Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (10)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (2)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (1)Публикации об УрО РАН (1)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (1)Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ДИСЛОКАЦИИ<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 58


   
    Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ
Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 53


   
    Полупроводниковые гетероструктуры InAlAs / InGaAs с метаморфным буфером Inx (Al yGa 1- y) 1- xAs: конструкция, технология, применение / А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 14-24 : рис. - Библиогр.: с. 24 (54 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БУФЕР МЕТАМОРФНЫЙ -- МНЕМТ -- ДИСЛОКАЦИИ НЕСООТВЕТСТВИЯ -- СТУПЕНЬ ИНВЕРСТНАЯ -- INAlAS / INGAAS -- РЕЛАКСАЦИЯ ЭПИСЛОЯ
Аннотация: Кратко рассмотрены особенности релаксации упруго-деформированных эпитаксиальных слоев и описывающие ее модели. Названы области применения полупроводниковых гетероструктур InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером In x(AlyGa 1 – y) 1 – xAs. Исследовано влияние профиля химического состава метаморфного буфера и технологических режимов его роста (температуры роста, давления мышьяка и вида его молекул) на электрофизические и структурные свойства как самого метаморфного буфера, так и всей гетероструктуры

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: 214586 - кх.
   53
   О-74


    Осипьян, Юрий Андреевич (1931-2008).
    Избранные труды [] : сборник / Ю. А. Осипьян ; сост. А. А. Левченко ; РАН, Ин-т физики твердого тела. - М. : Борей, 2012. - 477, [2] с. - ISBN 978-5-98393-020-9 : 200.00 р.
ГРНТИ
ББК 53д(2)я43(2)
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА В ЦЕЛОМ--СБОРНИКИ

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика