Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (114)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-24 
1.
Инвентарный номер: U-11854 - кх.
   666.1
   M 39


   
    Materials Issues in Novel Si-Based Technology [Text] : symposium held November 26-28, 2001, Boston, Massachusetts, USA / ред. W. G. En, ред. E. C. Jones, ред. J. C. Sturm. - Boston : [s. n.], [2002]. - XI, 280 с. : ил. - (Materials Research Society. Symposium Proceedings ; vol. 686). - Библиогр. в конце ст. - Указ.: с. 275-280. - ISBN 1-55899-622-2 : 3105.00 р.
ББК 666.174.2я431(0) + 539.292я431(0)
РУБ 666.1
Рубрики: ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ--ТЕХНОЛОГИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ--КОНФЕРЕНЦИИ
   ФИЗИКА--ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- СИЛИКОНЫ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- СОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ (ИССЛЕДОВАНИЯ) -- ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИЕ

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Оптические спектры пленок BiPS4 на стекле и Si при фазовых переходах [Текст] / Т. П. Мясникова [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 22-24 : граф. - Библиогр.: с. 24 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКИ -- ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД -- СТЕКЛО

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 93


    Курганская, Л. В.
    Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне [] / Л. В. Курганская // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40 : рис. - Библиогр.: с. 40 (4 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСТРУКТУРА n-Sic/p-Si -- РАДИОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ -- 8-МИЛЛИМЕТРОВЫЙ СВЧ-ДИАПАЗОН

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 84


    Крушенко, Г. Г.
    Применение нанопорошка нитрида титана с целью получениясложнонагруженных литых деталейиз алюминиево-кремниевых сплавовс требуемыми механическими свойствами [] / Г. Г. Крушенко, М. Н. Фильков // Нанотехника. - 2008. - № 3. - С. 77-79. - Библиогр.: с. 79 (9 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62


   
    Оптические свойства наноструктурированных пленок a-C:H:Si / В. Д. Фролов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 138-143 : рис. - Библиогр. : с. 143 (25 назв.) . - ISSN 1195-078
ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПЛЕНКИ -- ЗОНДОВЫЙ МИКРОСКОП -- КЛАСТЕРНАЯ СТРУКТУРА

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17


    Зайцев, Н. А.
    Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 38


   
    Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44 : рис. - Библиогр. : с. 44 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДЕТЕКТОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ -- ТОЧКИ КВАНТОВЫЕ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Нанокристаллический кремний, полученный из SiO / С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11 : рис., табл. - Библиогр. : с. 11 (50 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЙ НАНОКРИСТАЛИЧЕСКИЙ -- СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 73


   
    ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. / С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21 : рис. - Библиогр. : с. 21 (11 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОСТРУКТУР МАГНИТНЫЕ -- НАНОПЛЕНКИ АМОРФНЫЕ МУЛЬТИСЛОЙНЫЕ -- КРЕМНИЙ -- СИЛИЦИДЫ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 68


   
    Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАНИЦА РАЗДЕЛА -- МДП-СТРУКТУРА -- HiGH-K DIELECTRICS
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл

Найти похожие

 1-10    11-20   21-24 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика