Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (74)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (45)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (6)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (59)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (4)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (60)Расплавы (45)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ОСАЖДЕНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-26 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94


   
    Эффект резистивного переключения в тонких пленках оксида гафния в наноструктурах TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN / С. А. Зайцев, О. М. Орлов, Е. С. Горнев, К. В. Егоров, Р. В. Киртаев, А. М. Маркеев, А. В. Заблоцкий // Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 10-15. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМАЯ ПАМЯТЬ -- ОКСИД ГАФНИЯ
Аннотация: Изучен эффект резистивного переключения наноструктур типа металл-оксид-металл TiN/HfxAl1-xOy/HfO2/TiN на основе тонкой пленки двухслойного оксида, включающей в себя слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры резистивного переключения полученных наноструктур, в том числе время хранения записанного состояния в изготовленных структурах.

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: 218980 - кх.
   541.1
   Э 45


   
    Электрохимия нанокомпозитов металл-ионообменник [] : научное издание / Т. А. Кравченко [и др.] ; РАН, Ин-т общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова, Воронежский гос. ун-т. - М. : Наука, 2013. - 363, [1] с. - ISBN 978-5-02-038142-1 : 230.00 р.
ГРНТИ
ББК 541.13
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ЭЛЕКТРОХИМИЯ

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электрохимическое осаждение никелевых покрытий из электролитов с изомасляной кислотой / И. В. Антихович, Н. М. Аблажей, А. А. Черник, И. М. Жарский // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 3 (30). - С. 36-38 . - ISSN 2306-0581
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИКЕЛЕВЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ИЗОМАСЛЯНАЯ КИСЛОТА

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электрохимическое восстановаение поврежденных контактных площадок кристаллов при анализе отказов современных интегральных схем / Д. Н. Зубов, Е. А. Кельм, Р. А. Милованов, Г. В. Молодцова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 38-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ -- ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА -- КОНТАКТНАЯ ПЛОЩАДКА -- ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ТЕРМОКОМПРЕССИОННАЯ СВАРКА
Аннотация: При анализе отказов современных интегральных схем, может возникнуть необходимость в проведении исследований, включающих одновременный анализ топологии кристалла и подачу электрических сигналов на его контактные площадки. Однако при осуществлении доступа к кристаллу контактные площадки могут быть повреждены по различным причинам. Рассмотрены несколько типов повреждений контактных площадок, а также экспериментальные исследования по их восстановлению электрохимическим осаждением серебра и меди

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 90


    Булыгина, Е. В.
    Электрохимическое внедрение металлов в пустоты опаловой матрицы [Текст] / Е. В. Булыгина // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 31-42 : рис. - Библиогр.: с. 42 936 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ОПАЛОВАЯ МАТРИЦА -- ПУСТОТЫ -- НАНОКОМПОЗИТЫ

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 89


    Кузнецова, Н. Ю.
    Химическое осаждение покрытия никель-фосфор на сплав алюминия Д-16 / Н. Ю. Кузнецова, И. Ю. Гоц, С. С. Попова // Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 63-67
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИКЕЛЬ-ФОСФОР -- АЛЮМИНИЙ -- ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 94


   
    Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC / В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Зуев, А. Г. Гнедовец, М. И. Алымов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64 : рис. - Библиогр.: с. 64 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ -- СЛОИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ОКСИД ВОЛЬФРАМА -- МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ АТОМНОСИЛОВАЯ -- ПЛЕНКИ МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ -- СВОЙСТВА ГАЗОСЕНСОРНЫЕ -- ТОКОПРОХОЖДЕНИЕ
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: 220190 - кх.
   541.1
   Ф 94


   
    Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [] : монография / РАН, СО, Ин-т неорганической химии им. А. В. Николаева [и др.] ; отв. ред. Т. П. Смирнова. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2013. - 175 с. - (Интеграционные проекты СО РАН ; вып. 37). - Загл. на доп.тит.листе : Fundamental bases of chemical vapour deposition procesess of films and structures for nanoelectronics. - Библиогр.: с. 156-171. - ISBN 978-5-7692-0669-6 : 830.00 р.
ГРНТИ
ББК 541.171
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ--ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА

  Оглавление
Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 89


    Кузнецова, М. А.
    Формирование карбидокремниевых автоэмиссионных острий методом остросфокусированного ионного пучка / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 12. - С. 35-40 : рис., табл. - Библиогр.: с. 40 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПУЧОК ИОННЫЙ -- ДИОД -- ТРАВЛЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ -- ЭМИССИЯ АВТОЭЛЕКТРОННАЯ -- КАРБИД КРЕМНИЯ
Аннотация: Представлены результаты комплексного анализа возможностей и ограничений на применение остросфокусированного ионного пучка для объектов микросистемной техники (МСТ) и различных методов исследований. Детально проанализированы особенности применения данной технологии на примере создания карбидокремниевых автоэмиссионных острий и диодных структур на их основе

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 89


    Кузнецова, М. А.
    Физико-технологические основы применения наноразмерной ионно-лучевой технологии при создании изделий микро- и наносистемной техники / М. А. Кузнецова, В. В. Лучинин, А. Ю. Савенко // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 8. - С. 24-32 : рис. - Библиогр. : с. 32 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОСАЖДЕНИЕ -- ИОННЫЙ ПУЧОК

Найти похожие

 1-10    11-20   21-26 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика