Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (37)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (66)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (2)Публикации об УрО РАН (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (331)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (6)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (163)Расплавы (51)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ПРОВОДИМОСТЬ<.>)
Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-18 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электропроводящие слои композиционных наноматериалов с многослойными углеродными нанотрубками / Л. П. Ичкитидзе, В. М. Подгаецкий, Б. М. Путря, С. В. Селищев, Е. В. Благов, В. А. Галперин, Ю. П. Шаман, Е. П. Кицюк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 2-4 : рис., табл. - Библиогр.: с. 4 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- МЕТОД ШЕЛКОГРАФИИ -- НАНОТРУБКИ -- НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ -- СУСПЕНЗИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНАЯ ВОДНАЯ -- КРЕМНИЙ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- СЛОИ -- КАРБОКСИМЕТИЛЦЕЛЛЮЛОЗА
Аннотация: Исследована удельная электропроводность слоев композиционных наноматериалов микрометровых размеров, состоящих из карбоксиметилцеллюлозы и многослойных углеродных нанотрубок с различными аспектными отношениями. Ультрадисперсная водная суспензия наносилась методом шелкографии на подложки из покровного стекла и кремния со слоем оксида кремния. Электропроводность измерялась четырехзондовым методом. Для слоев в интервале толщин 0,5...10 мкм наибольшая удельная объемная проводимость составила -350 См/м. Описаны некоторые аспекты увеличения электропроводности под действием лазерного излучения

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 45

   
    Электрические и фотовольтаические свойства наноструктурированных серебро-палладиевых резистивных пленок / Г. М. Михеев, Р. Г. Зонов, А. С. Саушин, Г. А. Дорофеев // Нанотехника. - 2012. - № 4. - С. 28-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (17 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ СЕРЕБРО-ПАЛЛАДИЕВЫЕ -- ТЕМПЕРАТУРА ВЖИГАНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- МАТЕРИАЛ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЙ ПОРИСТЫЙ -- СИГНАЛ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ -- ПЛЕНКИ РЕЗИСТИВНЫЕ -- СВОЙСТВА ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты исследований морфологии, фазового состава, электрических и фотовольтаических свойств наноструктурированных серебро-палладиевых пленок, изготовленных из резистивных паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом при трех различных температурах вжигания 878, 1013 и 1113 K по толстопленочной технологии. Показано, что изготовленные пленки представляют собой наноструктурированный пористый материал и состоят из AgPd, PdO, Ag 3O и Ag 2O, весовые соотношения которых существенно зависят от температуры вжигания. Установлено, что пленки, изготовленные из паст ЛПР-5 Ом и ЛПР-50 Ом, обладают проводимостью n- и p-типа соответственно, и имеют существенно различающиеся значения концентрации носителей заряда, их подвижности, а также удельного сопротивления. Наибольший коэффициент преобразования лазерной мощности в амплитуду фотовольтаического сигнала наблюдается для пленок, изготовленных из резистивной пасты ЛПР-50 Ом при температуре вжигания 878 K

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 14

    Майорова, Т. Л.
    Релаксация фотовозбужденной проводимости в неоднородных пиролитических пленках CdS / Т. Л. Майорова, В. Г. Клюев, М. Фам Тхи Хан // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 103-106 : рис., табл. - Библиогр.: с. 106 (8 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЛЕНКИ CDS -- РЕЛАКСАЦИЯ -- ХАРАКТЕР НЕМОНОЭКСПОНЕНЦИАЛЬНЫЙ -- ЭНЕРГИЯ АКТИВАЦИИ -- ЭЛЕКТРОНЫ ФОТОВОЗБУЖДЕННЫЕ НЕРАВНОВЕСНЫЕ
Аннотация: Кинетика релаксации фотовозбужденной проводимости в пиролитических пленках CdS, как чистых, так и легированных щелочными металлами, носит сложный немоноэкспоненциальный характер и характеризуется набором значений энергий активации, принимающих значения в интервале E a = 0.2—0.4 эВ. При этом в таких сложных и неоднородных системах энергия активации, измеряемая экспериментально, представляет собой сложную функцию, зависящую от времени фотовозбуждения образца и от времени релаксации фототока: E a = E a(t ex, t !ax). Показано, что в процессе рекомбинации неравновесных фотовозбужденных электронов и дырок принимают участие как минимум четыре типа потенциальных барьеров высотой 0.2, 0.28, 0.35 и 0.39 эВ

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 78

   
    Проводимость структур с кремниевыми нанокристаллами в оксидной матрице / П. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 1-2. - С. 118-121 : рис., табл. - Библиогр. : с. 121 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАТРИЦА ОКСИДНАЯ -- НАНОКРИСТАЛЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- ПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: В работе измерены вольт-амперные характеристики и температурные зависимости электропроводности (в области температур T = 210-330 *К) структур, содержащих слои кремниевых нанокристаллов в оксидной матрице. Были исследованы образцы с различным числом слоев и размером нанокристаллов. На основании полученных результатов проанализированы возможные механизмы переноса носителей заряда в исследованных структурах при различных температурах

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53

   
    Полупроводниковые фотопреобразователи координат и углов с отрицательной дифференциальной проводимостью / С. Г. Новиков, Н. Т. Гурин, А. В. Беринцев, В. А. Родионов, А. А. Штанько // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 33-36 : рис. - Библиогр.: с. 36 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ПРОВОДИМОСТЬ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНАЯ ОТРИЦАТЕЛЬНАЯ -- ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Аннотация: Рассмотрены полупроводниковые функциональные фотопреобразователи координат и углов с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), реализованные на основе комбинированного прибора с ОДП и двух типов полупроводниковых координатно-чувствительных фотоприемников — линейной и дуговой геометрической формы. Приведены результаты сравнительных экспериментальных исследований. Указаны возможные области применения

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25

   
    Наноструктурированные полимерные материалы и устройства на их основе // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 1-2. - С. 52-69 : рис., табл. - Библиогр. : с. 69 (43 назв.) . - ISSN 1992-7223
ББК 54
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛИМЕРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- СВЕТОДИОДЫ -- СУПРАМОЛЕКУЛЯРНЫЕ УСТРОЙСТВА

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 58

    Кожушнер, М. А.
    Молекулярный холодильник и термоэлектрические явления в условиях туннельно-резонансной проводимости / М. А. Кожушнер // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 46-51. - Библиогр.: с. 51 (33 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХОЛОДИЛЬНИК МОЛЕКУЛЯРНЫЙ -- ПРОВОДИМОСТЬ ТУНЕНЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНАЯ -- ЯВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- МЕТАЛЛ-МОЛЕКУЛА-МЕТАЛЛ -- ТОК РЕЗОНАНСНЫЙ -- КОЭФФИЦИЕНТ ПЕЛЬТЬЕ -- НАПРЯЖЕНИЕ -- ЭЛЕКТРОД -- КОЭФФИЦИЕНТ ЗЕЕБЕКА
Аннотация: Развита теория термоэлектрических явлений в цепи металл-молекула-металл в случае осуществления резонансной проводимости через молекулу. Показано, что резонансный ток может охлаждать один из электродов при напряжениях, когда резонансный уровень несколько не доходит до уровня Ферми: при электронном резонансе электронный уровень выше уровня Ферми охлаждающегося катода, а при дырочном резонансе дырочный уровень ниже уровня Ферми охлаждающегося анода. Охлаждающий электрод поток энергии пропорционален резонансному току, и каждый электрон тока уносит из соответствующего электрода энергию несколько больше kT. Такой молекулярный холодильник эффективен, пока kT больше, чем полная ширина резонансного уровня. Найдены коэффициенты Пельтье и Зеебека для случая, когда резонансный уровень близок к уровню Ферми уже при нулевом напряжении

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88

   
    Исследование чувствительности нанокристаллического оксида индия с различными размерами нанокристаллов к диоксиду азота / Е. А. Форш [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2012. - № 3-4. - С. 87-90 : табл., рис. - Библиогр. : с. 90 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКРИСТАЛЛЫ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ДИОКСИД АЗОТА -- ОКСИД ИНДИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ПОВЕДЕНИЕ НЕМОНОТОННОЕ
Аннотация: Исследовано влияние адсорбции NO 2 на электрическую проводимость нанокристаллического оксида индия с различным размером нанокристаллов. Чувствительность (отношение проводимостей In 2O 3 до и после адсорбции NO 2) с уменьшением размеров нанокристаллов сначала возрастает, а затем уменьшается. Предложено объяснение наблюдаемого немонотонного поведения чувствительности

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88

   
    Исследование фото-, авто-электронной эмиссии в нанозернах антимонида и арсенида индия / Н. Д. Жуков, Е. Г. Глуховской, Д. Н. Браташов // Нанотехника. - 2013. - № 1. - С. 51-56 : рис., табл. - Библиогр.: с. 56 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЗЕРНА АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- МЕТОД ТУННЕЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ АНТИМОНИДА И АРСЕНИДА ИНДИЯ -- ЭМИССИЯ НИЗКОПОЛЕВАЯ -- ЯВЛЕНИЯ КУЛОНОВСКОЙ БЛОКАДЫ -- ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ -- ПРОВОДИМОСТЬ
Аннотация: Характеристики поля (автоэлектронной) эмиссии от нанозерен антимонида индия и арсенида узкозонных полупроводников были изучены методом туннельной микроскопии. Кулоновской блокады и низкий полевые явления выбросов были обнаружены и объяснены. Повышенная чувствительность фото было замечено для собственных полупроводников проводимости. Это делает их перспективным с точки зрения использования их в качестве ИК фото autocathodes

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Г 16

    Галушка, В. В.
    Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии / В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42 : граф. - Библиогр.: с. 42 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
544.6
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАССОПЕРЕНОС -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- AGI-AG -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS > 10 4

Найти похожие
 1-10    11-18 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика