Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>) |
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
| Инвентарный номер: нет.
Л 17
Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур [Текст] / Б. Н. Звонков [и др.] // Нанотехника. - 2008. - № 1. - С. 32-43 : рис., табл. - Библиогр.: с. 42-43 (30 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- СПИНТРОНИКА
Найти похожие
|
2.
| Инвентарный номер: нет.
Б 43
Белкин, М. Е.
Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции [Текст] / М. Е. Белкин, М. Г. Васильев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 23-33 : рис. - Библиогр.: с. 32-33 (10 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЛАЗЕРНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- ЛАЗЕРНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ -- ЭПИТАКСИЯ -- ЗАРАЩИВАНИЕ ПОЛУИЗОЛЯТОРОМ -- ВАТТ-АМПЕРНАЯ И ЧАСТОТНО-МОДУЛЯЦИОННАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Найти похожие
|
3.
| Инвентарный номер: нет.
М 91
Мустафаев, Ар. Г.
Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии [Текст] / Ар. Г. Мустафаев, Аб. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НА САПФИРЕ -- ЭПИТАКСИЯ ИЗ ТВЕРДОЙ ФАЗЫ -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ПЛОТНОСТЬ ДЕФФЕКТОВ
Найти похожие
|
4.
| Инвентарный номер: нет.
И 88
Использование метаморфной технологии для получения hemt-наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках GaAs и InP с различным содержанием InAs в активной области / Г. Б. Галиев [и др.] // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (23 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ МЕТАМОРФНЫЕ -- БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- СВЕРХРЕШЕТКИ РАССОГЛАСОВАННЫЕ -- СВЕРХРЕШЕТКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены MHEMT-наногетероструктуры InyAl1-yAs/InyGa1-yAs с различным содержанием InAs в активной области (около 40 % и более 70 %) на подложках GaAs и InР. Метаморфный буфер InxAl1-xAs варьировался по толщине и по составу с неизменным линейным законом возрастания x по толщине, а также был подвергнут модификации с помощью введения в него напряженных сверхрешеток. Показано, что путем выбора конструкции метаморфного буфера можно в наногетероструктурах на подложках GaAs добиться значений подвижности и концентрации двумерного электронного газа в квантовой яме InGaAAs, сравнимых со значениями в наногетероструктурах на подложках InР
Найти похожие
|
5.
| Инвентарный номер: нет.
С 31
Сеничкин, А. П.
Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей
Найти похожие
|
6.
| Инвентарный номер: нет.
М 74
Моделирование зонной диаграммы и расчет эффективной массы электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нанослоями GaAs/InAs / Д. С. Пономарев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 16-19 : рис., табл. - Библиогр. : с. 19 (5 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ ТИПА А3В5
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InР с составной квантовой ямой (КЯ) InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова - де Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m*с с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в КЯ нановставками InAs позволяет уменьшить m*с на 26 % по сравнению с КЯ In0,53Ga0,47As
Найти похожие
|
7.
| Инвентарный номер: нет.
П 44
Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24 : рис., табл. - Библиогр. : с. 24 (6 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЧ ЭЛЕКТРОНИКА -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К
Найти похожие
|
8.
| Инвентарный номер: нет.
С 31
Сеничкин, А. П.
Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 52-54 : рис. - Библиогр.: с. 54 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: Обнаружены особенности вольт-амперных характеристик, измеряемых в направлениях вдоль и поперек системы нанонитей атомов олова, расположенных в одной плоскости, встроенной в кристалл GaAs. при измерениях тока вдоль нанонитей в сильных электрических полях обнаружен перегиб электрического тока перед его насыщением; при измерениях тока поперек нанонитей в сильных электрических полях после насыщения тока возникает его нестабильность
Найти похожие
|
9.
| Инвентарный номер: нет.
Х 12
Хабибуллин, Р. А.
Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия / Р. А. Хабибуллин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8 : рис. - Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- СЛОЙ БАРЬЕРНЫЙ ПОДЗАТВОРНЫЙ ТОНКИЙ
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
|
10.
| Инвентарный номер: нет.
П 56
Пономарев, Д. С.
Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия / Д. С. Пономарев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17 : рис. - Библиогр.: с. 17 (12 назв.)
. - ISSN 1813-8586ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ТРАНЗИСТОР ПОЛЕВОЙ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕ-КУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ -- А3В5 -- ДИАГРАММЫ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных