Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=53.06<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06/И 75
Автор(ы) : Абдуллаев Д. А., Зайцев А. А., Кельм Е. А., Милованов Р. А.
Заглавие : Ионно-лучевое травление как промежуточная стадия при удалении пассивируюших слоев микросхем в рамках технологии анализа отказов
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 35-39. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 39 (3 назв.)
УДК : 53.06
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-лучевое травление--реактивно-ионное плазменное травление--планаризация микрометрового рельефа сбис--технология анализа отказов
Аннотация: Представлены результаты серии экспериментов по удалению пассивации СБИС с промежуточной планаризацией субмикрометрового рельефа методами ионно-лучевого травления в рамках технологии анализа отказов. Определены оптимальные параметры планаризации микрометрового рельефа
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53.06/Э 45
Автор(ы) : Зубов Д. Н., Кельм Е. А., Милованов Р. А., Молодцова Г. В.
Заглавие : Электрохимическое восстановаение поврежденных контактных площадок кристаллов при анализе отказов современных интегральных схем
Место публикации : Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 38-40: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586
Примечания : Библиогр.: с. 40 (5 назв.)
УДК : 53.06
ББК : 623.7
Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ отказов--интегральная схема--контактная площадка-- электрохимическое осаждение--термокомпрессионная сварка
Аннотация: При анализе отказов современных интегральных схем, может возникнуть необходимость в проведении исследований, включающих одновременный анализ топологии кристалла и подачу электрических сигналов на его контактные площадки. Однако при осуществлении доступа к кристаллу контактные площадки могут быть повреждены по различным причинам. Рассмотрены несколько типов повреждений контактных площадок, а также экспериментальные исследования по их восстановлению электрохимическим осаждением серебра и меди
Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика