Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=МЕЖСОЕДИНЕНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 34


   
    Математическое моделирование автоматизированной системы технологической подготовки производства при адаптивном управлении взаимозависимыми параметрами надежности контактных элементов из наноструктурированных сверхпроводящих материалов / В. М. Емельянов, Л. А. Пимнева, В. В. Емельянов, И. И. Шуклин, А. А. Моисеев, Т. В. Алпеева, Е. Л. Нестерова // Нанотехника. - 2012. - № 2. - С. 98-103 : рис. - Библиогр.: с. 103 (6 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ МАТЕМАТИЧЕСКАЯ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ -- ТЕРМОДИФФУЗИЯ НАНОПОВЕРХНОСТНАЯ -- ПРОЧНОСТЬ -- МЕЖСОЕДИНЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ
Аннотация: Математическим моделированием в автоматизированной системы технологической подготовки производства выявляются прочностные, температурные и временные параметры для проведения технологического процесса получения высоконадежных межсоединений с применением управления наноповерхностной термодиффузией для обеспечения требований к надежностным характеристикам, предъявляемым к космической МЭА, при решении обратной задачи управления прочностными параметрами многослойных сверхпроводящих наноструктурированных межсоединений и учете многомерной корреляции и автокорреляции

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   О-13


   
    Об отказоустойчивости наноэлектронных интегральных схем при облучении / П. А. Александров, В. В. Бударагин, В. И. Жук, В. Л. Литвинов // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 1. - С. 7-14. - Библиогр.: с. 14 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТЬ -- РЕЗЕРВИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМАХ
Аннотация: Рассматривается вопрос о радиационной устойчивости наноразмерных компонентов цифровых схем. Показано, что межсоединения также подвержены действию радиации, как и активные компоненты. Делается вывод о низком уровне отказоустойчивости схем с наноразмерными компонентами даже при учете только фонового излучения. Предлагается новый метод покомпонентного дублирования, кардинально повышающий отказоустойчивость схем.

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 14


   
    Вакуумплотное матричное корпусирование сенсорных микроэлектромеханических систем (аналитический обзор). Часть 2*. формирование вакуумплотных электрических выводов, способы сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях и общие тенденции развития технологии корпусирования с МЭМС / П. Г. Бабаевский , С. А. Жукова, Д. Ю. Обижаев, Е. А. Гринькин, В. Е. Турков, Г. М. Резниченко, Д. Д. Рискин, Ю. А. Бычкова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 4. - С. 3-11. - Библиогр.: с. 11 (21 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСОРНЫЕ МЭМС -- ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- КОРПУСИРОВАНИЕ НА УРОВНЕ ПЛАСТИН -- ТОНКОСЛОЙНОЕ КАПСУЛИРОВАНИЕ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ВЫВОДЫ -- КОНТАКТЫ -- МЕЖСОЕДИНЕНИЯ -- СОЕДИНИТЕЛЬНЫЕ СЛОИ -- ГАЗОПОГЛОТИТЕЛИ -- МЕМБРАННЫЕ СЕНСОРЫ -- СЕНСОРЫ ПИРАНИ -- БАЛОЧНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Часть 2 обзора посвящена методам и проблемам формирования вакуумплотных электрических выводов к контактным площадкам, сохранения и контроля вакуума в рабочих полостях МЭМС, а также общим тенденциям развития технологии корпусирования сенсорных МЭМС, направленным на уменьшение размеров корпусов за счет использования новых материалов и процессов для соединения пластин, а также на компьютеризацию моделирования, проектирования, производства, испытания и оценки надежности и жизнеспособности С МЭМС в единой системе обеспечения их жизненного цикла

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 13


    Абдуллаев, Д. А.
    Изменение набора применяемых материалов при уменьшении топологических норм производства интегральных микросхем / Д. А. Абдуллаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 32-38 : рис., граф. - Библиогр.: с. 37 (23 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА (ИМС) -- ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ НОРМЫ -- МЕДНЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ -- LOW-K ДИЭЛЕКТРИКИ -- HIGH-K ДИЭЛЕКТРИКИ -- АЛЮМИНИЕВЫЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Описывается, как изменяется набор используемых материалов в производстве интегральных микросхем при переходе от топологических норм 180 нм к топологических нормам 32 и 22 нм

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика