Поисковый запрос: (<.>K=МОДЕЛИРОВАНИЕ<.>) |
Общее количество найденных документов : 136
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. 
| Инвентарный номер: U-12616 - кх.
623
A 22
Advanced Magnetic Nanostructures [Text] : научное издание / [ed. by D. Sellmyer, R. Skomski]. - Lincoln : Springer, 2006. - XIII, 508 p. : il. - Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 497-508. - Прил.: с. 491-496. - ISBN 0387-23309-1 : 4824.00 р.ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: U-13420 - кх.
642
E 54
Energy Autonomous Micro and Nano Systems [Text] : научное издание / ed.: M. Belleville, C. Condemine. - [Hoboken] ; [New Jersey] : A John Wiley&Sons, [2012]. - XXI, 370 p. : il. - Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 365-370. - ISBN 1-84821-357-9 : 6617.00 р.ББК 642
Рубрики: ЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА--ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: U-12836 - кх.
541.1
G 91
Grzybowski, Bartosz A..
Chemistry in Motion: Reaction-Diffusion Systems for Micro- and Nanotechnology [Text] : монография / B. A. Grzybowski. - Chichester [et al.] : John Wiley & Sons, 2009. - XII, 288 p. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 283-288. - Прил.: с. 265-281. - ISBN 978-0-470-03043-1 : 4889.00 р.ББК 541.122.51c11
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: U-11727 - кх.
541.1
S 40
Science and Application of Nanotubes [Text] / Ed. by D. Tomanek, R. J. Enbody. - New York [et al.] : Kluwer Academic/ Plenum Publishers, 2000. - XIII, 398 с. : ил., табл. - (Fundamental Materials Research). - Библиогр. в конце гл.- Указ.: с. 395-398. - ISBN 0-306-46372-5 : 7781.00 р.ББК 541.171 + 623.7
РУБ 541.1
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ НАНОТУБУЛЕНОВ -- МАТЕРИАЛЫ НАНОСТРУКТУРНЫЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- НАНОСТРУКТУРЫ (МОДЕЛИРОВАНИЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ (ПРИМЕНЕНИЕ) -- НАНОТЕХНОЛОГИИ (ОСНОВЫ) -- НАНОТРУБЫ (МОДЕЛИРОВАНИЕ) -- НАНОТУБУЛЕНЫ (СВОЙСТВА)
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет.
S 43
Seddak, A.
Finite element analysis of delamination in a new woven composite = Конечно-элементный анализ расслоения в новом композите с тканевым армированием / A. Seddak, D. Benzerga, A. Haddi // Композиты и наноструктуры. - 2009. - № 3. - С. 18-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (11 назв.)
. - ISSN 1999-7590ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАСТИКИ АРМИРОВАННЫЕ -- ГИБРИДЫ -- РАССЛОЕНИЕ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПРИЛОЖЕНИЯ ОРТОПЕДИЧЕСКИЕ
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6 : рис. - Библиогр. : с. 6 (15 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРА ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ ПРИБОРНАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ -- МОДЕЛЬ ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКАЯ
Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул / И. И. Абрамов, А. Л. Баранов, И. Ю. Щербакова // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (19 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛА -- СТРУКТУРА ПРИБОРНАЯ ОДНОЭЛЕКТРОННАЯ -- КВАНТОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЕ
Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет.
А 16
Абрамов, И. И.
Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13 : рис. - Библиогр. : с. 13 (21 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕЖЗОННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДИОД -- ДВУХЗОННАЯ МОДЕЛЬ
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: 190266э - кх.
541.1
А 21
Аврамов, П. В.
Квантово-химическое и молекулярно-динамическое моделирование структуры и свойств углеродных наноструктур и их производных [] / П. В. Аврамов, С. Г. Овчинников. - Электрон. текстовые дан. - Новосибирск : РАН. Сибирское отделение, 2000. - 1 эл. опт. диск. - Загл. с контейнера. - ISBN 5-7692-0416-8 : 50.00 р.ББК 541.171я05
РУБ 541.1
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА--CD
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ (НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ) -- МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ (НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ (МОДЕЛИРОВАНИЕ КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКОЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ (МОДЕЛИРОВАНИЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ) -- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Найти похожие
|
11.
| Инвентарный номер: нет.
А 23
Агафонов, В. М.
Моделирование физических процессов в молекулярно-электронном преобразователе, созданном на основе планарных технологий [] / В. М. Агафонов, А. А. Орел // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 50-57 : рис. - Библиогр.: с. 57 (11 назв.)
. - ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛЯРНО-ЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Найти похожие
|
12.
| Инвентарный номер: нет.
А 62
Аммон, Л. Ю.
Компьютерное моделирование процесса образования наночастиц при золь-гель синтезе / Л. Ю. Аммон // Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 93-96 : рис. - Библиогр. : с. 96 (10 назв.)
. - ISSN 1816-4498ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНОЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- СИНТЕЗ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ
Аннотация: Развитие нанотехнологий предлагает два подхода к созданию наноструктурированных материалов: «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Первый из них рассматривает ультрадиспергирование вещества и последующее формирование материала. Второй - синтез наночастиц путем химических реакций из атомов и молекул как основы формирования материала. В обоих подходах наночастица является центральной фигурой в понимании процессов формирования наноматериала. Целью данной работы является моделирование процессов образования наночастиц в золь-гель технологии при гидролизе тетраэтоксисилана или кремнезема
Найти похожие
|
13.
| Инвентарный номер: нет.
Б 12
Бабуров, В. А.
Исследование и разработка прецизионных конденсаторов, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн / В. А. Бабуров, А. Ю. Павлов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 36-39 : рис., табл. - Библиогр.: с. 39 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ -- НИТРИД КРЕМНИЯ -- КОНДЕНСАТОРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- S-ПАРАМЕТРЫ
Аннотация: Представлены результаты разработки и измерений S-параметров тонкопленочных конденсаторов. Конденсаторы формируются на подложках из арсенида галлия. На основе полученных данных удалось с помощью специального программного обеспечения смоделировать конденсаторы различной топологии, работающие на частотах до 40 ГГц
Найти похожие
|
14.
| Инвентарный номер: 209153 - бр.ф.; 209154 - кх.
531
Б 18
"Байкальские чтения: наноструктурированные системы и актуальные проблемы механики сплошной среды (теория и эксперимент)", конференция (2010 ; Улан-Удэ).
Тезисы докладов научной конференции "Байкальские чтения: наноструктурированные системы и актуальные проблемы механики сплошной среды (теория и эксперимент)" [] : доклад, тезисы доклада / Учреждение РАН, УрО, Ин-т прикладной механики [и др.] ; [отв. ред. А. М. Липанов]. - Ижевск : ИПМ УрО РАН, 2010. - 140 с. - Библиогр. в конце ст. - 20.00 р.ББК 531.1я431(2) + 539.2я431(2)
Рубрики: ФИЗИКА--МЕХАНИКА СПЛОШНЫХ СРЕД--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--КОНФЕРЕНЦИИ
Найти похожие
|
15.
| Инвентарный номер: нет.
Б 20
Балдин, А. А.
Динамический контроль и оптимизация процесса облучения трековых мембран / А. А. Балдин, Э. Г. Балдина // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 144-151 : рис. - Библиогр. : с. 151 (3 назв.)
. - ISSN 1195-078ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ОБЛУЧЕНИЕ -- ПРОФИЛОМЕТРЫ ПРОЗРАЧНЫЕ -- МЕМБРАНЫ ТРЕКОВЫЕ
Найти похожие
|
16.
| Инвентарный номер: нет.
Б 30
Бахвалова, Т. Н.
Моделирование фотонно-кристаллического спектрального демультиплексора / Т. Н. Бахвалова, М. Е. Белкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (10 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР -- ЗОНА ФОТОННАЯ ЗАПРЕЩЕННАЯ -- КРИСТАЛЛ ДВУМЕРНЫЙ ФОТОННЫЙ -- ВОЛНОВОД ОПТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Разработана модель спектрального демультиплексора на основе фотонного кристалла в интегральном исполнении. Был использован двумерный фотонный кристалл с квадратной решеткой, образованный диэлектрическими наностержнями в воздухе. Разработка демультиплексора основывалась на изменении поперечных размеров волноводных каналов и внесении дополнительных дефектных наностержней различного радиуса внутрь каналов. Подбор геометрических параметров модели проводился исходя из анализа карт фотонных запрещенных зон. Для моделирования распространения излучения в среде была использована программа OptiFDTD 8 фирмы Optiwave Software
Найти похожие
|
17.
| Инвентарный номер: нет.
Б 43
Белащенко, Д. К.
Влияние формы межчастичного потенциала на структурные превращения в металлических кластерах / Д. К. Белащенко, А. Н. Сиренко, Д. Л. Тытик // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 64-71 : рис., табл. - Библиогр. : с. 71 (14 назв.)
. - ISSN 1195-078ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛАСТЕРОВ -- ЭНТРОПИЯ КЛАСТЕРОВ -- ДИНАМИКА МОЛЕКУЛЯРНАЯ
Найти похожие
|
18.
| Инвентарный номер: 203268 - бр.ф.; 203269 - кх.
623
Б 43
Беленков, Евгений Анатольевич.
Наноалмазы и родственные углеродные наноматериалы. Компьютерное материаловедение [] : монография / Е. А. Беленков, В. В. Ивановская, А. Л. Ивановский ; РАН, УрО, Ин-т химии твердого тела. - Екатеринбург : [б. и.], 2008. - 166, [1] с. : ил. - ISBN 5-7691-1958-6 : 10.00 р.ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ УГЛЕРОДНЫЕ -- НАНОФОРМЫ УГЛЕРОДА -- НАНОВОЛОКНА АЛМАЗНЫЕ -- ДИНАМИКА МОЛЕКУЛЯРНАЯ (ФИЗИКА) -- НАНОСТРУКТУРЫ (МОДЕЛИРОВАНИЕ) -- НАНОСТРУКТУРЫ УГЛЕРОДНЫЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ -- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ (НАНОТЕХНОЛОГИИ) -- НАНОТЕХНОЛОГИИ (МАТЕРИАЛЫ)
Найти похожие
|
19.
| Инвентарный номер: нет.
Б 43
Белецкая, А. В.
Активация кислорода на нанокластере палладия / А. В. Белецкая, Д. А. Пичугина, Н. Е. Кузьменко // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 53-56 : рис., табл. - Библиогр. : с. 56 (33 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КИСЛОРОД -- АКТИВАЦИЯ КИСЛОРОДА -- ПАЛЛАДИЙ -- НАНОКЛАСТЕР -- НАНОКЛАСТЕР ПАЛЛАДИЯ
Аннотация: В работе методом функционала плотности проведено моделирование адсорбции кислорода на нанокластере палладия. Показано, что образование комплексов Pd8O2 проходит по диссоциативному механизму. Наиболее вероятными центрами активации кислорода являются атомы металла с избыточной электронной плотностью Pd б-. Обсуждается возможность идентификации типа координации кислорода на кластере Pd8 на основе ИК-спектров
Найти похожие
|
20.
| Инвентарный номер: нет.
Б 43
Белкин, М. Е.
Моделирование сверхбыстродействующих PIN-фотодиодных гетероструктур [Текст] / М. Е. Белкин, Н. А. Дзичковский, В. И. Индришенок // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 23-27 : рис. - Библиогр.: с. 27 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ФОТОДИОД PIN-ТИПА -- ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
Найти похожие
|
21.
| Инвентарный номер: нет.
Б 43
Белкин, М. Е.
Оптоэлектронный генератор свч сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик / М. Е. Белкин, А. В. Лопарев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 9. - С. 29-33 : рис., табл. - Библиогр. : с. 33 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ШУМЫ ЧАСТОТНЫЕ -- ГЕНЕРАТОР ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ СВЧ СИГНАЛОВ -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ
Аннотация: Рассматриваются схема построения и принцип функционирования оптоэлектронного генератора (ОЭГ) СВЧ диапазона, в котором сочетаются относительно низкие фазовые шумы и широкая полоса перестройки частоты генерации. Приводятся результаты разработки объектно-ориентированной модели оптоэлектронного генератора с помощью оптоэлектронной САПР VРI-transmission Maker™ и результаты моделирования его спектральных и шумовых характеристик. Описаны макет ОЭГ, перестраиваемый в полосе 2,5...15 ГГц, и результаты измерения с его помощью указанных параметров, подтверждающие корректность предложенной модели. Проводится сравнение с различными генераторами СВЧ диапазона в интегральном исполнении, построенными по традиционной схеме
Найти похожие
|
22.
| Инвентарный номер: нет.
Б 44
Беляева, А. О.
Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей / А. О. Беляева, В. А. Солнцев // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 2-7 : рис., табл. - Библиогр. : с. 7 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: МАТЕМАТИКА--ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА, ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ И ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЕ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСТВО -- ПОЛУПРОВОДНИК -- ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ -- ТЕЛЛУРИД ВИСМУТА -- ДИФФУЗИЯ
Найти похожие
|
23.
| Инвентарный номер: 201953 - кх; 201954 - ИМЕТ.
623
Б 69
Блинков, Игорь Викторович.
Нанодисперсные и гранулированные материалы , полученные в импульсной плазме [] : научное издание / И. В. Блинков, А. В. Манухин. - М. : МИСиС, 2005. - 367 с. : ил. - (Металлургия и материаловедение XXI века). - Библиогр.: с. 343-367. - ISBN 5-87623-156-8 : 308.00 р.
К 75-летию Моск. гос. ин-та стали и сплавов (Технол. ун-та)ББК 623.069 + 669.314.17
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ. МАШИНОСТРОЕНИЕ. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ--МЕТАЛЛУРГИЯ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМА ИМПУЛЬСНАЯ -- МАТЕРИАЛЫ ГРАНУЛИРОВАННЫЕ -- МАТЕРИАЛЫ НАНОКОМПОЗИЦИОННЫЕ -- РАЗРЯДЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (РЕАКЦИИ) -- ПОРОШКИ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ (ПРОИЗВОДСТВО) -- ПЛАЗМА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ (РАЗРЯДЫ ГАЗОВЫЕ) -- МОДЕЛИРОВАНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКОЕ (ПРОМЫШЛЕННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ) -- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ (НАНОТЕХНОЛОГИИ)
Найти похожие
|
24.
| Инвентарный номер: нет.
Б 73
Богданов, С. А.
Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров на основе неоднородных полупроводников / С. А. Богданов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 2-7 : рис. - Библиогр.: с. 7 (11 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники неоднородные -- полупроводники -- чувствительность газовая -- СЕНСОРЫ ГАЗА КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКИЕ
Аннотация: Разработана методика прогнозирования газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов с чувствительным слоем на основе поликристаллического полупроводника, учитывающая размеры кристаллических зерен материала чувствительного слоя. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологических режимов формирования рассматриваемых сенсоров, а также для прогнозирования их газовой чувствительности
Найти похожие
|
25.
| Инвентарный номер: нет.
Б 73
Богданов, С. А.
Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов / С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15 : рис. - Библиогр. : с. 15 (7 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БАРЬЕР ШОТТКИ -- ЭФФЕКТ КРАЕВОЙ -- ПОТЕНЦИАЛ ЭЛЕКТРОСТАТИСТИЧЕСКИЙ
Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики
Найти похожие
|
26.
| Инвентарный номер: нет.
Б 89
Брюхова , Ю. В.
Анализ разброса физико-технических параметров полупроводниковых приборов [Текст] / Ю. В. Брюхова , Н. А. Зайцева // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 1. - С. 48-53 : рис. - Библиогр.: с. 53 (14 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГОДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- РАЗБРОС ПАРАМЕТРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Найти похожие
|
27.
| Инвентарный номер: нет.
В 19
Васильев, В. А.
Современные методы моделирования нано-и микроразмерных систем / В. А. Васильев, Д. О. Орехов, П. С. Чернов // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 10-14. - Библиогр.: с. 14 (22 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНО- И МИКРОСТРУКТУРЫ -- НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ -- МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ -- КВАНТОВАЯ ФИЗИКА -- КЛАССИЧЕСКАЯ ФИЗИКА
Аннотация: Рассмотрены основные методы моделирования нано- и микроразмерных систем. Раскрыта суть, показаны достоинства и недостатки описанных методов, области их применения. Приведены примеры численной реализации
Найти похожие
|
28.
| Инвентарный номер: нет.
В 19
Васильев, Н.
Через моделирование физики к нанотехнологиям [] / Н. Васильев, А. Хажакян, Д. Васильев // Наноиндустрия. - 2008. - № 6. - С. 40-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 (12 назв.)
. - ISSN 1993-8578ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
|
29.
| Инвентарный номер: 211644 - бр.ф.; 211718 - кх.
541.1
В 22
Вахрушев, Александр Васильевич.
Моделирование процессов аккумуляции водорода и углеводородов наноструктурами [] : научное издание / А. В. Вахрушев , А. М. Липанов, М. В. Суетин. - М. : [Ин-т компьютерных исследований] ; Ижевск : [НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика"], 2008. - 119, [1] с. : граф. - Библиогр.: с. 113-120. - ISBN 978-5-93972-650-4 : 20.00 р.ББК 541.171
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Найти похожие
|
30.
| Инвентарный номер: нет.
В 38
Веселов, И. Н.
Влияние особенностей химического строения иономера на морфологию водных каналов ионообменных мембран: мезоскопическое моделирование / И. Н. Веселов, П. В. Комаров // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 7-8. - С. 97-102 : рис. - Библиогр. : с. 102 (27 назв.)
. - ISSN 1992-7223ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕЗОСКОПИЧЕСКОЕ -- МОНОМЕР -- МОРФОЛОГИЯ ВОДНЫХ КАНАЛОВ -- МЕМБРАНЫ ИОНООБМЕННЫЕ -- МУЛЬТИБЛОК-СОПОЛИМЕРЫ
Аннотация: Методом динамической теории функционала плотности исследуется влияние особенностей химического строения олигомерных цепей иономера на морфологию водных каналов, которые формируются в ионообменных мембранах на основе сульфированных ароматических полиэфир-эфир-кетонов (СПЭЭК). В работе выполнено сравнение характеристик мембран на основе олигомерных цепей СПЭЭК с регулярным, частично искаженным и полностью случайным распределением гидрофобных и гидрофильных звеньев. Полученные результаты свидетельствуют, что иономерные мембраны на основе регулярных мультиблок-AB-сополимеров могут обладать лучшими эксплуатационными характеристиками, чем мембраны на основе мультиблок-сополимеров со случайной структурой цепи
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных