Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (28)Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (11)Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН (1)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (96)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (70)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (27)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (26)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (114)Расплавы (235)Публикации Черешнева В.А. (1)Публикации Чарушина В.Н. (2)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>)
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-24 
1.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 666.1/M 39
Заглавие : Materials Issues in Novel Si-Based Technology : symposium held November 26-28, 2001, Boston, Massachusetts, USA
Выходные данные : Boston: [s. n.], [2002]
Колич.характеристики :XI, 280 с.: ил.
Серия: Materials Research Society. Symposium Proceedings; vol. 686
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Указ.: с. 275-280
ISBN, Цена 1-55899-622-2: 3105.00 р.
ББК : 666.174.2я431(0) + 539.292я431(0)
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ-- ТЕХНОЛОГИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ
ФИЗИКА-- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры (исследования)--силиконы (исследования)--соединения кремнийорганические (исследования)--химическая технология кремнийорганических соединений--полупроводники кремнийорганические
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Мясникова Т. П., Гершанов В. Ю., Захарченко И. Н., Гармашов С. И.
Заглавие : Оптические спектры пленок BiPS4 на стекле и Si при фазовых переходах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 22-24: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--фазовый переход--стекло
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.3/К 93
Автор(ы) : Курганская Л. В.
Заглавие : Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 40 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура n-sic/p-si --радиоэлектрический эффект--8-миллиметровый свч-диапазон
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 84
Автор(ы) : Крушенко Г. Г., Фильков М. Н.
Заглавие : Применение нанопорошка нитрида титана с целью получениясложнонагруженных литых деталейиз алюминиево-кремниевых сплавовс требуемыми механическими свойствами
Место публикации : Нанотехника. - 2008. - № 3. - С. 77-79. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 79 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-62
Автор(ы) : Фролов В. Д., Герасименко В. А., Кононеко В. В., Пименов С. М., Хомич А. В., Ковалев В. И., Кирпиленко Г. Г., Шелухин Е. Ю.
Заглавие : Оптические свойства наноструктурированных пленок a-C:H:Si
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 138-143: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 143 (25 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктурированные пленки--зондовый микроскоп--кластерная структура
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В.
Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 44 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы инфракрасные--точки квантовые--ямы квантовые
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Н 25
Автор(ы) : Дорофеев С. Г., Кононов Н. Н., Фетисов Г. В., Ищенко А. А., Льяо Д.-Дж.
Заглавие : Нанокристаллический кремний, полученный из SiO
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 11 (50 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний нанокристалический-- спектры поглощения-- фотолюминесценция
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 73
Автор(ы) : Вызулин С. А., Горобинский А. В., Калинин Ю. Е., Лебедева Е. В., Ситников А. В., Сырьев Н. Е., Трофименко И. Т., Чекрыгина Ю. И., Шипкова И. Г.
Заглавие : ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями.
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 21 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 68
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В., Красников А. Г., Орлов С. Н., Пастухова Ю. М.
Заглавие : Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл
Найти похожие

 1-10    11-20   21-24 
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика