Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   М 80

    Морозов, А. И.
    Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик / А. И. Морозов, А. С. Сигов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14 : рис. - Библиогр.: с. 14 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАГНИТОЭЛЕКТРИК -- НАНОСТРУКТУРЫ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- ЗАПИСЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ -- ПАМЯТЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ
Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 72


    Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок / Г. Д. Демин, Н. А. Дюжев, А. Ф. Попков, М. Ю. Чиненков // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - Библиогр.: с. 30 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

53.087:537.621.2

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СПИН-ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ВАКУУМНЫЙ ЗАЗОР -- ТОКОВОЕ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ -- МАГНИТНАЯ НАНООСТРОВКОВАЯ СТРУКТУРА -- ТУННЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ТУННЕЛЬНАЯ СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ
Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)