Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (5)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (1)Расплавы (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Б 43

    Белкин, М. Е.
    Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции [Текст] / М. Е. Белкин, М. Г. Васильев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 23-33 : рис. - Библиогр.: с. 32-33 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЛАЗЕРНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЗАРАЩИВАНИЕ ПОЛУИЗОЛЯТОРОМ -- ВАТТ-АМПЕРНАЯ И ЧАСТОТНО-МОДУЛЯЦИОННАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88

   
    Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области / Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАМОРФНЫЕ -- БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- СВЕРХРЕШЕТКИ РАССОГЛАСОВАННЫЕ -- СВЕРХРЕШЕТКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 17

   
    Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур [Текст] / Б. Н. Звонков [и др.] // Нанотехника. - 2008. - № 1. - С. 32-43 : рис., табл. - Библиогр.: с. 42-43 (30 назв.)
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- СПИНТРОНИКА

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 54

   
    Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники / О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382.323
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕРАГЕРЦОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- МЕТАМОРФНЫЙ БУФЕР -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74

   
    Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 91

    Мустафаев, Ар. Г.
    Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-80

   
    От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ метолом ленгмюра-блоджетт / С. И. Голоудина, П. П. Карагеоргиев, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 12. - С. 34-38. - Библиогр.: с. 38 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.315.592
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТТ -- ЭПИТАКСИЯ -- ФОСОФОЛИПИДЫ -- СТЕАРИНОВАЯ КИСЛОТА
Аннотация: Пленки органического вещества гексадецилфосфатидилхолина — аналога фосфолипида, входящего в оболочку клеточных мембран, наследуют структуру пленки Ленгмюра—Блоджетт стеариновой кислоты, что свидетельствует о возможности эпитаксии органических молекул на поверхности твердого субстрата.

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 44

   
    Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24 : рис., табл. - Библиогр. : с. 24 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 56

    Пономарев, Д. С.
    Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия / Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17 : рис. - Библиогр.: с. 17 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕ-КУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- А3В5 -- ДИАГРАММЫ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17

   
    Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн / А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Г. Б. Галиев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31 : рис., табл. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382.323
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- АЗВ5 -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц

Найти похожие
 1-10    11-14 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика