Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика