Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИГД УрО РАН

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и продолжающихся изданий (20)

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (4)

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (12)

Расплавы (4)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=НАНОКРИСТАЛЛЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-33

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование влияния на модуль Юнга геометрических параметров ориентированных нитевидных нанокристаллов GaAs методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев, Б. Г. Коноплев, М. В. Рубашкина, А. В. Рукомойкин, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 27-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДУЛЬ ЮНГА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ GAAS НИТЕВИДНЫЕ -- ПАРАМЕТРЫ ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МЕТОД АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- НАНОДИАГНОСТИКА НИТЕВИДНЫХ СТРУКТУР -- НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Разработана методика определения модуля Юнга ориентированных нитевидных нанокристаллов методом атомно-силовой микроскопии. Представлены результаты исследования влияния геометрических параметров на модуль Юнга ориентированных нитевидных нано-кристаллов арсенида галлия. Экспериментально определено значение модуля Юнга нитевидных нанокристаллов арсенида галлия, которое, в зависимости от их аспектного соотношения, изменялось от 9 до 143 ГПа. Показано, что модуль Юнга нитевидных нанокристаллов GaAs зависит от аспектного соотношения и может превышать значение модуля Юнга объемного GaAs. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур нано- и микросистемной техники, нано- и микроэлектроники на основе ориентированных нитевидных нанокристаллов, в частности нанокристаллов арсенида галлия, а также при разработке методик нанодиагностики нитевидных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 60


    Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек / С. В. Дайнеко, М. В. Артемьев, И. Р. Набиев, М. Г. Тедорадзе, А. А. Чистяков // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6 : рис. - Библиогр.: с. 6 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯЧЕЙКА СОЛНЕЧНАЯ -- МАТЕРИАЛЫ ГИБРИДНЫЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ФОТОВОЛЬТАИКА -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИК ОРГАНИЧЕСКИЙ
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Г 46


    Гибридные системы из квантовых точек и фоточувствительного белка фикоэритрина / Е. Г. Максимов, Т. С. Гостев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 107-112 : рис., табл. - Библиогр. : с. 112 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- БЕЛОК ФИКОЭРИТРИНА ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ -- МЕХАНИЗМ ФЁРСТЕРА (FRET)
Аннотация: Показано, что полупроводниковые нанокристаллы (или квантовые точки, КТ) могут быть использованы для увеличения поглощающей способности белка-пигмента. В смеси фикоэритрина и квантовых точек флуоресценция последних уменьшается в несколько раз за счет переноса поглощенной энергии к фикоэритрину. Обсуждается индуктивно-резонансный механизм Фёрстера (FRET) как возможный путь переноса энергии в донорно-акцепторных парах КТ - фикоэритрин. Расчеты, выполненные на основе экспериментальных данных, показали, что эффективность миграции энергии от КТ к фикоэритрину составляет 88 %, соответствующая константа скорости равна 1.17109 с-1

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Н 25


    Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (50 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛИЧЕСКИЙ -- СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Т 38


    Технология создания медицинской нанобиоинформационной диагностической системы на полупроводниковых нанокристаллах / К. Д. Яшин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 4. - С. 11-14 : рис. - Библиогр. : с. 14 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ДИАГНОСТИКА ОПУХОЛЕВЫХ ЗАБОЛЕВАНИЙ -- НАНОБИОМАРКЕРЫ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ
Аннотация: Представлена конструкция флуоресцентных полупроводниковых нанобиомаркеров для визуализации опухолевых клеток in vitro

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование чувствительности нанокристаллического оксида индия с различными размерами нанокристаллов к диоксиду азота / Е. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 87-90 : табл., рис. - Библиогр. : с. 90 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДИОКСИД АЗОТА -- ОКСИД ИНДИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОВЕДЕНИЕ НЕМОНОТОННОЕ
Аннотация: Исследовано влияние адсорбции NO 2 на электрическую проводимость нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Чувствительность (отношение проводимостей In 2O 3 до и после адсорбции NO 2) с уменьшением размеров нанокристаллов сначала возрастает, а затем уменьшается. Предложено объяснение наблюдаемого немонотонного поведения чувствительности

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов / Ф. И. Высикайло // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (27 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- КУМУЛЯЦИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ И ФИЗИЧЕСКОЕ -- РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E > 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En > 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En > 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R > R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En < 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En > 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En > 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E > 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E > 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): ^w(r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E > 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En > 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En > 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI)
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   К 68

    Коростелев, В. Ф.
    Исследование влияния давления на кристаллизацию и изменение наноструктуры алюминия / В. Ф. Коростелев, Л. П. Хромова // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АЛЮМИНИЙ -- НАНОСТРУКТУРА АЛЮМИНИЯ -- ДАВЛЕНИЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МОДЕЛЬ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- СВЯЗИ МЕЖАТОМНЫЕ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ -- ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ИЗ НАНОКРИСТАЛЛОВ
Аннотация: Рассмотрены кристаллогеометрические, термодинамические и наноструктурные аспекты теории кристаллизации. Установлено, что повышение давления, накладываемого на расплав, от 400 до 500 МПа, обеспечивает снижение плотности дислокаций благодаря формированию нанокристаллов с размерами 12...40 нм с практически бездефектной структурой. Приводятся данные об изменении предела текучести и модуля Юнга

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   С 17


    Самосборка гибридных наноструктур "полупроводник/J-агрегат органического красителя" в обратных мицеллах АОТ/вода/гексан / Л. М. Николенко [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 72-80 : рис. - Библиогр. : с. 80 (25 назв.) . - ISSN 1992-7223

ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГИБРИДНЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МИЦЕЛЛЯРНЫЙ РАСТВОР -- J-АГРЕГАТ

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-33

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)