Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 666.1/M 39
Заглавие : Materials Issues in Novel Si-Based Technology : symposium held November 26-28, 2001, Boston, Massachusetts, USA
Выходные данные : Boston: [s. n.], [2002]
Колич.характеристики :XI, 280 с.: ил.
Серия: Materials Research Society. Symposium Proceedings; vol. 686
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Указ.: с. 275-280
ISBN, Цена 1-55899-622-2: 3105.00 р.
ББК : 666.174.2я431(0) + 539.292я431(0)
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ-- ТЕХНОЛОГИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ
ФИЗИКА-- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры (исследования)--силиконы (исследования)--соединения кремнийорганические (исследования)--химическая технология кремнийорганических соединений--полупроводники кремнийорганические
Экземпляры :кх(1)
Свободны : кх(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 84
Автор(ы) : Крушенко Г. Г., Фильков М. Н.
Заглавие : Применение нанопорошка нитрида титана с целью получениясложнонагруженных литых деталейиз алюминиево-кремниевых сплавовс требуемыми механическими свойствами
Место публикации : Нанотехника. - 2008. - № 3. - С. 77-79. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 79 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.3/К 93
Автор(ы) : Курганская Л. В.
Заглавие : Технология получения гетероструктур n-Sic/p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8-миллимитровом СВЧ-диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 5. - С. 37-40: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 40 (4 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктура n-sic/p-si --радиоэлектрический эффект--8-миллиметровый свч-диапазон
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/О-62
Автор(ы) : Мясникова Т. П., Гершанов В. Ю., Захарченко И. Н., Гармашов С. И.
Заглавие : Оптические спектры пленок BiPS4 на стекле и Si при фазовых переходах
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 4. - С. 22-24: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 24 (6 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--фазовый переход--стекло
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/О-62
Автор(ы) : Фролов В. Д., Герасименко В. А., Кононеко В. В., Пименов С. М., Хомич А. В., Ковалев В. И., Кирпиленко Г. Г., Шелухин Е. Ю.
Заглавие : Оптические свойства наноструктурированных пленок a-C:H:Si
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 5-6. - С. 138-143: рис. - ISSN 1195-078. - ISSN 1195-078
Примечания : Библиогр. : с. 143 (25 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктурированные пленки--зондовый микроскоп--кластерная структура
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Н 25
Автор(ы) : Дорофеев С. Г., Кононов Н. Н., Фетисов Г. В., Ищенко А. А., Льяо Д.-Дж.
Заглавие : Нанокристаллический кремний, полученный из SiO
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 3-11: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 11 (50 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний нанокристалический-- спектры поглощения-- фотолюминесценция
Аннотация: Нанокристаллы кремния (nc-Si), проявляющие устойчивую фотолюминесценцию в видимой области спектра, синтезированы из порошка монооксида кремния в диапазоне температур от 25° С до 950° С. Использована процедура гидросилилирования 1-октадеценом, в результате которой существенно повышается интенсивность фотолюминесценции nc-Si и частицы приобретают способность образовывать устойчивые золи в неполярных растворителях. Методом термогравиметрии и дифференциальной сканирующей калориметрии установлена устойчивость частиц в атмосфере воздуха до 220° С. Данные просвечивающей электронной микроскопии свидетельствуют о том, что ядра полученных наночастиц, максимальный размер которых не превышает 5-7 нм для всех полученных образцов, состоят из кристаллического кремния. Методом малоуглового рассеяния рентгеновского излучения получены функции плотности распределения (ФПР) по размерам частиц, синтезированных при нагревании монооксида кремния до 950° С. Максимумы ФПР соответствуют диаметрам nc-Si, равным 2,15-2,60 нм для различных значений температуры синтеза. Предложенный метод может быть использован для получения nc-Si, обладающего яркой устойчивой люминесценцией, в массовых количествах
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 73
Автор(ы) : Вызулин С. А., Горобинский А. В., Калинин Ю. Е., Лебедева Е. В., Ситников А. В., Сырьев Н. Е., Трофименко И. Т., Чекрыгина Ю. И., Шипкова И. Г.
Заглавие : ФМР, магнитные и резистивные свойства наноструктур {[(CoFeZr)m(Al2O3)100-m]x/(а-si)y}40 с гранулированными магнитными слоями.
Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 3 . - С. 16-21: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 21 (11 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Проведен комплексный анализ резистивных, статических и динамических магнитных свойств мультислойных аморфных нанопленок, в которых в качестве магнитного слоя использован композит CoFeZr/Al2O3, а в качестве прослоек - гидрогенизированный кремний. Показано, что свойства таких систем определяются конкурирующими механизмами, связанными с толщинами магнитных слоев х и свойствами кремния. При малых х, несмотря на задаваемый состав композита (до и после порога перколяции), металлический слой состоит из несоприкасающихся гранул, магнитное взаимодействие между которыми существенно меняется при незначительном изменении толщины слоя. При толщинах слоев, меньших 2 нм, окись алюминия играет роль диэлектрического барьера, уменьшающего процесс образования силицидов. С ростом толщины прослоек кремния средняя намагниченность и намагниченность слоев резко уменьшаются за счет образования немагнитных силицидов. Установлено, что образование сплошных слоев кремния и немагнитных силицидов сопровождается созданием канала проводимости, уменьшающего на три порядка удельное сопротивление образцов
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/З-17
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В.
Заглавие : Особенности формирования подзатворной системы наноприборов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39: граф. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 39 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диоксид кремния--диэлектрик подзатворный--слой переходный
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Д 38
Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А.
Заглавие : Детекторы с квантовыми точками ge/si для инфракрасного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 39-44: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 44 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): детекторы инфракрасные--точки квантовые--ямы квантовые
Аннотация: Рассмотрены вопросы создания новых типов детекторов на квантовых точках Ge/Si для инфракрасного диапазона: детекторы на основе p-i-n структур, биполярные и полевые фототранзисторы на основе квантовых точек Ge/Si. Потенциальные преимущества новых типов детекторов могут быть использованы при дальнейшем развитии технологий выращивания квантовых точек с заданными размерами, формой и плотностью
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 74
Автор(ы) : Мозалев А. М., Плиговка А. Н., Крупко А. О.
Заглавие : Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 73 (21 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки ( 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 39
Автор(ы) : Астафурова Т. П., Моргалев Ю. Н., Боровикова Г. В., Зотикова А. П., Верхотурова Г. С., Зайцева Т. А., Постовалова В. М., Цыцарева Л. К.
Заглавие : Изучение фитотоксичности наночастиц бинарных соединений алюминия и кремния
Место публикации : Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 81-88: табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр. : с. 88 (31 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Изучали влияние водных дисперсных систем наночастиц бинарных соединений оксида алюмиия (электрокорунд, . 0 = 70 нм; альфа-форма, . 0 = 70 нм) и кремния (карбид, SiC, . 0 = 200 нм; нитрид, Si3N4, . 0 = 80 нм) в концентрациях 1,0; 0,01 и 0,0001 мг/л на одно- и двудольные сельскохозяйственные растения - овес, ячмень, пшеницу, фасоль, редьку и томат. Фитотоксичность оценивали по изменению энергии прорастания, всхожести семян и ростовых параметров (высота всходов, длина зародышевого корня). Выявлена разная чувствительность культур к воздействию исследуемых наночастиц, однако четко выраженного системного ответа и его концентрационной зависимости не установлено. Фитотоксичность наночастиц проявлялась в ингибировании процессов прорастания всходов и корневого роста у растений фасоли, овса, пшеницы, ячменя, но аномально развивающихся проростков не было обнаружено. Наибольшая фитотоксичность выявлена у наночастиц карбида кремния по отношению к растениям овса, ячменя и пшеницы
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/А 16
Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В.
Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Р 68
Автор(ы) : Зайцев Н. А., Матюшкин И. В., Красников А. Г., Орлов С. Н., Пастухова Ю. М.
Заглавие : Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 91
Автор(ы) : Мустафаев Аб. Г., Мустафаев Г. А., Мустафаев Ар. Г.
Заглавие : Исследование гетероэпитаксии кремния на сапфире при создании транзисторных структур
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 41-43: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 43 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Исследуется механизм гетероэnитаксии кремния на сапфире для последующего создания транзисторных структур с низкой дефектностью. Методом резерфордовского обратного рассеяния изучались эпитаксиальные слои Si на сапфировой подложке. В эпитаксиальных слоях заметно увеличение дефектности в тех областях спектра, которые соответствуют промежуточной области между слоем и подложкой и дают максимальный вклад в каналирование. Оже-анализом определен состав и глубина переходного слоя. Разработан способ создания полупроводникового прибора с улучшенными параметрами
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Ф 81
Автор(ы) : Румянцева Б. М., Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, Берендяев В. И., Дорофеев С. Г., Кононов Н. Н., Зубов В. П., Ольхов А. А., Фетисов Г. В., Ищенко А. А.
Заглавие : Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием
Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 35-41: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498
Примечания : Библиогр.: с. 41 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозиты полимерные--нанокремний--катион-радикалы--анион-радикалы--выход фотогенерации квантовый--метод электрофотографический
Аннотация: Электрофотографическим методом исследованы фотоэлектрические характеристики пленок вновь синтезированных полиимидов (ПИ) на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а также их композитов с нанокристаллическим кремнием (nc-Si). Обнаружена фотоэлектрическая чувствительность (ФЭЧ) пленок исследованных ПИ как в УФ, так и в видимой областях спектра. Показано, что наблюдаемая ФЭЧ обусловлена ЭДА взаимодействием с переносом заряда между донорными и акцепторными фрагментами цепей ПИ, т.е. электронных Д-А комплексов с переносом заряда (КПЗ), а механизмом фотогенерации является термополевая диссоциация ион-радикальных пар, кинетически связанных с возбужденным КПЗ. Вторым механизмом фотогенерации является фотостимулирование долгоживущих стабилизированных катион-радикалов донорных фрагментов ПИ, представляющих собой дырки (основные носители), захваченные глубокими центрами (фотостимулированные токи). Для ПИ, содержащих nc-Si, наблюдается резкое увеличение эффективного квантового выхода фотогенерации при низких значениях напряженности поля (E 10 5 В/см), что возможно объяснить уменьшением эффективности сбора носителей заряда, обусловленной уменьшением длины миграции дырок. Уменьшение длины миграции носителей заряда при добавлении nc-Si свидетельствует о том, что наночастицы являются центрами захвата дырок в композитном материале. Частицы nc-Si проявляют электроно-донорные свойства и, являясь более эффективными центрами захвата дырок, способствуют стабилизации и накоплению катион-радикалов
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 17
Автор(ы) : Рыбаотовский А. О., Баграташвили В. Н., Ищенко А. А., Минаев Н. В., Кононов Н. Н., Дорофеев С. Г., Крутикова А. А., Ольхов А. А.
Заглавие : Лазерно-индуцированные эффекты в спектрах комбинационного рассеяния нанокристаллического кремния
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 7-8. - С. 96-101: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 101 (18 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний нанокристаллический--эффекты лазерно-индуцированные --спектры комбинационного рассеяния --метод кр спектроскопии--излучения лазерные--частицы нанокристаллического кремния (нк-si)--моносилан
Аннотация: Методом КР спектроскопии впервые проведены исследования процессов воздействия непрерывного лазерного излучения с длиной волны 532 нм на частицы нанокристаллического кремния (нк-Si), полученного методом лазерного пиролиза моносилана. Установлено, что воздействие достаточно мощного излучения (10 5-10 6 Вт/см 2) вызывает значительные изменения состояния нк-Si, которые связаны с развитием термоокислительных процессов на воздухе, приводящих к сложному характеру изменения параметров полосы КР, принадлежащей нк-Si. С использованием СКФ импрегнации в среде СК—CO 2 реализован процесс матричного внедрения частиц нк-Si в микрочастицы полиэтилена низкой плотности. Установлено, что воздействие лазерного излучения на частицы нк-Si в полимерной матрице начинает проявляться в виде изменения полосы КР при плотностях мощности, значительно больших, чем в случае чистого порошка нк-Si
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/И 35
Автор(ы) : Морозов О. В., Постников А. В., Амиров И. И., Кальнов В. А.
Заглавие : Изготовление микроэлектромеханических устройств на основе технологии формирования изолированных блоков в пластине кремния
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 15-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 18 (24 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микромеханика--окисление кремния термическое--привод электростатический гребенчатый--drie
Аннотация: Представлен новый способ изготовления микроэлектромеханических устройств на основе формирования изолированных блоков SiO2 в пластине Si. Технология изготовления включает процессы двустороннего глубокого анизотропного травления Si и глубокого его окисления для получения изолированных областей SiO2. Применимость предложенного способа показана на примере изготовления микроактюатора с электростатическим гребенчатым приводом
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Э 47
Автор(ы) : Гавриленко В. П., Зайцев С. А., Кузин А. Ю., Новиков Ю. А., Раков А. В., Тодуа П. А.
Заглавие : Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 45 (5 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/М 35
Автор(ы) : Матюшкин И. В.
Заглавие : Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 41 (15 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/К 90
Автор(ы) : Кульчицкий Н. А., Наумов А. В.
Заглавие : Современное состояние тонкопленочной солнечной энергетики
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 9. - С. 29-37: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 37 (14 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теллурид кадмия --преобразователи солнечные тонкопленочные--cdte--селенид меди-индия --кремний аморфный
Аннотация: Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния ( α -Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы
Найти похожие

21.

Вид документа :
Шифр издания : 620.3/М 59
Автор(ы) : Васильев А. Л., Роддатис В. В., Пресняков М. Ю., Орехов А. С., Лопатин С., Бондаренко В. И., Ковальчук М. В.
Заглавие : Микроструктура границ раздела в гетеросистемах
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 5-6. - С. 37-46: рис.
Примечания : Библиогр.: с. 46 (30 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетеросистемы--микроскопия растровая электронная --микроанализ энергодисперсионный рентгеновский --механизмовформирования слоев--гетероструктура
Аннотация: Представлены результаты исследований структуры границ раздела и тонких пленок в гетероструктурах с использованием просвечивающей и просвечивающей растровой электронной микроскопии с коррекцией сферической аберрации и сверхчувствительного энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. На примерах гетероструктур различных материалов (Si/Ge, InGaAs/InAs, AlN/GaN, YBCO на различных подложках и LuFe(Co)O3/YSZ) показана возможность определения морфологии и атомной структуры границ раздела, механизмовформирования слоев
Найти похожие

22.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Л 27
Автор(ы) : Латохин Д. В., Коновалов А. В., Воронков Э. Н.
Заглавие : Оценка параметров барьеров в нанокристаллических полупроводниковых пленках
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 5. - С. 8-11: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 11 (8 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пленки--пленки нанокристаллические полупроводниковые--полупроводники--электропроводность--температурная зависимость
Аннотация: Сообщается о методике, с помощью которой на основе температурных зависимостей электропроводности и барьерной модели нанокристаллической полупроводниковой пленки можно выполнить оценку высоты барьеров, их концентрации и размеров кристаллитов. Применение предложенной методики расчетов к нанокристаллическим пленкам Si:H дало удовлетворительные результаты
Найти похожие

23.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/В 55
Автор(ы) : Вишневский А. С., Воротилов К. А., Жигалина О. М., Ланцев А. Н., Подгорный Ю. В, Серегин Д. С.
Заглавие : Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 20 (19 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): подложки кремниевые--гетероструктуры--цтс--процесс термообработки--пленки сегнетоэлектрические--стекло фосфоросиликатное
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур
Найти похожие

24.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/П 53
Автор(ы) : Шкляр Т. Ф., Дьячкова Е. П., Динисламова О. А., Сафронов А. П., Лейман Д. В., Бляхман Ф. А.
Заглавие : Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора
Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223
Примечания : Библиогр.: с. 94 (10 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзистор--слои ультратонкие--элементы кни мдп-нанотранзистора--метод высокочастотного магнетронного распыления--диэлектрик--структура кристаллическая пленок hfo2 --кни-структура--сопротивление поверхностное--имплантация
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□
Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)