Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Т 38
Автор(ы) : Ефремов А. М., Светцов В. И., Пивоваренок С. А., Дунаев А. В.
Заглавие : Технология плазменного наноразмерного травления металлов и полупроводников в бинарных хлорсодержащих газовых смесях
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 2 . - С. 77-81: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 81 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): травления металлов и полупроводников--смеси газовые хлорсодержащие--производство имс
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная газоразрядная плазма (ННГП) в среде хлорсодержащих газов применяется при проведении процессов «сухого» травления и очистки поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС в тех случаях, когда использование жидкостных методов ограничивается высокими требованиями к чистоте, разрешению и воспроизводимости процесса [1, 2]. В качестве плазмообразующих сред традиционно использовались СС14, BCl3 и SiCl4, существенным недостатком которых является полимеризация и/или высаживание ненасыщенных продуктов плазмохимических реакций на внутренней поверхности реактора и обрабатываемого материала. Молекулярный хлор свободен от этих недостатков, однако его применение также осложнено рядом причин. Во-первых, это высокая коррозионная активность по отношению к конструкционным материалам технологического оборудования, неудобства хранения и транспортировки [1, 3]. Во-вторых, при характерных режимах работы промышленных плазмохимических реакторов ННГП в хлоре характеризуется высокими степенями диссоциации молекул CI2, что не позволяет достигать высокой анизотропии процесса. В то же время, последний параметр является актуальным при переходе к субмикронным технологиям в производстве ИМС
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 37
Автор(ы) : Пивоваренок С. А., Дунаев А. В., Ефремов А. М., Светцов В. И.
Заглавие : Плазменное наноразмерное травление GaAs в хлоре и хлороводороде
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 69-71: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 71 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Неравновесная низкотемпературная плазма хлора и хлороводорода применяется в технологии микро- и наноэлектроники для очистки и «сухого» травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев ИМС. Одним из важных процессов здесь является формирование топологического рельефа на поверхности GaAs, который является одним из самых перспективных материалов электроники будущего. Причины этого заключаются в сочетании большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда, что позволяет создавать на основе GaAs широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов. Кроме этого, GaAs является основным материалом квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе AlGaAs [1]
Найти похожие

Описание базы данных

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)