Поисковый запрос: (<.>K=РЕШЕНИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 32
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Росляков А. С. Исследование возможности создания низкопотребляющих СФ блоков для решения конечно-разностных уравнений в преобразованиях низкочастотных сигналов/А. С. Росляков // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 6.-С.10-11
|
2.
| Вишнеков А. В. Проектирование систем-на-кристалле: выбор базовой технологии изготовления кристалла/А. В. Вишнеков, В. В. Ерохин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 4.-С.51-56
|
3.
| Афонин С. М. Решение волнового уравнения в задачах электромагнитоупругости для актюаторов нанои микроперемещений/С. М. Афонин // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 2.-С.26-32
|
4.
| Вишнеков А. В. Автоматизация процедуры выбора микроконтроллера/А. В. Вишнеков, В. В. Ерохин, Е. М. Иванова // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 7.-С.14-21
|
5.
| Фадеев М. Решения для высококачественного анализа микро- и наноструктур/М. Фадеев // Наноиндустрия, 2014. т.№ 1(47).-С.26-32
|
6.
| Конструкция чувствительных элементов на малые давления с повышенной перегрузочной способностью /Н. С. Землянников, Н. Л. Данилова, В. В. Панков, В. С. Суханов, Р. О. Гаврилов, Ю. А. Михайлов // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 6.-С.8-10
|
7.
| Прокофьев И. В. Комплексирование магнитоинерциальных и спутниковых систем навигации для систем мониторинга параметров движения транспорта /И. В. Прокофьев, В. С. Суханов // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 6.-С.47-48
|
8.
| Елесин В. Ф. Переходные процессы в резонансно-туннельном диоде с учетом межэлектронного взаимодействия /В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. Ю. Сукочев // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.81-84
|
9.
| Елесин В. Ф. Влияние уровня в спейсере эмиттера на пиковый ток резонансно-туннельного диода /В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.85-88
|
10.
| Спирин В. Г. Проблемы создания микросборок высокой плотности упаковки /В. Г. Спирин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 8.-С.17-20
|
|
|