Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (1006)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (3)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (130)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (34)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (27)Публикации об УрО РАН (37)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (15)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (82)Труды Института истории и археологии УрО РАН (23)Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН (33)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (17)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (116)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (187)Расплавы (416)Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН (5)Публикации Черешнева В.А. (14)Публикации Чарушина В.Н. (3)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (323)Электронная энциклопедия «Дискурсология» (1)Библиометрия (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=МОДЕЛИРОВАНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 136
Показаны документы с 1 по 30
 1-30    31-60   61-90   91-120   121-136 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/A 22
Заглавие : Advanced Magnetic Nanostructures : научное издание
Выходные данные : Lincoln: Springer, 2006
Колич.характеристики :XIII, 508 с.: il.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 497-508. - Прил.: с. 491-496
ISBN, Цена 0387-23309-1: 4824.00 р.
ГРНТИ : 81.09
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 642/E 54
Заглавие : Energy Autonomous Micro and Nano Systems : научное издание
Выходные данные : [Hoboken]; [New Jersey]: A John Wiley&Sons, [2012]
Колич.характеристики :XXI, 370 с.: il.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 365-370
ISBN, Цена 1-84821-357-9: 6617.00 р.
ГРНТИ : 44.29
ББК : 642
Предметные рубрики: ЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКА-- ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/G 91
Автор(ы) : Grzybowski, Bartosz A.
Заглавие : Chemistry in Motion: Reaction-Diffusion Systems for Micro- and Nanotechnology
Выходные данные : Chichester [et al.]: John Wiley & Sons, 2009
Колич.характеристики :XII, 288 с.: ил.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Указ.: с. 283-288. - Прил.: с. 265-281
ISBN, Цена 978-0-470-03043-1: 4889.00 р.
ГРНТИ : 31.15
ББК : 541.122.51c11
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЧЕСКАЯ КИНЕТИКА
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/S 40
Заглавие : Science and Application of Nanotubes
Выходные данные : New York [et al.]: Kluwer Academic/ Plenum Publishers, 2000
Колич.характеристики :XIII, 398 с.: ил., табл.
Серия: Fundamental Materials Research
Примечания : Библиогр. в конце гл.- Указ.: с. 395-398
ISBN, Цена 0-306-46372-5: 7781.00 р.
ББК : 541.171 + 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): материаловедение нанотубуленов--материалы наноструктурные (исследования)--наноструктуры (моделирование)--наноструктуры (применение)--нанотехнологии (основы)--нанотрубы (моделирование)--нанотубулены (свойства)
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/S 43
Автор(ы) : Seddak A., Benzerga D., Haddi A.
Заглавие : Finite element analysis of delamination in a new woven composite
Параллельн. заглавия :Конечно-элементный анализ расслоения в новом композите с тканевым армированием
Место публикации : Композиты и наноструктуры. - 2009. - № 3. - С. 18-24: рис. - ISSN 1999-7590. - ISSN 1999-7590
Примечания : Библиогр. : с. 24 (11 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л.
Заглавие : Моделирование металлических и полупроводниковых одноэлектронных приборных структур с учетом пространственного квантования на островках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 6 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура одноэлектронная приборная--квантование пространственное--модель физико-топологическая
Аннотация: Предложена модель одноэлектронных приборных структур, учитывающая эффект пространственного квантования на островках. Показано, что эффект может оказывать все более сильное влияние на вольт-амперные характеристики приборов с ростом числа островков и прикладываемых к ним смещений, а также уменьшением температуры окружающей среды
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Баранов А. Л., Щербакова И. Ю.
Заглавие : Моделирование одноэлектронных приборных структур на основе молекул
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 18-20: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показана универсальность модели, разработанной в рамках предложенного подхода к моделированию одноэлектронных приборных структур. С этой целью доведен расчет вольт-амперных характеристик структур, включающих и молекулы
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Гончаренко И. А.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 10-13: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 13 (21 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): межзонное туннелирование--диод--двухзонная модель
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/А 21
Автор(ы) : Аврамов П. В., Овчинников С. Г.
Заглавие : Квантово-химическое и молекулярно-динамическое моделирование структуры и свойств углеродных наноструктур и их производных [Электронный ресурс]
Выходные данные : Новосибирск: РАН. Сибирское отделение, 2000
Колич.характеристики :1 эл. опт. диск
Вид и объем ресурса: Электрон. текстовые дан.
Примечания : Загл. с контейнера
ISBN, Цена 5-7692-0416-8: 50.00 р.
ББК : 541.171я05
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование квантово-химическое (наноструктуры углеродные)--моделирование молекулярно-динамическое (наноструктуры углеродные)--наноструктуры углеродные (моделирование квантово-химическое)--наноструктуры углеродные (моделирование молекулярно-динамическое)--химия твердого тела
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.3/А 23
Автор(ы) : Агафонов В. М. , Орел А. А.
Заглавие : Моделирование физических процессов в молекулярно-электронном преобразователе, созданном на основе планарных технологий
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 50-57: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 57 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): молекулярно-электронный преобразователь--планарные технологии
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 62
Автор(ы) : Аммон Л. Ю.
Заглавие : Компьютерное моделирование процесса образования наночастиц при золь-гель синтезе
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 2. - С. 93-96: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 96 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Развитие нанотехнологий предлагает два подхода к созданию наноструктурированных материалов: «сверху-вниз» и «снизу-вверх». Первый из них рассматривает ультрадиспергирование вещества и последующее формирование материала. Второй - синтез наночастиц путем химических реакций из атомов и молекул как основы формирования материала. В обоих подходах наночастица является центральной фигурой в понимании процессов формирования наноматериала. Целью данной работы является моделирование процессов образования наночастиц в золь-гель технологии при гидролизе тетраэтоксисилана или кремнезема
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 12
Автор(ы) : Бабуров В. А., Павлов А. Ю.
Заглавие : Исследование и разработка прецизионных конденсаторов, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 36-39: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование--нитрид кремния--конденсаторы тонкопленочные--s-параметры
Аннотация: Представлены результаты разработки и измерений S-параметров тонкопленочных конденсаторов. Конденсаторы формируются на подложках из арсенида галлия. На основе полученных данных удалось с помощью специального программного обеспечения смоделировать конденсаторы различной топологии, работающие на частотах до 40 ГГц
Найти похожие

14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 531/Б 18
Заглавие : Тезисы докладов научной конференции "Байкальские чтения: наноструктурированные системы и актуальные проблемы механики сплошной среды (теория и эксперимент)" : доклад, тезисы доклада
Выходные данные : Ижевск: ИПМ УрО РАН, 2010
Колич.характеристики :140 с
Коллективы : "Байкальские чтения: наноструктурированные системы и актуальные проблемы механики сплошной среды (теория и эксперимент)", конференция (2010;Улан-Удэ) , Ин-т прикладной механики УрО Учреждения РАН
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 20.00 р.
ГРНТИ : 30.03.15
ББК : 531.1я431(2) + 539.2я431(2)
Предметные рубрики: ФИЗИКА-- МЕХАНИКА СПЛОШНЫХ СРЕД-- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА-- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1)
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 20
Автор(ы) : Балдин А. А., Балдина Э. Г.
Заглавие : Динамический контроль и оптимизация процесса облучения трековых мембран
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 144-151: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 151 (3 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 30
Автор(ы) : Бахвалова Т. Н., Белкин М.Е.
Заглавие : Моделирование фотонно-кристаллического спектрального демультиплексора
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 1. - С. 27-30: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 30 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана модель спектрального демультиплексора на основе фотонного кристалла в интегральном исполнении. Был использован двумерный фотонный кристалл с квадратной решеткой, образованный диэлектрическими наностержнями в воздухе. Разработка демультиплексора основывалась на изменении поперечных размеров волноводных каналов и внесении дополнительных дефектных наностержней различного радиуса внутрь каналов. Подбор геометрических параметров модели проводился исходя из анализа карт фотонных запрещенных зон. Для моделирования распространения излучения в среде была использована программа OptiFDTD 8 фирмы Optiwave Software
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 43
Автор(ы) : Белащенко Д. К., Сиренко А. Н., Тытик Д. Л.
Заглавие : Влияние формы межчастичного потенциала на структурные превращения в металлических кластерах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 64-71: рис., табл. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 71 (14 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ФИЗИКА
Найти похожие

18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/Б 43
Автор(ы) : Беленков, Евгений Анатольевич, Ивановская, Виктория Валерьевна, Ивановский, Александр Леонидович
Заглавие : Наноалмазы и родственные углеродные наноматериалы. Компьютерное материаловедение
Выходные данные : Екатеринбург, 2008
Колич.характеристики :166, [1] с.: ил.
Коллективы : Ин-т химии твердого тела УрО РАН
ISBN, Цена 5-7691-1958-6: 10.00 р.
ГРНТИ : 29.19.22
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1)
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белецкая А. В., Пичугина Д. А., Кузьменко Н. Е.
Заглавие : Активация кислорода на нанокластере палладия
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 11-12. - С. 53-56: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 56 (33 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В работе методом функционала плотности проведено моделирование адсорбции кислорода на нанокластере палладия. Показано, что образование комплексов Pd8O2 проходит по диссоциативному механизму. Наиболее вероятными центрами активации кислорода являются атомы металла с избыточной электронной плотностью Pd б-. Обсуждается возможность идентификации типа координации кислорода на кластере Pd8 на основе ИК-спектров
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М. Е., Дзичковский Н. А., Индришенок В. И.
Заглавие : Моделирование сверхбыстродействующих PIN-фотодиодных гетероструктур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 10. - С. 23-27: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 27 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): многокомпонентные полупроводниковые соединения--сверхбыстродействующий фотодиод pin-типа--приборно-технологическое моделирование
Найти похожие

21.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М.Е., Лопарев А. В.
Заглавие : Оптоэлектронный генератор свч сигналов: моделирование, исследование спектральных и шумовых характеристик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 9. - С. 29-33: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 33 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассматриваются схема построения и принцип функционирования оптоэлектронного генератора (ОЭГ) СВЧ диапазона, в котором сочетаются относительно низкие фазовые шумы и широкая полоса перестройки частоты генерации. Приводятся результаты разработки объектно-ориентированной модели оптоэлектронного генератора с помощью оптоэлектронной САПР VРI-transmission Maker™ и результаты моделирования его спектральных и шумовых характеристик. Описаны макет ОЭГ, перестраиваемый в полосе 2,5...15 ГГц, и результаты измерения с его помощью указанных параметров, подтверждающие корректность предложенной модели. Проводится сравнение с различными генераторами СВЧ диапазона в интегральном исполнении, построенными по традиционной схеме
Найти похожие

22.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Б 44
Автор(ы) : Беляева А. О., Солнцев В. А.
Заглавие : Моделирование диффузионных процессов через барьерное покрытие в полупроводниковые ветви термоэлектрических модулей
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 1. - С. 2-7: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 7 (4 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: МАТЕМАТИКА-- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАТЕМАТИКА, ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ И ПРОГРАММИРОВАНИЕ
Найти похожие

23.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 623/Б 69
Автор(ы) : Блинков, Игорь Викторович, Манухин, Анатолий Васиьевич
Заглавие : Нанодисперсные и гранулированные материалы , полученные в импульсной плазме : научное издание
Выходные данные : М.: МИСиС, 2005
Колич.характеристики :367 с.: ил.
Серия: Металлургия и материаловедение XXI века
Примечания : Библиогр.: с. 343-367. - К 75-летию Моск. гос. ин-та стали и сплавов (Технол. ун-та)
ISBN, Цена 5-87623-156-8: 308.00 р.
ГРНТИ : 29.27 + 53
ББК : 623.069 + 669.314.17
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ-- СЫРЬЕ-- МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ. МАШИНОСТРОЕНИЕ. ПРИБОРОСТРОЕНИЕ-- МЕТАЛЛУРГИЯ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): плазма импульсная--материалы гранулированные--материалы нанокомпозиционные--разряды электрические (реакции)--порошки металлические (производство)--плазма низкотемпературная (разряды газовые)--моделирование математическое (промышленная технология)--материаловедение (нанотехнологии)
Экземпляры : всего : кх(1), ИМЕТ(1)
Свободны : кх(1), ИМЕТ(1)
Найти похожие

24.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 73
Автор(ы) : Богданов С. А.
Заглавие : Моделирование газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров на основе неоднородных полупроводников
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 2-7: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 7 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники неоднородные--полупроводники--чувствительность газовая--сенсоры газа кондуктометрические
Аннотация: Разработана методика прогнозирования газовой чувствительности кондуктометрических сенсоров газов с чувствительным слоем на основе поликристаллического полупроводника, учитывающая размеры кристаллических зерен материала чувствительного слоя. Полученные результаты могут быть использованы для оптимизации технологических режимов формирования рассматриваемых сенсоров, а также для прогнозирования их газовой чувствительности
Найти похожие

25.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 73
Автор(ы) : Богданов С. А., Захаров А. Г., Лытюк А. А.
Заглавие : Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 15 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики
Найти похожие

26.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 89
Автор(ы) : Брюхова Ю. В., Зайцева Н. А.
Заглавие : Анализ разброса физико-технических параметров полупроводниковых приборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 1. - С. 48-53: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 53 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): годные кристаллы--моделирование--физические параметры--разброс параметров--полупроводниковые приборы
Найти похожие

27.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3/В 19
Автор(ы) : Васильев В. А., Орехов Д. О., Чернов П. С.
Заглавие : Современные методы моделирования нано-и микроразмерных систем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 10-14. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (22 назв.)
УДК : 621.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нано- и микроструктуры--нано- и микроэлектромеханические системы--моделирование--математические методы--квантовая физика--классическая физика
Аннотация: Рассмотрены основные методы моделирования нано- и микроразмерных систем. Раскрыта суть, показаны достоинства и недостатки описанных методов, области их применения. Приведены примеры численной реализации
Найти похожие

28.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 19
Автор(ы) : Васильев Н., Хажакян А., Васильев Д.
Заглавие : Через моделирование физики к нанотехнологиям
Место публикации : Наноиндустрия. - 2008. - № 6. - С. 40-45: рис. - ISSN 1993-8578. - ISSN 1993-8578
Примечания : Библиогр. : с. 45 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

29.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541.1/В 22
Автор(ы) : Вахрушев, Александр Васильевич, Липанов, Алексей Матвеевич, Суетин, Михаил Валерьевич
Заглавие : Моделирование процессов аккумуляции водорода и углеводородов наноструктурами : научное издание
Выходные данные : М.: [Ин-т компьютерных исследований]; Ижевск: [НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика"], 2008
Колич.характеристики :119, [1] с.: граф.
Примечания : Библиогр.: с. 113-120
ISBN, Цена 978-5-93972-650-4: 20.00 р.
ГРНТИ : 31.15.19
ББК : 541.171
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА
Экземпляры : всего : бр.ф.(1), кх(1)
Свободны : бр.ф.(1), кх(1)
Найти похожие

30.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 38
Автор(ы) : Веселов И. Н., Комаров П. В.
Заглавие : Влияние особенностей химического строения иономера на морфологию водных каналов ионообменных мембран: мезоскопическое моделирование
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 7-8. - С. 97-102: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 102 (27 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Методом динамической теории функционала плотности исследуется влияние особенностей химического строения олигомерных цепей иономера на морфологию водных каналов, которые формируются в ионообменных мембранах на основе сульфированных ароматических полиэфир-эфир-кетонов (СПЭЭК). В работе выполнено сравнение характеристик мембран на основе олигомерных цепей СПЭЭК с регулярным, частично искаженным и полностью случайным распределением гидрофобных и гидрофильных звеньев. Полученные результаты свидетельствуют, что иономерные мембраны на основе регулярных мультиблок-AB-сополимеров могут обладать лучшими эксплуатационными характеристиками, чем мембраны на основе мультиблок-сополимеров со случайной структурой цепи
Найти похожие

 1-30    31-60   61-90   91-120   121-136 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика