Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (5)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (1)Расплавы (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.

Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур/Б. Н. Звонков [и др.] // Нанотехника, 2008. т.№ 1.-С.32-43
2.

Белкин М.Е. Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции/М. Е. Белкин, М. Г. Васильев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.23-33
3.

Мустафаев Ар. Г. Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии/Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 9.-С.44-46
4.

Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области /Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии , 2011. т.№ 12.-С.8-11
5.

Сеничкин А. П. Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия /А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии , 2011. т.№ 12.-С.11-12
6.

Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs /Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 12.-С.16-19
7.

Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент /Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2011.-С.21-24
8.

Сеничкин А. П. Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия /А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 11.-С.52-54
9.

Хабибуллин Р. А. Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия /Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 1.-С.6-8
10.

Пономарев Д. С. Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия /Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 3.-С.14-17
 1-10    11-14 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика