Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 28
Автор(ы) : Еганова Е. М.
Заглавие : Электропроводность стеклообразных пленок As2Se3
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 23-25: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 25 (3 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки as2se3--электропроводность--микроплазма
Аннотация: Представлены результаты наблюдения микроплазм в пленках As2Se3, одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), и исследования их свойств. Некоторые свойства микроплазм в аморфных пленках аналогичны свойствам микроплазм в p-n-переходах, однако имеются и отличия, которые не наблюдались в кристаллических материалах
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Е 28
Автор(ы) : Еганова Е. М., Воронков Э. Н.
Заглавие : Электрические свойства халькогенидных пленок, содержащих наночастицы золота
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - №12. - С. 15-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с.17 (2 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники халькогенидные стеклообразные--наночастицы--золото--электропроводность
Аннотация: Приведены результаты изучения электрических характеристик пленок As2Se3, содержащих наночастицы золота. Экспериментам предшествовал предварительный расчет зависимости электропроводности от объемного содержания наночастиц на основе стандартных моделей, используемых для композитных материалов. При сравнении экспериментальных данных с расчетными обнаружены значительные расхождения, которые указывают на взаимодействие структурной матрицы с внедренными наночастицами
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Численное моделирование микроплазменного пробоя в полупроводниковых структурах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 26-29: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 29 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование численное--структуры полупроводниковые--микроплазма--пробой--проводники--электропроводность--пленки аморфные
Аннотация: Сообщается о численном моделировании микроплазм в неупорядоченных полупроводниковых структурах при условиях, аналогичных условиям возникновения микроплазменного пробоя в пленках As 2 Se 3 — одного из широкозонных халькогенидных стеклообразных полупроводников. Предложена модель, позволяющая описать процесс микроплазменного пробоя в аморфных пленках
Найти похожие

Описание базы данных

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)