Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (4)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (22)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (4)Изобретения уральских ученых (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (54)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (3)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (6)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (31)Расплавы (51)Публикации Чарушина В.Н. (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=HF<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 94


   
    Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоника металлоценовых комплексов металлов подгруппы титана / Г. В. Лукова, В. П. Васильев , В. А. Смирнов, Е. Е. Мельничук // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 96-102 : табл., рис. - Библиогр.: с. 102 (19 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА СПЕКТРАЛЬНО-ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ -- КОМПЛЕКСЫ МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИЕ TI, ZR, HF -- ЛИГАНДЫ АРОМАТИЧЕСКИЕ -- СОСТОЯНИЯ ФОСФОРЕСЦЕНТНЫЕ ВЫСОКОИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ -- ПЗЛМ -- МЕТАЛЛОКОМПЛЕКС
Аннотация: Рассмотрены основные спектрально-люминесцентные свойства металлоорганических комплексов Ti, Zr, Hf с ароматическими лигандами. Данный класс соединений обладает высокоизлучательными фосфоресцентными состояниями с переносом заряда с лиганда на металл (ПЗЛМ). Обсужден линейный характер зависимости фосфоресцентных характеристик цирконоцена от параметров, описывающих структуру молекул органической среды, а также природу координационных (внутрисферных или внешнесферных) взаимодействий фосфоресцентного металлокомплекса с молекулами среды

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика