Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИГД УрО РАН

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=МЕЖСОЕДИНЕНИЯ<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 34
Автор(ы) : Емельянов В. М., Пимнева Л. А., Емельянов В. В., Шуклин И. И., Моисеев А. А., Алпеева Т. В., Нестерова Е. Л.
Заглавие : Математическое моделирование автоматизированной системы технологической подготовки производства при адаптивном управлении взаимозависимыми параметрами надежности контактных элементов из наноструктурированных сверхпроводящих материалов
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 2. - С. 98-103: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 103 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): модель математическая--наноструктурирование--термодиффузия наноповерхностная--прочность--межсоединения многослойные
Аннотация: Математическим моделированием в автоматизированной системы технологической подготовки производства выявляются прочностные, температурные и временные параметры для проведения технологического процесса получения высоконадежных межсоединений с применением управления наноповерхностной термодиффузией для обеспечения требований к надежностным характеристикам, предъявляемым к космической МЭА, при решении обратной задачи управления прочностными параметрами многослойных сверхпроводящих наноструктурированных межсоединений и учете многомерной корреляции и автокорреляции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 539.23-022.53/О-13
Автор(ы) : Александров П. А., Бударагин В. В., Жук В. И., Литвинов В. Л.
Заглавие : Об отказоустойчивости наноэлектронных интегральных схем при облучении
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 7-14. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (12 назв.)
УДК : 539.23-022.53
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника--радиационные повреждения--электронные материалы--отказоустойчивость--резервирование в электронных системах
Аннотация: Рассматривается вопрос о радиационной устойчивости наноразмерных компонентов цифровых схем. Показано, что межсоединения также подвержены действию радиации, как и активные компоненты. Делается вывод о низком уровне отказоустойчивости схем с наноразмерными компонентами даже при учете только фонового излучения. Предлагается новый метод покомпонентного дублирования, кардинально повышающий отказоустойчивость схем.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 531.76/В 14
Автор(ы) : Бабаевский П. Г., Жукова С. А., Обижаев Д. Ю., Гринькин Е. А., Турков В. Е., Резниченко Г. М., Рискин Д. Д., Бычкова Ю. А.
Заглавие : Вакуумплотное матричное корпусирование сенсорных микроэлектромеханических систем (аналитический обзор). Часть 2*. формирование вакуумплотных электрических выводов, способы сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях и общие тенденции развития технологии корпусирования с МЭМС
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 3-11. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (21 назв.)
УДК : 531.76
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сенсорные мэмс--чувствительные элементы--корпусирование на уровне пластин--тонкослойное капсулирование--электрические выводы--контакты--межсоединения--соединительные слои--газопоглотители--мембранные сенсоры--сенсоры пирани--балочные резонаторы
Аннотация: Часть 2 обзора посвящена методам и проблемам формирования вакуумплотных электрических выводов к контактным площадкам, сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях МЭМС, а также общим тенденциям развития технологии корпусирования сенсорных МЭМС, направленным на уменьшение размеров корпусов за счет использования новых материалов и процессов для соединения пластин, а также на компьютеризацию моделирования, проектирования, производства, испытания и оценки надежности и жизнеспособности С МЭМС в единой системе обеспечения их жизненного цикла
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/А 13
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А.
Заглавие : Изменение набора применяемых материалов при уменьшении топологических норм производства интегральных микросхем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 32-38: рис., граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 37 (23 назв.)
УДК : 621.382
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральная микросхема (имс)--топологические нормы--медные межсоединения--low-k диэлектрики--high-k диэлектрики--алюминиевые межсоединения
Аннотация: Описывается, как изменяется набор используемых материалов в производстве интегральных микросхем при переходе от топологических норм 180 нм к топологических нормам 32 и 22 нм
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)