Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1.
| Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур/Б. Н. Звонков [и др.] // Нанотехника, 2008. т.№ 1.-С.32-43
|
2.
| Белкин М.Е. Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции/М. Е. Белкин, М. Г. Васильев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.23-33
|
3.
| Мустафаев Ар. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии/Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.44-46
|
4.
| Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области /Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии , 2011. т.№ 12.-С.8-11
|
5.
| Сеничкин А. П. Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия /А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии , 2011. т.№ 12.-С.11-12
|
6.
| Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs /Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 12.-С.16-19
|
7.
| Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент /Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.21-24
|
8.
| Сеничкин А. П. Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия /А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 11.-С.52-54
|
9.
| Хабибуллин Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия /Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 1.-С.6-8
|
10.
| Пономарев Д. С. Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия /Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 3.-С.14-17
|
|
|