Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 58
Автор(ы) : Маторин Д. Н., Каратеева А. В., Осипов В. А., Лукашев Е. П., Сейфуллина Н. Х., Рубин А. Б.
Заглавие : Влияние углеродных нанотрубок на параметры флуоресценции хлорофилла зеленой водоросли chlamydomonas reinhardtii
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 71-76: табл., рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр. : с. 76 (34 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотрубки углеродные--водоросли зеленые--параметры флуоресценции хлорофилла
Аннотация: Показано, что углеродные нанотрубки могут снижать скорость развития культуры водорослей Chlamydomonas reinhardtiia существенно изменять параметры флуоресценции хлорофилла, отражающие первичные процессы запасания световой энергии в фотосинтезе. Наблюдалось снижение квантового выхода фотохимического превращения световой энергии в фотосинтезе и относительной скорости нециклического электронного транспорта, рассчитанного по параметрам флуоресценции. С использованием метода замедленной флуоресценции показано ингибирование электрохимического градиента протонов, участвующего в синтезе АТФ. Делается вывод о перспективности использования высокочувствительных флуоресцентных методов для оценки токсикологического действия современных наноматериалов на водные объекты. Аббревиатура: ФС 2 - фотосистема 2; Е (ФАР) - фотосинтетически активная радиация, освещенность (мкЕ/(м2с); Fo, Fm - фоновая и максимальная флуоресценция адаптированных к темноте клеток; Fv/Fm - максимальный квантовый выход ФС 2, где Fv = Fm-Fo; Fm' - максимальная флуоресценция клеток на свету; Y (ФфС2) - эффективный квантовый выход ФС 2, где Y = (Fm'-Ft)/Fm'; Ft - амплитуда флуоресценции на свету перед интенсивной вспышкой; rETR - относительная скорость электронного транспорта при данной интенсивности света; а - параметр, характеризующий максимальную утилизацию световой энергии в зависимости от ФАР; ЗФ - замедленная флуоресценция; SW, MW - одностенные и многостенные углеродные трубки
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Г 87
Автор(ы) : Громов Д. В., Матвеев Ю. А., Федоров Ю. В.
Заглавие : Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 39-48: табл., рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 48 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов
Найти похожие

Вид документа :
Шифр издания : 621.317/Д 20
Автор(ы) : Бараночников М. Л., Леонов А. В., Малых А. А., Мордкович В. Н., Мурашев В. Н., Пажин Д. М.
Заглавие : Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 621.317
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): датчик--преобразование воздействие-частота--кремний-на-изоляторе
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе
Найти похожие

Описание базы данных

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)