Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=VCSEL<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин М. Е., Белкин Л. М.
Заглавие : Исследование характеристики времени задержки включения поверхностно-излучающего лазера с вертикальным резонатором
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 51-54: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 54 (9 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лазер поверхностно-излучающий полупроводниковый --резонатор вертикальный--измерение времени задержки включения
Аннотация: Предложен простой метод измерения характеристики задержки включения полупроводникового лазера с прямой модуляцией током инжекции, основанный на сравнении с помощью цифрового осциллографа задержки фронтов импульсов на входе испытуемого образца и на выходе измерительного фотодиода после электрооптического и оптико-электрического преобразований. Описываются методика, технология и результаты измерения времени задержки включения поверхностно-излучающего лазера с вертикальным каналом (VCSEL). Проводится оценка точности измерений
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Бесструктурная модель поверхностно излучающего лазера с полосой модуляции в свч диапазоне
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 10. - С. 9-17: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 17 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Предложена бесструктурная (в виде эквивалентной электрической схемы) нелинейная модель поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL), пригодная для разработчиков аппаратуры современных сверхскоростных цифровых и аналоговых ВОСП с полосой поднесущих в СВЧ диапазоне, локальных телекоммуникационных систем волоконно-эфирной структуры, устройств СВЧ оптоэлектроники, а также оптических межсоединений в ИМС. Исходными данными для разработки модели служат результаты измерения статической и динамической характеристик электрооптического преобразования и характеристики отражения по модулирующему входу испытуемого образца. Описывается методика экстракции параметров его эквивалентной схемы с помощью высокоразвитой электронной САПР. Приводятся результаты моделирования и измерения интермодуляционных искажений третьего и пятого порядков длинноволнового VCSEL сплавной конструкции с полосой модуляции в СВЧ диапазоне. Оценивается уровень линейности испытуемого типа VCSEL передаче аналоговых СВЧ сигналов
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3/Б 43
Автор(ы) : Белкин Л. М., Белкин М.Е.
Заглавие : Применение оптоэлектронного подхода для преобразования и размножения частот сигналов сверхвысокочастотного диапазона
Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 4-10: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр. : с. 10 (17 назв.)
УДК : 620.3
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследуется экономичная схема построения оптоэлектронного преобразователя частоты на базе поверхностно излучающего лазера с вертикальным резонатором (VCSEL). Приводятся результаты разработки моделей, описывающих его работу в режимах преобразования (ОЭПЧ) и размножения (ОЭРЧ) частот СВЧ диапазона, и расчета ключевого параметра преобразователя частоты - потерь преобразования. Согласно результатам расчетов и близким к ним экспериментальным данным, полученным с помощью разработанных макетов S-диапазона, потери повышающего преобразования ОЭПЧ составляют около 36 дБ, а ОЭРЧ - около 45 дБ. Рассматривается пример построения на базе ОЭРЧ экономичной схемы обратного канала базовой станции перспективной телекоммуникационной системы волоконно-эфирной структуры
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 623.7/Н 25
Автор(ы) : Белкин М. Е., Сигов А. С., Ellafi D., Iakovlev V., Кароп Е.
Заглавие : Наноинженерия в процессе изготовления сплавной структуры длинноволнового поверхностно-излучающего лазера с вертикальным каналом для радиофотоники
Место публикации : Наноматериалы и наноструктуры. - 2014. - Т. 5, № 2. - С. 33-46
Примечания : Библиогр.: с. 46 (38 назв.)
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радиофотоника --телекоммуникационные и радиолокационные системы--оптоэлектронная обработка--поверхностно-излучающий лазер
Аннотация: Рассмотрены принципы построения на базе «длинноволнового» поверхностно излучающего лазера с вертикальным микрорезонатором (LW-VCSEL) разработки Лозаннского политехнического университета двух новых радиофотонных устройств: генератора и преобразователя частоты. Приведены результаты разработки, показавшие эффективность применения данного лазера в устройствах радиофотоники и ограниченность их рабочего диапазона вследствие ограниченности его полосы прямой модуляции. С целью анализа путей расширения последней изучены физические и технологические принципы изготовления LW-VCSEL сплавной структуры и ее статические и динамические и динамические характеристики. Путем физического моделирования в программной среде Cross Light определено влияние наноразмерного травления толщины слоев верхнего зеркала на потери и время жизни фотона в резонаторе. Показано, что их оптимизация с «атомным» разрешением приводит к почти двукратному (6…11 ГГц) расширению полосы модуляции данного лазера. С целью верификации результатов моделирования была изготовлена опытная партия LW-VCSEL оптимизированной структуры, на базе которой проведен эксперимент по передаче на расстояние 10 км цифрового сигнала со скоростью 10 Гбит/с с качеством, удовлетворяющим требованиям к современной локальной телекоммуникационной системе
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика