Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (114)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-24 
1.
Инвентарный номер: U-11854 - кх.
   666.1
   M 39


   
    Materials Issues in Novel Si-Based Technology [Text] : symposium held November 26-28, 2001, Boston, Massachusetts, USA / ред. W. G. En, ред. E. C. Jones, ред. J. C. Sturm. - Boston : [s. n.], [2002]. - XI, 280 с. : ил. - (Materials Research Society. Symposium Proceedings ; vol. 686). - Библиогр. в конце ст. - Указ.: с. 275-280. - ISBN 1-55899-622-2 : 3105.00 р.
ББК 666.174.2я431(0) + 539.292я431(0)
РУБ 666.1
Рубрики: ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ--ТЕХНОЛОГИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ--КОНФЕРЕНЦИИ
   ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- СИЛИКОНЫ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- СОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16


    Абрамов, И. И.
    Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe / И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18 : рис. - Библиогр. : с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЧИСЛЕННОЕ -- ДИОД РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ -- МОДЕЛЬ ДВУХЗОННАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 55


    Вишневский, А. С.
    Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 38


   
    Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17


    Зайцев, Н. А.
    Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 35


   
    Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии формирования изолированных блоков в пластине кремния / О. В. Морозов, А. В. Постников, И. И. Амиров, В. А. Кальнов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 15-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (24 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОМЕХАНИКА -- ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ ТЕРМИЧЕСКОЕ -- ПРИВОД ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ГРЕБЕНЧАТЫЙ -- DRIE
Аннотация: Представлен новый способ изготовления микроэлектромеханических устройств на основе формирования изолированных блоков SiO2 в пластине Si. Технология изготовления включает процессы двустороннего глубокого анизотропного травления Si и глубокого его окисления для получения изолированных областей SiO2. Применимость предложенного способа показана на примере изготовления микроактюатора с электростатическим гребенчатым приводом

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 39


   
    Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния / Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88 : табл. - Библиогр. : с. 88 (31 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, ^50 = 70 нм; альфа-форма, ^50 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, ^50 = 200 нм; нитрид, Si3N4, ^50 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 84


    Крушенко, Г. Г.
    Применение нанопорошка нитрида титана с целью получениясложнонагруженных литых деталейиз алюминиево-кремниевых сплавовс требуемыми механическими свойствами [] / Г. Г. Крушенко, М. Н. Фильков // Нанотехника. - 2008. - № 3. - С. 77-79. - Библиогр.: с. 79 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 90


    Кульчицкий, Н. А.
    Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- CDTE -- СЕЛЕНИД МЕДИ-ИНДИЯ -- КРЕМНИЙ АМОРФНЫЙ
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 93


    Курганская, Л. В.
    Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне [] / Л. В. Курганская // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (4 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСТРУКТУРА n-Sic/p-Si -- РАДИОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- 8-МИЛЛИМЕТРОВЫЙ СВЧ-ДИАПАЗОН

Найти похожие

 1-10    11-20   21-24 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика