Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (5)Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - ) (1)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-11 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 50

    Алкеев, Н. В.
    Резонансно-туннельные гетероструктуры : новый подход в создании малошумящих полупроводниковых приборов [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев // Нанотехника. - 2008. - № 2. - С. 46-61 : табл., рис. - Библиогр.: с. 60-61 (50 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ZnO -- ГРАФИТОВЫЕ НАНОТРУБКИ

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25

   
    Наноразмерные слои на основе полиамидокислот и полиамидоимидов в качестве защитного и пассивирующего покрытия в лазерных AlGaAs/GaAs гетероструктурах / А. А. Козырев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 89-93 : рис., табл. - Библиогр. : с. 93 (22 назв.) . - ISBN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ALGAAS/GAAS ЛАЗЕРНЫЕ -- ПОКРЫТИЕ ПАССИВИРУЮЩЕЕ -- ПОЛИАМИДОКИСЛОТЫ -- ПОЛИАМИДОИМИДЫ
Аннотация: Проведено исследование возможности использования полиамидокислот (ПАК) и полиамидоимидов (ПАИ) для создания пассивирующего и защитного покрытия для выходного зеркала резонатора полупроводникового лазера. Морфология поверхности нанесенных пленок исследована методом атомно-силовой микроскопии. Изучена структура осажденных пленок, оценена их шероховатость. Анализ ватт-амперных характеристик лазерных диодов показал, что пленки на основе полиамидокислот заметно повышают значение предельной мощности полупроводниковых лазеров. Наибольшее значение пиковой мощности было получено для покрытий на основе полиамидокислот, по сравнению с полиамидоимидами. Значение пиковой мощности в 1.3 раза выше для лазерных структур с покрытием на основе поли-амидокислот по сравнению со структурами без полимерного покрытия

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 24

   
    Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (42 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЯМЫ КВАНТОВЫЕ МНОЖЕСТВЕННЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- НИТРИДЫ III ГРУППЫ
Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 33

    Матвеенко , О. С.
    Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия / О. С. Матвеенко , Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 50-51 : рис. - Библиогр. : с. 51 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РНЕМТ -- ЯМА КВАНТОВАЯ -- АНТЕННА -- УСИЛИТЕЛЬ МАЛОШУМЯЩИЙ
Аннотация: В настоящее время наблюдается ускоренное развитие исследований и разработок с технологическим освоением производства малогабаритных СВЧ приборов на основе интегральных активных антенных элементов. Данные устройства лежат в основе систем передачи данных, навигации, связи, а также позволяют создавать разнообразные миниатюрные сенсоры и датчики для систем охранной сигнализации, определения положения и скорости перемещения объектов и т. д. Настоящая работа посвящена разработке активных антенных элементов со встроенными малошумящими усилителями для частот 5 ГГц и 10...12 ГГц на основе РНЕМТ гетероструктуры с квантовой ямой типа АlGаА/InGаАs/GаА

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 16

    Абросимова, Н. Д.
    Повышение информативности эллипсометрических измерений параметров гетероструктур "кремний-на-диэлектрике" / Н. Д. Абросимова, В. К. Смолин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 9. - С. 26-27. - Библиогр.: с. 27 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЛИПСОМЕТРИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СТРУКТУРЫ КНД, КНС, КНИ
Аннотация: Рассмотрены вопросы контроля приборных слоев полупроводниковых гетероструктур с использованием метода эллипсометрии. Показана информативность разработанных методик

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53

   
    Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение / А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24 : рис. - Библиогр.: с. 24 (54 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- МНЕМТ -- ДИСЛОКАЦИИ НЕСООТВЕТСТВИЯ -- СТУПЕНЬ ИНВЕРСТНАЯ -- INAlAS / INGAAS -- РЕЛАКСАЦИЯ ЭПИСЛОЯ
Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 49

    Виноградов, А. В.
    Получение высокоактивных гетероструктур TiO 2-CuO методом «мягкой химии», обладающих высокой фотоактивностью и магнитными свойствами / А. В. Виноградов, В. В. Виноградов, А. В. Агафонов // Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 11-12. - С. 53-56 : рис. - Библиогр.: с. 56 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОАКТИВНОСТЬ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ВЫСОКОАКТИВНЫЕ -- СВОЙСТВА МАГНИТНЫЕ -- КРИСТАЛЛИТЫ ДИОКСИДА ТИТАНА НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ TIO 2-CUO -- МЕТОДЫ ДИНАМИЧЕСКОГО СВЕТОРАССЕЯНИЯ И СКАНИРУЮЩЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ПЛЕНКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЕ
Аннотация: Гетероструктуры на основе оксидов TiO 2 и CuO представляют интерес в качестве пленочных фотокатализаторов, материалов спин-троники, сенсорики и др. В данной работе предложен новый подход к получению наноразмерных кристаллитов диоксида титана анатаз-брукитной модификации и нанокомпозита диоксида титана с оксидом меди (II), позволяющий получать фотоактивные покрытия. Особенностью предлагаемого подхода, основанного на золь-гель превращениях и взаимодействии компонентов многофазной коллоидной системы, является возможность получения хорошо окристаллизованных материалов при близкой к комнатной температуре без использования стадии прокаливания. Методами динамического светорассеяния и сканирующей зондовой микроскопии исследованы структурные изменения, происходящие при взаимодействии наночастиц TiO 2 и CuO в процессе синтеза. Получены спектры поглощения в УФ- и видимой области пленок TiO 2 и СuO, нанесенных на полимерную подложку методом погружения, а также смещение спектральной активности гетероструктурных покрытий TiO 2/CuO. Методом магнитно-силовой микроскопии исследованы магнитные области гетероструктурных пленок

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 55

    Вишневский, А. С.
    Исследование влияния структуры нижнего электрода на свойства пленок ЦТС, сформированных методом химического осаждения из растворов / А. С. Вишневский, К. А. Воротилов, О. М. Жигалина, А. Н. Ланцев, Ю. В Подгорный, Д. С. Серегин // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 1. - С. 15-20 : рис., табл. - Библиогр.: с. 20 (19 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОДЛОЖКИ КРЕМНИЕВЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЦТС -- ПРОЦЕСС ТЕРМООБРАБОТКИ -- ПЛЕНКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- СТЕКЛО ФОСФОРОСИЛИКАТНОЕ
Аннотация: Проведены исследования тонких золь-гель-пленок цирконата-титаната свинца PbZr 0,48Ti 0,52O 3 (ЦТС), сформированных на кремниевых подложках с различными вариантами многослойной структуры Pt /Тi (ТiO 2)/SiO2(ФСС)/Si формирующей нижний электрод сегнетоэлектрического конденсатора. Изучены диффузионные процессы, протекающие в данных гетероструктурах в процессе термообработки, а также роль толщины платины и вспомогательных слоев в формировании кристаллической структуры ЦТС. Установлено, что при кристаллизации ЦТС происходит взаимная диффузия слоев нижнего электрода: нижняя граница Pt размывается, слой Ti (TiO 2) становится толще, Ti диффундирует в Pt и в SiO 2 (ФСС). Использование слоя фосфоросиликатного стекла (ФСС) способствует формированию в пленках ЦТС преимущественной ориентации (100), что ухудшает их поляризационные свойства и ведет к снижению остаточной поляризации до ~10 мкКл/см 2. Нанесение слоя плазмохимического SiO 2 на слой ФСС позволяет стабилизировать границу раздела и улучшить электрические характеристики гетероструктур

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58

   
    Влияние частиц серебра различной морфологии на фотоактивность покрытий в системе Ag-TiO2 / А. В. Виноградов, В. В. Виноградов, А. В. Ермакова, А. В. Агафонов // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 9-10. - С. 42-45 : рис., табл. - Библиогр.: с. 45 (12 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СЕРЕБРО -- НАНОЧАСТИЦЫ -- ФОТОАКТИВНОСТЬ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AG-TIO2 ВЫСОКОФОТОАКТИВНЫЕ ПЛЕНОЧНЫЕ -- СПЕКТРОСКОПИЯ УФ-ВИДИМАЯ -- НАНОЧАСТИЦЫ ПРОВОЛОЧНОЙ СТРУКТУРЫ -- ЭФФЕКТ ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА -- НАНОСТЕРЖНИ -- НАНОПИРАМИДЫ -- АКТИВНОСТЬ ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ
Аннотация: В данной работе были получены высокофотоактивные пленочные гетероструктуры Ag-TiO2 с использованием низкотемпературного золь-гель синтеза. Установлено, что изменение морфологии наночастиц серебра оказывает существенное влияние на величину фотоотклика в данной системе. Наибольший прирост фотоэдс был обнаружен с использованием вытянутых анизотропных наночастиц проволочной структуры, благодаря высокой поглощательной способности и увеличению площади межфазного контакта с полупроводниковой подложкой TiO2. По данным УФ-видимой спектроскопии проанализировано проявление эффекта плазмонного резонанса в зависимости от морфологии наночастиц серебра, полученных в виде нанопирамид, наностержней и нанопроволоки. По полученным результатам установлена взаимосвязь структуры с фотоэлектрохимической активностью сформированных гетероструктур

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 54

   
    Метаморфные наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках GaAs для приборов терагерцовой электроники / О. А. Рубан, С. С. Пушкарев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
621.382.323
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕРАГЕРЦОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- МЕТАМОРФНЫЙ БУФЕР -- НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Исследованы электрофизические и структурные свойства метаморфных наногетероструктур InGaAs/InAlAs/GaAs с различным дизайном метаморфного буфера. Установлено, что его использование с введенными внутрь 30-периодными сверхрешетками (CP) InGaAs/InAlAs позволяет увеличить подвижность электронов на 36 % в активном слое гетероструктуры по сравнению с образцом без CP и при этом сохранить высокое структурное качество. Для оценки структурного качества исследуемых образцов определены средние квадратичные значения шероховатости поверхности RMS с помощью измерений атомно-силовой микроскопии

Найти похожие
 1-10    11-11 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика