Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Изобретения уральских ученых (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (23)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (2)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (12)Расплавы (12)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОДЛОЖКИ<.>)
Общее количество найденных документов : 38
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-38 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 47


   
    Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА"
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45


   
    Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками / Л. П. Ичкитидзе, В. М. Подгаецкий, Б. М. Путря, С. В. Селищев, Е. В. Благов, В. А. Галперин, Ю. П. Шаман, Е. П. Кицюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 2-4 : рис., табл. - Библиогр.: с. 4 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МЕТОД ШЕЛКОГРАФИИ -- НАНОТРУБКИ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- СУСПЕНЗИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ ВОДНАЯ -- КРЕМНИЙ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- СЛОИ -- КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗА
Аннотация: Исследована удельная электропроводность слоев композиционных наноматериалов микрометровых размеров, состоящих из карбоксиметилцеллюлозы и многослойных углеродных нанотрубок с различными аспектными отношениями. Ультрадисперсная водная суспензия наносилась методом шелкографии на подложки из покровного стекла и кремния со слоем оксида кремния. Электропроводность измерялась четырехзондовым методом. Для слоев в интервале толщин 0,5...10 мкм наибольшая удельная объемная проводимость составила -350 См/м. Описаны некоторые аспекты увеличения электропроводности под действием лазерного излучения

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ш 75


    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 29


    Селезнев, В. А.
    Чипы с полупроводниковыми трубками-зондами для сканирующей туннельной микроскопии / В. А. Селезнев, В. Я. Принц, И. А. // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 5-8 : рис. - Библиогр. : с. 8 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ -- ТРУБКИ-ЗОНДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ГЕТЕРОПЛЕНКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Описан метод массового изготовления чипов с трубчатыми зондами для сканирующей туннельной микроскопии из гетероструктур InP/InxGa1- xAs/InyGaj-yAs. Технология базируется на методах самосворачивания тонких напряженных гетеропленок в трубки, анизотропном и селективном травлении подложки InP и методах, используемых в технологии изготовления интегральных схем. Впервые изготовлены микротрубки из гетеропленок InxGa 1-xAs/InyGa 1-yAs с использованием селективного анизотропного травления подложки InP. Созданные чипы с полупроводниковыми трубками-зондами перспективны для применений в высоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, спиновой туннельной микроскопии и микроскопии ближнего поля

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 20


   
    Характеристики нанотолщинного композита на гибкой подложке при деформациях изгиба / Д. А. Мудрецов, А. А. Жуков , Е. С. Кузьменко, И. Н. Компанец // Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 72-77 : табл., рис. - Библиогр. : с. 77 (4 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОМПОЗИТ НАНОТОЛЩИННЫЙ -- ПОДЛОЖКИ ГИБКИЕ ИЗ PES и PETF -- ПЛЕНКА ПОЛИМЕРНАЯ PMDA-ODA -- МИКРОШЕРОХОВАТОСТЬ
Аннотация: Исследованы до и после деформации на изгиб характеристики изготовленного на гибких подложках из PES и PETF нанотолщинного композитного покрытия из слоев прозрачного проводящего ITO и полимерной пленки PMDA-ODA. Показано, что минимальный радиус, еще не приводящий к разрушениям композиционного покрытия, при деформации сжатия (на внутренней стороне изгиба) на 14% меньше, чем при деформации растяжения (на внешней стороне изгиба). Микрошероховатость, вызываемая деформацией сжатия, больше при деформации растяжения на 80%. Образец на основе PETF с изотропным ориентантом показал на 1 мм меньший предельный радиус кривизны, чем образец на основе PES. При нанесении анизотропного ориентанта удельное поверхностное сопротивление слоя ITO возрастало приблизительно на 70%

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 94


   
    Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC / В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Зуев, А. Г. Гнедовец, М. И. Алымов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64 : рис. - Библиогр.: с. 64 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ -- СЛОИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ -- ОКСИД ВОЛЬФРАМА -- МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ АТОМНОСИЛОВАЯ -- ПЛЕНКИ МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ -- СВОЙСТВА ГАЗОСЕНСОРНЫЕ -- ТОКОПРОХОЖДЕНИЕ
Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   У 25


   
    Углеродные нанотрубные автоэмиттеры с большой плотностью эмиссионного тока: синтез и эмиссионные характеристики / Е. Ф. Куковицкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 5-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ПОДЛОЖКИ КРЕМНЕВЫЕ -- СИЛИЦИД КРЕМНИЯ -- АВТОЭМИССИЯ

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 32


    Пивоненков, Б. И.
    Трехкомпонентный пьезорезистивный мэм-акселерометр / Б. И. Пивоненков, В. М. Школьников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 43-47 : рис., табл., граф. - Библиогр. : с. 47 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АКСЕЛЕРОМЕТР ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫЙ -- АКСЕЛЕРОМЕТР ТРЕХКОМПОНЕНТНЫЙ -- МЭМС
Аннотация: Описан трехкомпонентный пьезорезистивный МЭМ-акселерометр с одним упругим элементом, с воздушным демпфированием и ограничителями перемещения груза. Обоснованы и рассчитаны оптимальные параметры акселерометра: внутренний размер чувствительного элемента для разных толщин пластины, длина и ширина перемычек, уточнены требования к тензорезисторам. Приведены оптимальные параметры акселерометра на диапазон 10 g двух толщинах подложки: 450 и 600 мкм. Даны предложения по параметрам акселерометра для серийного освоения и по модификациям, в которых его целесообразно выпускат

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: 208039 - ИМЕТ.
   539.2
   И 30


    Иевлев, Валентин Михайлович.
    Тонкие пленки неорганических материалов: механизм роста и структура [] : учеб. пособие / В. М. Иевлев. - Воронеж : Издательско-полиграфический центр Воронежский государственный университет, 2008. - 496 с. : фото, рис., граф. - ISBN 978-5-9273-1258-0 : 20.00 р.
Пометки автора: Дорогому Николаю Анатольевичу с благодарностью и пожеланиями всего самого доброго. 23.04.08
ГРНТИ
ББК 539.212.6я73
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА--КРИСТАЛЛОГРАФИЯ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 87


   
    Структура и трибологические свойства новых функциональных биокомпозитных материалов на основе пептида и наночастиц золота / А. И. Лоскутов, В. Б. Ошурко, Е. Е. Карпова, Н. В. Кошелева, О. Я. Урюпина, А. В. Фалин // Нанотехника. - 2012. - № 2. - С. 59-65 : табл., рис. - Библиогр.: с. 65 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- МАТЕРИАЛЫ НАНОКОМПОЗИТНЫЕ -- НАНОТРИБОЛОГИЯ -- ПЕПТИДЫ
Аннотация: Методами АСМ и СТМ-зондовой микроскопии были исследованы структура и трибологические свойства нового пептидного функционального композитного материала с наночастицами (НЧ) золота, нанесенного на поверхности алюминия, золота, серебра, стали, стекла и слюды. Измерены распределения по поверхности локальных сил трения и адгезии. Композитные слои образуют дендритные микроструктуры, которые зависят от природы подложки и расстояния выбранного для измерений участка поверхности от центра капли. Введение НЧ золота в пептидную матрицу увеличивает размер частиц, фрактальную размерность и шероховатость поверхности слоев и, в основном, слабо влияет на силы трения и адгезии по сравнению с исходным пептидным слоем. Измеренные коэффициенты трения не зависят от шероховатости поверхности. Все материалы обладают нелинейными вольтамперными характеристиками. Основным механизмом переноса заряда в нанокомпозитных пептидных слоях является механизм надбарьерной эмисии Шоттки. Сделан вывод, что основным фактором, который влияет на силы трения, является не наличие или отсутствие НЧ золота, а микроструктура пептидного слоя, которая существенно зависит от природы подложки

Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-38 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика