Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Пономарев Д. С. Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия /Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 3.-С.14-17
|
2.
| Хабибуллин Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия /Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 1.-С.6-8
|
3.
| Сеничкин А. П. Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия /А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 11.-С.52-54
|
4.
| Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники/О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 10.-С.12-15
|
5.
| Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн/А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Г. Б. Галиев // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 8.-С.28-31
|
6.
| Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста/Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, Ю. В. Федоров, А. С. Бугаев // Нано- и микросистемная техника, 2014. т.№ 6.-С.28-29
|
7.
| От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ метолом ленгмюра-блоджетт/С. И. Голоудина, П. П. Карагеоргиев, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта // Нано- и микросистемная техника, 2013. т.№ 12.-С.34-38
|
8.
| Мустафаев Ар. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии/Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.44-46
|
9.
| Белкин М.Е. Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции/М. Е. Белкин, М. Г. Васильев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.23-33
|
10.
| Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур/Б. Н. Звонков [и др.] // Нанотехника, 2008. т.№ 1.-С.32-43
|
|
|