Поисковый запрос: (<.>K=Si<.>) |
Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 24 |
1.
| Materials Issues in Novel Si-Based Technology/ред. W. G. En, ред. E. C. Jones, ред. J. C. Sturm. - [2002]
|
2.
| Оптические спектры пленок BiPS4 на стекле и Si при фазовых переходах/Т. П. Мясникова [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 4.-С.22-24
|
3.
| Курганская Л. В. Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне/Л. В. Курганская // Нано- и микросистемная техника , 2008. т.№ 5.-С.37-40
|
4.
| Крушенко Г. Г. Применение нанопорошка нитрида титана с целью получениясложнонагруженных литых деталейиз алюминиево-кремниевых сплавовс требуемыми механическими свойствами/Г. Г. Крушенко, М. Н. Фильков // Нанотехника, 2008. т.№ 3.-С.77-79
|
5.
| Оптические свойства наноструктурированных пленок a-C:H:Si/В. Д. Фролов [и др.] // Российские нанотехнологии, 2009. т.Т. 4,N № 5-6.-С.138-143
|
6.
| Зайцев Н. А. Особенности формирования подзатворной системы наноприборов /Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 2.-С.36-39
|
7.
| Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона /А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников // Нано- и микросистемная техника , 2010. т.№ 4.-С.39-44
|
8.
| Нанокристаллический кремний, полученный из SiO /С. Г. Дорофеев [и др.] // Нанотехника, 2010. т.№ 3 .-С.3-11
|
9.
| ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями. /С. А. Вызулин [и др.] // Нанотехника, 2010. т.№ 3 .-С.16-21
|
10.
| Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками /Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.15-17
|
11.
| Мустафаев Аб. Г. Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур /Аб. Г. Мустафаев, Г. А. Мустафаев, Ар. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 8.-С.41-43
|
12.
| Абрамов И. И. Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe /И. И. Абрамов, Н. В. Коломейцева // Нано- и микросистемная техника , 2011. т.№ 11.-С.16-18
|
13.
| Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2/В. П. Гавриленко [и др.] // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 2.-С.42-45
|
14.
| Мозалев А. М. Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками /А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника, 2011. т.№ 3.-С.65-73
|
15.
| Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния/Т. П. Астафурова [и др.] // Нанотехника, 2011. т.№ 3.-С.81-88
|
16.
| Матюшкин И. В. Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти /И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 3.-С.34-41
|
17.
| Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии формирования изолированных блоков в пластине кремния /О. В. Морозов, А. В. Постников, И. И. Амиров, В. А. Кальнов // Нано- и микросистемная техника , 2012. т.№ 7.-С.15-18
|
18.
| Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием /Б. М. Румянцева, Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, В. И. Берендяев, С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. П. Зубов, А. А. Ольхов, Г. В. Фетисов, А. А. Ищенко // Нанотехника, 2012. т.№ 1.-С.35-41
|
19.
| Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния нанокристаллического кремния /А. О. Рыбаотовский, В. Н. Баграташвили, А. А. Ищенко, Н. В. Минаев, Н. Н. Кононов, С. Г. Дорофеев, А. А. Крутикова, А. А. Ольхов // Российские нанотехнологии, 2012. т.Т. 7,N № 7-8.-С.96-101
|
20.
| Вишневский А. С. Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов /А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 1.-С.15-20
|
21.
| Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора /Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 3-4.-С.89-94
|
22.
| Латохин Д. В. Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках /Д. В. Латохин, А. В. Коновалов, Э. Н. Воронков // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 5.-С.8-11
|
23.
| Кульчицкий Н. А. Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики /Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов // Нано- и микросистемная техника , 2013. т.№ 9.-С.29-37
|
24.
| Микроструктура границ раздела в гетеросистемах /А. Л. Васильев, В. В. Роддатис, М. Ю. Пресняков, А. С. Орехов, С. Лопатин, В. И. Бондаренко, М. В. Ковальчук // Российские нанотехнологии, 2013. т.Т. 8,N № 5-6.-С.37-46
|
|
|
Главная
Новые поступления
Шлюз Z39.50
Каталог книг и продолжающихся изданий
Описание базы данных