Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (2)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (5)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (26)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-21   21-21 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 19
Автор(ы) : Аверин И. А., Мошников В. А., Пронин И. А.
Заглавие : Влияние типа и концентрации собственных дефектов на свойства структур диоксида олова
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 27-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид олова--полупроводник--вакансии кислорода--температура--дефекты точечные
Аннотация: Представлен анализ влияния термодинамически равновесных дефектов на свойства диоксида олова. Показано, что основным источником электронов в исследуемом полупроводнике являются двукратно ионизованные вакансии кислорода. Исследовано распределение собственных точечных дефектов в SnO 2 в зависимости от температуры и времени обработки
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 17
Автор(ы) : Фалчари М. М., Семенистая Т. В., Плуготоренко Н. К., Лу П.
Заглавие : Разработка технологии получения газочувствительного материала на основе пан с применением квантово-химических расчетов и метода Монте-Карло
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 8. - С. 34-40: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник-- расчеты квантово-химические--метод монте-карло --материал газочувствительный--моделирование энтропическое --пленки электропроводящие
Аннотация: Проведен расчет димера, тримера и тетрамера молекулы полиакрилонитрила (ПАН) с использованием квантово-химического метода. Проведено моделирование образования молекул ПАН методами Ванга—Ландау и энтропического моделирования Монте-Карло на основе модели с фиксированным валентным углом. Разработана технология получения газочувствительного материала на основе ПАН и Ag-содержащего ПАН. Получены электропроводящие пленки ПАН и Ag-содержащего ПАН методом пиролиза под действием некогерентного ИК излучения
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 38
Автор(ы) : Плеханов В. Г., Журавлева Л. М.
Заглавие : Изотопическое создание полупроводникового графена
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 34-38: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 38 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графен--полуметалл--изотопы--полупроводник--легирование нейтронное трансмутационное
Аннотация: Многочисленными экспериментами показано, что изотопический эффект в твердом теле перенормирует величину запрещенной энергии Eg в широком классе полупроводников и диэлектриков. Механизм этой перенормировки связан с изменением сильного (ядерного) взаимодействия. В настоящей работе впервые описывается изотопическое открытие Eg в полуметалле графене -важном в современной нанонауке материале, для которого характерно дираковское поведение электронов
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 60
Автор(ы) : Дайнеко С. В., Артемьев М. В., Набиев И. Р., Тедорадзе М. Г., Чистяков А. А.
Заглавие : Солнечные ячейки на основе гибридных гетероструктур из органических полупроводников и квантовых точек
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 2-6: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 6 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ячейка солнечная--материалы гибридные--нанокристаллы --фотовольтаика--фотолюминесценция--полупроводник органический
Аннотация: Полупроводниковые квантовые точки (КТ) характеризуются высоким коэффициентом экстинкции, зависимым от размера наночастиц, и дают высокий квантовый выход заряда. КТ имеют высокий коэффициент переноса заряда в органический полупроводник. Описаны разработанные гибридные материалы на основе органического полупроводника полиимида (PI) или поли-(2-метокси-5(2'-этил-гексилокси)-1,4-фениленви-нелен) (MEH-PPV) и КТ CdSe. Эффективность фотовольтаического преобразования оптимизированных структур PI-КТ приближается к лучшим структурам на основе MEH-PPV. Включение КТ в MEH-PPV приводит к дополнительному увеличению фотоэффективности этой системы на 50 %, что открывает новые возможности разработки структур на основе неорганических/органических гибридных материалов со значительно улучшенными фотоэлектрическими свойствами
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-75
Автор(ы) : Назаров Д. В, Осмоловская О. М., Бобрышева Н. П., Смирнов В. М., Мурин И. В.
Заглавие : Особенности фазовых переходов в наноразмерном диоксиде ванадия: магнитные характеристики
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 75-82: рис., табл. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 82 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид ванадия наноразмерный--характеристики магнитные--метод молекулярного наслаивания --матрицы--фппм--температура
Аннотация: Методом молекулярного наслаивания получены образцы чистого и легированного хромом или железом наноразмерного диоксида ванадия различной морфологии на поверхности матриц с различной структурой: аморфном кремнеземе и монокристаллическом кремнии. Образцы охарактеризованы методами фотометрии и магнетохимического анализа. На основании анализа температурных зависимостей магнитных характеристик продемонстрировано наличие в образцах фазового перехода полупроводник-металл (ФППМ) и показано, что его характеристики зависят от типа матрицы, природы и количества легирующего элемента. Температура ФППМ понижается с 340 К (значение, характерное для массивного материала) до 100—180 К в зависимости от состава и строения наших образцов
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621/383/П 89
Автор(ы) : Пустовалов А. А., Цветков Л. А.
Заглавие : Производство радионуклида никеля-63 высокого обогащения — главное условие создания эффективных бета-вольтаических атомных батарей
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 19-24. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (16 назв.)
УДК : 621/383
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радионуклид--никель-63--бета-излучение--атомная батарея--центрифужное разделение--бета-вольтаический эффект--полупроводник--срок службы
Аннотация: Рассмотрены и обоснованы существующие возможности получения в промышленном масштабе высокообогащенного (80—85 %) радионуклида никеля-63 с использованием реальных технологий действующих предприятий отечественной промышленности. Никель-63 — искусственный радионуклид, чистый бета-излучатель со средней энергией бета-излучения 18 кэВ, что позволяет на его основе создавать миниатюрные и безопасные в обращении бета-вольтаические атомные батареи микромилливаттного диапазона мощностей со сроком службы не менее 50 лет для применения в разнообразных приборах и устройствах микросистемной техники
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/К 65
Автор(ы) : Биленко Д. И., Галушка В. В., Мысенко И. Б., Терин Д. В.
Заглавие : Контролируемое in situ получение гибридных структур полупроводник-металл на основе пористого кремняи
Место публикации : Нанотехнологии. Наука и производство. - 2014. - № 2 (29). - С. 44-47. - ISSN 2306-0581. - ISSN 2306-0581
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие
8.

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 91
Автор(ы) : Тутов Е. А.
Заглавие : Адсорбционно-стимулированный фазовый переход полупроводник — металл в диоксиде ванадия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 26-28: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 28 (23 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводник — металл --диоксид ванадия --переход фазовый--терморезистор пленочный--сенсоры--температура
Аннотация: По измерениям температурной зависимости проводимости пленочного терморезистора на основе диоксида ванадия обнаружено повышение температуры фазового перехода полупроводник — металл в VO 2 в атмосфере паров этанола и понижение температуры в парах воды. Проанализированы перспективы использования данного явления в сенсорах
Найти похожие
10.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/М 54
Автор(ы) : Авилов А. С., Волков В. В., Губин С. П., Дьяконова Ю. А., Ермакова М. А., Запорожец М. А., Кузин Ю. А., Марченкова М. А., Митюхляев В. А., Рустамова Е. Г., Сульянов С. Н., Тодуа П. А., Чекрыгина Д. И.
Заглавие : Метрологическое обеспечение измерений размерных параметров наночастиц и тонких пленок методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 30-36: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 36 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наночастицы--пленки тонкие--методы малоугловой рентгеновской дифрактометрии --дифрактометр--сеть нанотехнологическая--полупроводник
Аннотация: Для обеспечения поверки и калибровки малоугловых рентгеновских дифрактометров, находящихся во многих организациях национальной нанотехнологической сети, разработаны новые, простые по исполнению технологические методы синтеза и изготовлены стандартные образцы (СО) на основе наночастиц металлического золота и полупроводниковой окиси цинка размером 2–10 нм. Получены также СО многослойных тонких пленок солей жирных кислот с периодом повторяемости 4.9 нм на твердых подложках. Развит комплекс методик расчета и перекрестной поверки размерных параметров методами дифракционной, высокоразрешающей просвечивающей и аналитической электронной микроскопии, электронографии, рентгенофазовым анализом и с использованием синхротронного излучения. Усовершенствованы методики и программы определения параметров дисперсности наночастиц по данным малоуглового рентгеновского рассеяния от неупорядоченных систем, основанные на устойчивых численных методах решения задачи поиска распределения по размерам. Разработаны программное обеспечение и методики калибровки угловой шкалы малоугловых дифрактометров как по данным рассеяния от стандартных образцов с наночастицами, так и по данным рефлектометрии от образцов многослойных пленок. Разработаны методики первичной обработки данных рентгеновского рассеяния, учитывающие особенности используемого оборудования с целью представления измерений и результатов в едином формате. Приведены примеры калибровки лабораторного малоуглового дифрактометра с помощью разработанных стандартов
Найти похожие
 1-10    11-21   21-21 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика