Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (5)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (1)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (2)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (1)Расплавы (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭПИТАКСИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 14
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-14 
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 56
Автор(ы) : Пономарев Д. С.
Заглавие : Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 17 (12 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктуры--транзистор полевой с затвором шоттки--эпитаксия моле-кулярно-лучевая--а3в5--диаграммы наногетероструктур
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Х 12
Автор(ы) : Хабибуллин Р. А.
Заглавие : Технология создания наногетероструктур AL xGa 1 – xAs/In yGA 1 – yAs/Al xGa 1 – xAs на арсениде галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 6-8: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 8 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзистор полевой --эпитаксия молекулярно-лучевая--наноэлектроника--наногетероструктура--слой барьерный подзатворный тонкий
Аннотация: Представлены разработка и исследование перспективного материала для наноэлектроники — наногетероструктур с приповерхностными квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьерным слоем. Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц.
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/С 31
Автор(ы) : Сеничкин А. П., Бугаев А. С., Ячменев А. Э.
Заглавие : Особенности вольт-амперных характеристик системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 52-54: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 54 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нити квантовые--проволоки квантовые--наноструктуры--эпитаксия молекулярно-лучевая
Аннотация: Обнаружены особенности вольт-амперных характеристик, измеряемых в направлениях вдоль и поперек системы нанонитей атомов олова, расположенных в одной плоскости, встроенной в кристалл GaAs. при измерениях тока вдоль нанонитей в сильных электрических полях обнаружен перегиб электрического тока перед его насыщением; при измерениях тока поперек нанонитей в сильных электрических полях после насыщения тока возникает его нестабильность
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/М 54
Автор(ы) : Рубан О. А., Пушкарев С. С., Галиев Г. Б., Климов Е. А., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П.
Заглавие : Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 15 (9 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): терагерцовое излучение--метаморфный буфер--наногетероструктуры--молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/Р 17
Автор(ы) : Ячменев А. Э., Бугаев А. С., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б.
Заглавие : Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 28-31: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 31 (6 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--азв5--молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Экспериментально исследована серия метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с различным содержанием индия в метаморфном буферном слое (0,30...0,55). Разработан полевой транзистор с барьером Шоттки с периферией 2 ´ 50 мкм, длиной затвора 0,53 мкм и предельной частотой усиления по мощности f max = 200 ГГц
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323/Р 17
Автор(ы) : Галиев Г. Б., Климов Е. А., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Галиев Р. Р., Пономарев Д. С., Хабибуллин Р. А., Федоров Ю. В., Бугаев А. С.
Заглавие : Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29: граф., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (3 назв.)
УДК : 621.382.323
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктура--а3в5--генерация и детектирование терагерцового излучения--молекулярно-лучевая эпитаксия--низкотемпературный арсенид галлия
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Разработаны и изготовлены антенны с различной топологией с максимальной частотой генерации ~2 ТГц
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592/О-80
Автор(ы) : Голоудина С. И., Карагеоргиев П. П. , Лучинин В. В., Пасюта В. М.
Заглавие : От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ метолом ленгмюра-блоджетт
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 12. - С. 34-38. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 38 (8 назв.)
УДК : 621.315.592
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): метод ленгмюра-блоджетт--эпитаксия--фософолипиды--стеариновая кислота
Аннотация: Пленки органического вещества гексадецилфосфатидилхолина — аналога фосфолипида, входящего в оболочку клеточных мембран, наследуют структуру пленки Ленгмюра—Блоджетт стеариновой кислоты, что свидетельствует о возможности эпитаксии органических молекул на поверхности твердого субстрата.
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Ар. Г., Мустафаев Аб. Г.
Заглавие : Влияние накопленной дозы излучения на КМОП-транзисторы, изготовленные по КНС-технологии
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 44-46: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 46 (7 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний на сапфире--эпитаксия из твердой фазы--радиационная стойкость--плотность деффектов
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М.Е., Васильев М.Г.
Заглавие : Полупроводниковые лазерные излучатели с высоким произведением средней мощности на полосу модуляции
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 9. - С. 23-33: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 32-33 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазерная гетероструктура--лазерный излучатель--эпитаксия--заращивание полуизолятором--ватт-амперная и частотно-модуляционная характеристики
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 17
Автор(ы) : Звонков Б. Н., Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Демина П. Б., Кудрин А. В., Лесников В. П., Подольский В. В.
Заглавие : Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур
Место публикации : Нанотехника. - 2008. - № 1. - С. 32-43: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 42-43 (30 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): газофазная эпитаксия--спинтроника
Найти похожие
 1-10    11-14 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика