- ПОРОШКОВЫЙ КРЕМНИЙ -- ВОДОРОД -- ПОРОШКИ
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет.
К 16
Какурин, ю. Б.
Моделирование массопереноса в неоднородных полупроводниковых структурах [Текст] / ю. Б. Какурин, А. Г. Захаров, В. Н. Котов // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 6. - С. 22-25 (12 назв.) : рис., табл. - Библиогр.: с. 25 (12 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ДИСЛОКАЦИОННЫЙ КРЕМНИЙ
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет.
П 59
Пористый кремний как каталитическая наноматрица для микромощных источников тока [Текст] / Н. А. Яштулов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 20-23 : фото. - Библиогр.: с. 23 (9 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ -- НАНОЭЛЕКТРОКАТАЛИЗ -- НАНОЧАСТИЦЫ ПАЛЛАДИЯ -- АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ
Аннотация: Представлены результаты формирования нанокатализаторов платиновой группы на матрице из пористого кремния. Рассмотрена возможность направленного роста углеродных нанотрубок на подложке из кремния. Показано влияние типа проводимости, степени пористости, геометрии пор кремния на параметры наночастиц катализаторов для источников тока в электронике
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет.
С 16
Салихов, Р. Б.
Наноструктурные гетеропереходы на основе полимеров для управления током [Текст] / Р. Б. Салихов, А. Н. Лачинов, А. А. Бунаков // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 43-46 : табл. - Библиогр.: с. 46 (17 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОЛИДИФЕНИЛЕНФТАЛИД
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет.
М 91
Мустафаев, Ар. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет.
М 91
Мустафаев, Г. А.
Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе [Текст] / Г. А. Мустафаев, А. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 1. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: с. 32 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАНАВКА -- ТРАВЛЕНИЕ
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет.
Т 57
Тонкие пленки, осажденные из коллоидного раствора нанокристаллического кремния / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 69-73 : ил. - Библиогр. : с. 73 (14 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
Найти похожие
|
11.
| Инвентарный номер: нет.
И 88
Исслелование самоорганизации высокоупорядоченных нанокластеров германия при осаждении пленок поликристаллического кремния, легированного германием / А. А. Ковалевский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 4. - С. 14-19 : ил. - Библиогр. : с. 19 (12 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКЛАСТЕРЫ -- ПЛЕНКА -- ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ -- ГЕРМАНИЙ
Найти похожие
|
12.
| Инвентарный номер: нет.
П 84
Процессы самоорганизации структуры в тонких пленках нанокомпозита кремний-углерод / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 7-8. - С. 130-133 : рис., табл. - Библиогр. : с. 133 (11 назв.)
. - ISSN 1195-078ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- УГЛЕРОД
Найти похожие
|
13.
| Инвентарный номер: нет.
И 88
Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 9. - С. 30-32 : рис., табл. - Библиогр. : с. 32 (11 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИМПЛАНТАЦИЯ -- КРЕМНИЙ-НА-САПФИРЕ -- ОТЖИГ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ
Найти похожие
|
14.
| Инвентарный номер: нет.
В 58
Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния / Д. И. Биленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 15-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (15 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ ПОРИСТЫЙ ЧАСТИЧНО ОКИСЛЕННЫЙ -- ЕМКОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- АДСОРБЦИЯ -- ЗАВИСИМОСТЬ ЧАСТОТНАЯ -- СЕНСОР
Найти похожие
|
15.
| Инвентарный номер: нет.
О-11
О горении микро- наноструктурированных порошков кремния / А. С. Басаев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 22-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ГОРЕНИЕ -- МИКРОВЗРЫВ -- ПОРОШКИ КРЕМНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ПОРОШКИ КРЕМНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ
Найти похожие
|
16.
| Инвентарный номер: нет.
М 31
Масальский, Н. В.
Синтез характеристик логических вентилей на двухзатворных суб-25-нанометровых кни кмоп-транзисторах для маломощных применений / Н. В. Масальский // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 5. - С. 41-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (17 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КНИ-НАНОТРАНЗИСТОР ДВУХЗАТВОРНЫЙ -- ВЕНТИЛЬ ЛОГИЧЕСКИЙ -- МОЩНОСТЬ НИЗКАЯ ПОТРЕБЛЯЕМАЯ
Аннотация: Рассмотрены критерии выбора технологических параметров двухзатворных суб-25-нанометровых транзисторов со структурой "кремний на изоляторе" для маломощных применений. Численно исследованы характеристики однокаскадных вентилей на выбранном типе транзисторов с длиной канала 22 нм при напряжении питания меньше 1 В. Показана возможность создания маломощной схемотехники, функционирующей в диапазоне 100 ГГц ??
Найти похожие
|
17.
| Инвентарный номер: нет.
М 91
Мустафаев, Г. А.
Влияние конструкции на характеристики субмикронных кни моп-транзисторов / Г. А. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 8-12 : табл., рис. - Библиогр. : с. 12 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МОП-ТРАНЗИСТОР
Аннотация: Проведено моделирование КНИ МОП-транзисторов с различной конструкцией затворной композиции. Исследована зависимость подпороговых характеристик КНИ МОП-транзисторов от геометрических размеров базовой области, длины и ширины канала, толщины подзатворного оксида и уровня легирования канала
Найти похожие
|
18.
| Инвентарный номер: нет.
Д 39
Деформационно-прочностные свойства модифицированных полиимид-кремниевых упруго-шарнирных микроструктур / П. Г. Бабаевский, А. А. Жуков , А. С. Корпухин, Г. М. Резниченко // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 7. - С. 15-18 : рис., табл. - Библиогр. : с.18 (9 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИИМИД -- КРЕМНИЙ -- МИКРОСТРУКТУРА УПРУГО-ШАРНИРНАЯ
Аннотация: Исследованы деформационно-прочностные свойства растяжении полиимидно-кремниевых трапециевидных упруго-шарнирных микроструктур, модифицированных армированием в нижней части полиимидного слоя функционализированными одностенными углеродными трубками и нанесением на поверхность кремния тонких слоев кремнийорганического соединения, алюминия и системы ванадий-никель. Показано, что армирование полиимида введением нанотрубок во всех случаях повышает деформационно-прочностные характеристики микроструктур
Найти похожие
|
19.
| Инвентарный номер: нет.
Н 25
Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (50 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛИЧЕСКИЙ -- СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах
Найти похожие
|
20.
| Инвентарный номер: нет.
Ф 73
ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов
Найти похожие
|
21.
| Инвентарный номер: нет.
О-93
Оценка влияния многоциклового изгиба на термодеформационные характеристики упруго-шарнирных балок тепловых микроактюаторов / Д. В. Козлов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12 . - С. 22-25 : рис. - Библиогр. : с. 25 (8 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОАКТЮАТОР ТЕПЛОВОЙ -- БАЛКИ УПРУГОШАРНИРНЫЕ -- ПОЛИИМИД -- КРЕМНИЙ -- ТЕРМОДЕФОРМАЦИЯ НАЧАЛЬНАЯ И РАБОЧАЯ
Аннотация: Предложена методика и проведена оценка влияния многоциклового изгиба на термодеформационные характеристики упруго-шарнирных балок тепловых микроактюаторов после воздействия заданного числа циклов нагружения. Показано, что угол термодеформации при нагревании микроактюатора после усталостных циклических испытаний в течение 5-106 циклов снижается приблизительно на 15 %, а после 3,2-107 - на 25 %. Предложенная методика и полученные результаты дают возможность оценивать жизнеспособность актюаторов и стабильность их характеристик в процессе эксплуатации, а также влияние "старения" балок на эти характеристики
Найти похожие
|
22.
| Инвентарный номер: нет.
В 58
Влияние условий формирования и толщины слоев на термодеформационные характеристики полиимид-кремниевых упруго-шарнирных балок тепловых актюаторов / А. С. Корпухин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 34-40 : рис. - Библиогр. : с. 40 (8 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКТЮАТОР ТЕПЛОВОЙ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДЕФОРМАЦИОННЫЕ -- КРЕМНИЙ -- ПОЛИИМИД
Аннотация: Исследовано влияние условий формирования и толщины полиимидного слоя, состояния балки в процессе его имидизации, а также природы и толщины функционального металлического слоя на начальный угол отклонения слоистых композиционных упруго-шарнирных полиимид-кремниевых консольных балок тепловых актюаторов и его изменение при нагревании и охлаждении. Установлено, что с точки зрения направленного регулирования этих характеристик важнейшую роль играют температура имидизации и толщина полиимидных слоев в упруго-шарнирной области, а также свободное или заневоленное состояние балок в процессе имидизации. Функциональные слои металлов толщиной порядка 0,1 мкм незначительно влияют на термодеформационные характеристики балок, а при увеличении их толщины - резко ухудшают эти параметры
Найти похожие
|
23.
| Инвентарный номер: 210421 - кх.
648.4
З-47
Зебрев, Геннадий Иванович.
Физические основы кремниевой наноэлектроники [] : учеб. пособие для вузов / Г. И. Зебрев. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 240 с. - (Нанотехнологии). - Библиогр.: с. 225-232. - ISBN 978-5-9963-0181-2 : 240.00 р.
Прил.: с. 233-234ББК 648.441я73
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Найти похожие
|
24.
| Инвентарный номер: нет.
В 58
Влияние степени легирования азотом и толщины на электропроводность и морфологию наноразмерных углеродных покрытий на кремнии / А. Я. Колпаков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 43-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ПОКРЫТИЯ НАНОРАЗМЕРНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ -- СТЕПЕНЬ ЛЕГИРОВАНИЯ АЗОТОМ -- МЕТОД ВАКУУМНО-ДУГОВОЙ
Аннотация: Углеродные покрытия, легированные азотом толщиной до 100 нм, получены на подложках монокристаллического кремния импульсным вакуумно-дуговым методом при напуске азота в вакуумную камеру. Исследована зависимость удельной электропроводности от давления азота. Методом спектроскопии характеристических потерь энергий электронов определяли содержание азота в покрытии и энергию плазмона. Морфологию покрытия исследовали методами сканирующей зондовой микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Установлен нелинейный характер зависимости удельной электропроводности от давления азота и толщины, а также корреляционная связь между морфологией покрытия, удельной электропроводностью и энергией плазмона. Предложены объяснения полученных результатов
Найти похожие
|
25.
| Инвентарный номер: нет.
С 38
Синев, Л. С.
Согласование коэффициентов термического расширения при эдектростатическом соединении кремния со стекдом / Л. С. Синев, В. Т. Рябов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 24-27 : рис., граф. - Библиогр. : с. 27 (7 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- СОЕДИНЕНИЕ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОЕ -- СТЕКЛО -- РАСШИРЕНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЕ
Аннотация: Рассмотрены напряжения, возникающие в деталях из стекла и кремния после их соединения электростатическим методом из-за разницы их коэффициентов теплового линейного расширения. Представлена аналитическая модель, позволяющая графически определить оптимальную температуру доведения соединения. Даны рекомендации по выбору температуры доведения процесса соединения
Найти похожие
|
26.
| Инвентарный номер: нет.
М 91
Мустафаев, Аб. Г.
Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур / Аб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43 : рис. - Библиогр. : с. 43 (5 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ -- СОЗДАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР -- РАССЕЯНИЕ ОБРАТНОЕ РЕЗЕРФОРДОВСКОЕ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами
Найти похожие
|
27.
| Инвентарный номер: нет.
У 59
Универсальный приемник дифференциальных сигналов для программируемых микросхем / Ю. Ф. Адамов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 44-46 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРИЕМНИК ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ СИГНАЛОВ -- МИКРОСХЕМЫ ПРОГРАММИРУЕМЫЕ -- ИНТЕРФЕЙСЫ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ ЦИФРОВЫЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ
Аннотация: Описана новая схема приемника дифференциальных сигналов, работоспособная в диапазоне синфазного смещения сигналов от нуля до напряжения питания. Схема реализована в тестовом кристалле на основе БиКМОП-технологии с гетероструктурными биполярными транзисторами со слоями кремний-германий
Найти похожие
|
28.
| Инвентарный номер: нет.
Н 25
Наноструктура тонких пленок композита кремний - углерод, полученных методом магнетронного распыления / Л. Ю. Куприянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 120-124 : рис., табл. - Библиогр. : с. 124 (16 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- НАНОСТРУКТУРА -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК -- НАНОКОМПОЗИТ КРЕМНИЙ-УГЛЕРОД
Аннотация: Методом послойного магнетронного распыления получены тонкие пленки нанокомпозита кремний - углерод. Толщина пленок составляет 110-470 нм, и они имеют слоистую наноструктуру, образованную слоями кремния и углерода толщиной 7-10 нм каждый. Рентгенографические исследования показали присутствие в составе пленок кристаллической фазы карбида кремния, образующегося на границах слоев. Спектры зеркального отражения в диапазоне 200-2500 нм содержат ряд максимумов, которые могут быть отнесены к спектрам поглощения аморфного кремния, аморфного углерода и разупорядоченного карбида кремния. Особенности спектров ИК поглощения указывают на возможность образования графеновых фаз низкой размерности в области контактов слоев кремния и углерода. Сделан вывод, что изученные пленки могут рассматриваться как перспективная база для разработки электродов литиевых батарей с улучшенными характеристиками
Найти похожие
|
29.
| Инвентарный номер: 212466 - кх.
648.4
Д 50
Диэлектрики в наноэлектронике [] : научное издание / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; РАН, СО, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2010. - 257 с. - ISBN 978-5-7692-1081-5 : 510.00 р.ББК 648.441
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ОБЩАЯ РАДИОТЕХНИКА
Найти похожие
|
30.
| Инвентарный номер: нет.
О-75
ОСобенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния / А. Н. Белов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 48-52 : рис. - Библиогр. : с. 52 (12 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ -- ТРАВЛЕНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМЕННОЕ ЛОКАЛЬНОЕ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ АНОИДНЫЙ ПОРИСТЫЙ -- МАСКА ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация: Исследованы особенности формирования маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния. Показано влияние микроморфологии на границе раздела в анодированной двухслойной структуре Al - Ti на характер локального травления кремния. Выявлена корреляция аспектного отношения пор оксида алюминия с геометрическими параметрами формируемых плазменным травлением в кремнии локальных углублений
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных