Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (7)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (11)Публикации об УрО РАН (3)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (11)Труды Института истории и археологии УрО РАН (3)Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН (1)Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН (78)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (3)Расплавы (7)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданияпредм. рубрике
Поисковый запрос: (<.>K=КРИСТАЛЛ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 73

   
    Интерференция поляризованных компонент дефектных мод в мультислойном фотонном кристалле с оптически анизотропным дефектом [Текст] / В. Я. Зырянов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2008. - Т. 3, № 11-12. - С. 166-170 : рис. - Библиогр.: с. 170 (10 назв.) . - ISSN 1195-078
ББК 53
Рубрики: ФИЗИКА
Кл.слова (ненормированные):
ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ -- ПОЛЯРИЗАТОР

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Т 58

    Тополов, В. Ю.
    Пьезоэлектрический гидростатический отклик композитов типа 1 - 3 "кристалл релаксатора - сегнетоэлектрика - полимерная матрица с варьируемыми упругими свойствами" / В. Ю. Тополов, А. Е. Панич // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 31-36 : рис. - Библиогр. : с. 36 (14 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЬЕЗОАКТИВНЫЙ КОМПОЗИТ -- ГИДРОСТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- ПОРИСТЫЙ ПОЛИМЕР -- УПРУГИЕ СВОЙСТВА

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 39

    Плотников, В. Г.
    О фотохимии примесных молекул в фотонном кристалле / В. Г. Плотников, В. А. Смирнов, М. В. Алфимов // Российские нанотехнологии. - 2009. - Т. 4, № 9-10. - С. 56-58. - Библиогр. : с. 58 (14 назв.) . - ISSN 1195-078
ББК 623.7
Рубрики: ФИЗИКА--ОПТИКА
Кл.слова (ненормированные):
МОЛЕКУЛЫ ПРИМЕСНЫЕ МНОГОАТОМНЫЕ -- ВЫХОД КВАНТОВЫЙ -- ФОТОХИМИЯ -- КРИСТАЛЛ ФОТОННЫЙ

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 26

    Игнатьева, Е. В.
    О проектировании мембраны с жестким центром кристаллов кремниевых тензопреобразователей на давления от 0,025 до 25 МПа / Е. В. Игнатьева, Ю. А. Михайлов, С. П. Тимошенков // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 24-31 : рис., табл. - Библиогр. : с. 31 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫЙ -- КРИСТАЛЛ ИПД -- МЕМБРАНА С ЖЕСТКИМ ЦЕНТРОМ
Аннотация: Представлена методика проектирования мембраны с жестким центром кремниевых тензопреобразователей давления. Показано, что при заданных изменениях выходного напряжения и нелинейности менее 0,2 % диапазон давлений 0,025...25 МПа реализуем на кристалле 4 x 4 мм при использовании мембран двух размеров, имеющих прямоугольный жесткий центр

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Л 87

    Лучинин, В. В.
    Процессы препарирования при реинжиниринге изделий микротехники / В. В. Лучинин, М. А. Усикова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 31-43 : табл., рис. - Библиогр. : с. 43 ( 8 наим.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СХЕМА ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ПРЕПАРИРОВАНИЕ -- ТРАВЛЕНИЕ -- КРИСТАЛЛ
Аннотация: Внедрение процесса реинжиниринга в современную электронную промышленность предполагает разработку новых методик исследования объектов микротехники, а значит, применения новых технологических и аналитических методов препарирования в целях контроля топологии исследуемых систем. В работе наряду с разрушающими методами препарирования, такими как механическое вскрытие изделий микротехники с последующим удалением структурообразующих слоев, рассмотрены неразрушающие методы исследования с возможностью сохранения работоспособности системы для дальнейшего электрического анализа

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 73

   
    Многомасштабный компьютерный дизайн материалов для оптических хемосенсоров на основе фотонных кристаллов / М. В. Алфимов, А. А. Багатурьянц [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4 . - С. 84-91 : рис., табл. - Библиогр. : с. 91 (37 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХЕМОСЕНСЕРЫ ОПТИЧЕСКИЕ -- КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ -- ДИЗАЙН КОМПЬЮТЕРНЫЙ МНОГОМАСШТАБНЫЙ
Аннотация: Предложен многомасштабный метод моделирования элементов оптического хемосенсора с использованием фотонных кристаллов, основанный на квантово-химических и электродинамических расчетах из первых принципов. В рамках метода конечных разностей на пространственно-временной сетке предложен метод учета источников электромагнитного излучения. Проведено сквозное моделирование: выполнен квантово-химический расчет спектра поглощения и излучения красителя на поверхности носителя; показано, как модифицируется спектр излучения молекулы красителя, помещенной в трехмерный фотонный кристалл

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 81

    Дудин, А. А.
    Геометрические и физические свойства наночастиц магнитных ферритов / А. А. Дудин, А. А. Кустов // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 2. - С. 30-34 : табл. - Библиогр. : с. 34 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СВОЙСТВА НАНОЧАСТИЦ -- КРИСТАЛЛ -- КЛАСТЕРЫ МАГНИТНЫЕ
Аннотация: Исследуется строение координационных сфер или орбит кристаллов с гексагональной и кубической структурой, их размеры и координационные числа. Рассчитываются орбиты атомов всех подрешеток октаэдрических и тетраэдрических пустот. В качестве базовых структур рассматриваются плотноупакованные структуры ГЦК и ГПУ ионов кислорода магнитных материалов. Распределение катионов металлов обеих структур осуществляется по октаэдрическим и тетраэдрическим пустотам. Полученные данные помогают точно определить физические свойства частиц и материалов на основе магнитных наночастиц

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-62

   
    Оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе монокристаллического GaAs / Н. А. Ильин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 3. - С. 17-20 : рис. - Библиогр. : с. 20 (11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛЫ ФОТОННЫЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АРСЕНИД ГЕЛЛИЯ -- ВОЛНОВОДЫ ОПТИЧЕСКИЕ
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования и экспериментального исследования оптических свойств двумерных полупроводниковых фотонных кристаллов в зависимости от параметров структур. Исследовано распределение электромагнитного поля в структуре фотонный кристалл-волновод в зависимости от параметров структуры и длины волны излучения

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 28

   
    Адаптивная коррекция параметров функциональных блоков в системах на кристалле / Ю. Ф. Адамов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 6. - С. 44-50 : граф., рис. - Библиогр. : с. 50 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОРРЕКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ АДАПТИВНАЯ -- КРИСТАЛЛ -- ПОМЕХИ ПЕРЕКРЕСТНЫЕ -- ИНЖЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОДЛОЖКУ
Аннотация: Методы адаптивной коррекции функциональных блоков позволяют уменьшить зависимость их выходных параметров от технологического разброса параметров транзисторов, подавить инжекцию электронов в подложку при переключении мощных токовых ключей, снизить перекрестные помехи в линиях связи

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   С 31

    Сеничкин, А. П.
    Вольт-амперные характеристики системы нанонитей из атомов олова, встроенных в кристалл арсенида галлия / А. П. Сеничкин, А. С. Бугаев, А. Э. Ячменев // Нано- и микросистемная техника для лазерной индустрии . - 2011. - № 12. - С. 11-12 : рис. - Библиогр. : с. 12 (1 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСТРУКТУРЫ -- НИТИ КВАНТОВЫЕ -- ПРОВОЛОКИ КВАНТОВЫЕ -- ЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ
Аннотация: С помощью дифракции электронов было установлено, что атомы Sn декорируют края атомных террас вицинальной поверхности GaAs кристалла при дельта-легировании. Этот факт был использован для создания методом молекулярно-лучевой эпитаксии новой наноструктуры - системы проводящих нанонитей, состоящих из атомов олова, встроенных в кристалл GaAs. Обнаружена анизотропия вольт-амперных характеристик наноструктур, измеряемых в направлениях вдоль и поперек нанонитей

Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика