Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   Д 27


    Действия излучения на схемы с фазовым изменением на халькогенидных стеклах / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 40-47 : рис., табл. - Библиогр. : с. 46-47 (43 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПАМЯТЬ С ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ -- СТЕКЛА ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ -- GST -- СТОЙКОСТЬ РАДИАЦИОННАЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-83


    Отличия воздействия излучения на наноэлектронные материалы, приборы, схемы и на их микроэлектронные аналоги / П. А. Александров [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 2-11. - Библиогр. : с. 11 (51 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПОВРЕЖДЕНИЯ РАДИЦИОННЫЕ
Аннотация: Работа посвящена систематическому анализу эффектов, которые следует учитывать при проведении исследований действия излучения на наноэлектронные материалы/приборы. Рассматриваются физические отличия действия излучения на указанные объекты по сравнению с их микроэлектронными аналогами. Анализ подкреплен теоретическими и экспериментальными результатами, опубликованными в литературе, а также оценками. Даны некоторые практические рекомендации и сформулированы задачи, требующие специального изучения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-13


    Об отказоустойчивости наноэлектронных интегральных схем при облучении / П. А. Александров, В. В. Бударагин, В. И. Жук, В. Л. Литвинов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 7-14. - Библиогр.: с. 14 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

539.23-022.53

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТЬ -- РЕЗЕРВИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ
Аннотация: Рассматривается вопрос о радиационной устойчивости наноразмерных компонентов цифровых схем. Показано, что межсоединения также подвержены действию радиации, как и активные компоненты. Делается вывод о низком уровне отказоустойчивости схем с наноразмерными компонентами даже при учете только фонового излучения. Предлагается новый метод покомпонентного дублирования, кардинально повышающий отказоустойчивость схем.

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)