Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (114)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)Библиометрия (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданияпредм. рубрике
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-24 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI)
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 35

   
    Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии формирования изолированных блоков в пластине кремния / О. В. Морозов, А. В. Постников, И. И. Амиров, В. А. Кальнов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 15-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (24 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОМЕХАНИКА -- ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ ТЕРМИЧЕСКОЕ -- ПРИВОД ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ГРЕБЕНЧАТЫЙ -- DRIE
Аннотация: Представлен новый способ изготовления микроэлектромеханических устройств на основе формирования изолированных блоков SiO2 в пластине Si. Технология изготовления включает процессы двустороннего глубокого анизотропного травления Si и глубокого его окисления для получения изолированных областей SiO2. Применимость предложенного способа показана на примере изготовления микроактюатора с электростатическим гребенчатым приводом

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81

   
    Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием / Б. М. Румянцева, Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, В. И. Берендяев, С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. П. Зубов, А. А. Ольхов, Г. В. Фетисов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 35-41 : рис., табл. - Библиогр.: с. 41 (14 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКОМПОЗИТЫ ПОЛИМЕРНЫЕ -- НАНОКРЕМНИЙ -- КАТИОН-РАДИКАЛЫ -- АНИОН-РАДИКАЛЫ -- ВЫХОД ФОТОГЕНЕРАЦИИ КВАНТОВЫЙ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ
Аннотация: Электрофотографическим методом исследованы фотоэлектрические характеристики пленок вновь синтезированных полиимидов (ПИ) на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а также их композитов с нанокристаллическим кремнием (nc-Si). Обнаружена фотоэлектрическая чувствительность (ФЭЧ) пленок исследованных ПИ как в УФ, так и в видимой областях спектра. Показано, что наблюдаемая ФЭЧ обусловлена ЭДА взаимодействием с переносом заряда между донорными и акцепторными фрагментами цепей ПИ, т.е. электронных Д-А комплексов с переносом заряда (КПЗ), а механизмом фотогенерации является термополевая диссоциация ион-радикальных пар, кинетически связанных с возбужденным КПЗ. Вторым механизмом фотогенерации является фотостимулирование долгоживущих стабилизированных катион-радикалов донорных фрагментов ПИ, представляющих собой дырки (основные носители), захваченные глубокими центрами (фотостимулированные токи). Для ПИ, содержащих nc-Si, наблюдается резкое увеличение эффективного квантового выхода фотогенерации при низких значениях напряженности поля (E < 10 5 В/см), что возможно объяснить уменьшением эффективности сбора носителей заряда, обусловленной уменьшением длины миграции дырок. Уменьшение длины миграции носителей заряда при добавлении nc-Si свидетельствует о том, что наночастицы являются центрами захвата дырок в композитном материале. Частицы nc-Si проявляют электроно-донорные свойства и, являясь более эффективными центрами захвата дырок, способствуют стабилизации и накоплению катион-радикалов

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   Э 47

   
    Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 / В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛИПСОМЕТРИЯ -- ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНОЙ В СИСТЕМЕ "ПЛЕНКА - ПОДЛОЖКА"
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74

    Мозалев, А. М.
    Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 39

   
    Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния / Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88 : табл. - Библиогр. : с. 88 (31 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- АЛЮМИНИЙ -- КРЕМНИЙ -- НАНОЧАСТИЦЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, ^50 = 70 нм; альфа-форма, ^50 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, ^50 = 200 нм; нитрид, Si3N4, ^50 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 27

    Латохин, Д. В.
    Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках / Д. В. Латохин, А. В. Коновалов, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11 : рис., табл. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- ПЛЕНКИ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 90

    Кульчицкий, Н. А.
    Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики / Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37 (14 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ СОЛНЕЧНЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- CDTE -- СЕЛЕНИД МЕДИ-ИНДИЯ -- КРЕМНИЙ АМОРФНЫЙ
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 59

   
    Микроструктура границ раздела в гетеросистемах / А. Л. Васильев, В. В. Роддатис, М. Ю. Пресняков, А. С. Орехов, С. Лопатин, В. И. Бондаренко, М. В. Ковальчук // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46 : рис. - Библиогр.: с. 46 (30 назв.) . -
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСИСТЕМЫ -- МИКРОСКОПИЯ РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ -- МИКРОАНАЛИЗ ЭНЕРГОДИСПЕРСИОННЫЙ РЕНТГЕНОВСКИЙ -- МЕХАНИЗМОВФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 17

   
    Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния нанокристаллического кремния / А. О. Рыбаотовский, В. Н. Баграташвили, А. А. Ищенко, Н. В. Минаев, Н. Н. Кононов, С. Г. Дорофеев, А. А. Крутикова, А. А. Ольхов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 96-101 : рис. - Библиогр.: с. 101 (18 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ -- ЭФФЕКТЫ ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ -- СПЕКТРЫ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ -- МЕТОД КР СПЕКТРОСКОПИИ -- ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНЫЕ -- ЧАСТИЦЫ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (НК-SI) -- МОНОСИЛАН
Аннотация: Методом КР спектроскопии впервые проведены исследования процессов воздействия непрерывного лазерного излучения с длиной волны 532 нм на частицы нанокристаллического кремния (нк-Si), полученного методом лазерного пиролиза моносилана. Установлено, что воздействие достаточно мощного излучения (10 5-10 6 Вт/см 2) вызывает значительные изменения состояния нк-Si, которые связаны с развитием термоокислительных процессов на воздухе, приводящих к сложному характеру изменения параметров полосы КР, принадлежащей нк-Si. С использованием СКФ импрегнации в среде СК—CO 2 реализован процесс матричного внедрения частиц нк-Si в микрочастицы полиэтилена низкой плотности. Установлено, что воздействие лазерного излучения на частицы нк-Si в полимерной матрице начинает проявляться в виде изменения полосы КР при плотностях мощности, значительно больших, чем в случае чистого порошка нк-Si

Найти похожие
 1-10    11-20   21-24 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика