Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 80
Автор(ы) : Морозов А. И., Сигов А. С.
Заглавие : Перемагничивание электрическим полем в двухслойной структуре ферромагнетик— магнитоэлектрик
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 10-14: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 14 (20 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэлектрик--наноструктуры многослойные--запись электрическим полем--память магниторезистивная
Аннотация: Исследованы условия, необходимые для разворота намагниченности ферромагнитного слоя путем приложения электрического поля к слою магнитоэлектрика BiFeO 3 в двухслойной обменно-связанной структуре. Показано, что такая процедура возможна только в случае, когда атомные плоскости феррита висмута, параллельные границе раздела слоев, являются скомпенсированными по спину плоскостями, например плоскостями типа (001) псевдокубической кристаллографической решетки
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.087:537.621.2/С 72
Автор(ы) : Демин Г. Д., Дюжев Н. А., Попков А. Ф., Чиненков М. Ю.
Заглавие : Спин-поляризованная токовая эмиссия в вакуум и переключение магнитного состояния тонких наноостровковых пленок
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 24-30. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 30 (15 назв.)
УДК : 53.087:537.621.2
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спин-поляризованное туннелирование--вакуумный зазор--токовое перемагничивание--магнитная наноостровковая структура--туннельное магнитосопротивление--туннельная спиновая поляризация
Аннотация: Исследуются особенности спин-поляризованного туннелирования через вакуумный зазор при инжекции электронов с магнитного покрытия катода на поверхность магнитных наноостровковых структур в режимах слабой и сильной полевой эмиссии. Обнаружено сильное влияние работы выхода и спинового расщепления магнитного катода на плотность протекающего туннельного тока, а также установлено существенное изменение характера спин-зависимого туннелирования при высоких напряжениях. Полученные теоретические оценки могут быть в дальнейшем использованы для реализации перемагничивания током спинового состояния магнитных наноостровковых пленок и разработки нового поколения высокоплотных запоминающих устройств, основанных на токовом переносе спина
Найти похожие

Описание базы данных

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)