Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Главная

Новые поступления

Описание

Базы данных

Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и продолжающихся изданий

Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН

Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН

Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )

Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)

Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)

Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН

Публикации об УрО РАН

Изобретения уральских ученых

Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)

Нанотехнологии

Демидовские премии

Гибель династии Романовых

История Урала

Личная библиотека С. В. Вонсовского

Книжная коллекция Шубиных

Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН

Труды Института истории и археологии УрО РАН

Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН

Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН

Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН

Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН

Расплавы

Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН

Публикации Черешнева В.А.

Публикации Чарушина В.Н.

Каталог библиотеки ИГД УрО РАН

Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН

Электронная энциклопедия «Дискурсология»

Библиометрия

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ПЛЕНКА ТОНКАЯ<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Инвентарный номер: нет.

   П 12

    Павлов, С. В.
    Модель фазовых переходов в тонкой эпитаксиальной пленке сегнетоэлектрика на подложке / С. В. Павлов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 3. - С. 6-9 : рис. - Библиогр. : с. 9 (2 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ СПОНТАННАЯ
Аннотация: Pассмотpена феноменологическая модель фазовых переходов в тонких пленках сегнетоэлектриков с учетом пространственной неоднородности поляризации и неоднородности деформации, а также пьезоэлектрических и электрострикционных взаимодействий пленки с подложкой. Получены теоретические температурные зависимости спонтанной поляризации, поляризационного профиля и теплоемкости в пленке, а также зависимость температуры фазового перехода от толщины пленки на подложке. Показано, что теоретические зависимости удовлетворительно согласуются с экспериментальными результатами для тонких пленок титаната бария на подложке из оксида магния

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   О-62


    Оптимизация условий формирования тонких пленок ZnO для использования в интегральных МЭМС-устройствах / Д. Г. Громов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 27-30 : рис. - Библиогр. : с. 30 (17 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ZNO -- СОПРОТИВЛЕНИЕ УДЕЛЬНОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПЬЕЗОЭФФЕКТ -- РАСПЫЛЕНИЕ МАГНЕТРОННОЕ -- МЭМС-УСТРОЙСТВА
Аннотация: Представлены результаты исследований тонких пленок ZnO для использования в составе интегральных МЭМС-устройствах. Пленки ZnO:Ga получены в процессе магнетронного распыления соответствующей мишени в среде аргона без нагрева подложки. Показано, что удельное сопротивление и стабильность во времени пленок ZnO:Ga существенно зависит от их толщины, воздействия солнечного излучения, внешней окружающей среды. Комплекс доведенных исследований указывает на то, что ужиной нестабильности тонких пленок ZnO являются процессы генерации и залечивания кислородных вакансий, создающие донорные уровни в запрещенной зоне ZnO. Для формирования пленок ZnO с пьезоэлектрическими свойствами требуется осаждение в среде кислорода или последующий отжиг в аналогичной среде, а повышения стабильности пленок во времени можно достигнуть с помощью покрытия, защищающего от воздействия внешней газовой среды

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 73


    Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения / Е. В. Благов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 46-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ МИНИАТЮРНЫЙ -- СИСТЕМА ИНТЕГРИРОВАННАЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических узлов для реализации интегрированных наноэлектромеханических систем. Рассмотрены методы создания миниатюрного магнитного диполя на основе магнитожестких пленок Co80Ni20 и Fe19Ni81 Исследована зависимость чувствительности тонкопленочного магниторезистивного преобразователя от тока в управляющем проводнике

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Э 45


    Электропроводность в дисперсных металлических пленках / А. А. Агасиев, Э. М. Маггеррамов, Ч. Г. Ахундов, М. З. Мамедов, С. Н. Сармасов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 10. - С. 24-26 : рис. - Библиогр.: с. 26 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ТУННЕЛИРОВАНИЕ -- ДЕФЕКТ СТРУКТУРНЫЙ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Аннотация: Рассмотрена зависимость электропроводности платиновых и никелевых пленок различной толщины от температуры и напряженности электрического поля. Зависимость электропроводности от температуры и напряженности электрического поля можно объяснить как термоэлектронной эмиссией, так и моделью Нейгебауэра и Вебба

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 58


    Создание интегральных компонентов усиления магнитного сигнала в беспроводной МЭМС на основе магниторезистивных элементов / В. В. Амеличев, В. В. Аравин, А. Н. Белов, А. Ю. Красюков, А. А. Резнев, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 29-33 : рис. - Библиогр.: с. 33 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС БЕСПРОВОДНАЯ -- ПОЛЕ МАГНИТНОЕ -- ОСАЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ЭЛЕМЕНТЫ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ -- ПРИНЦИП ПОСТРОЕНИЯ -- ПЕРМАЛЛОЙ
Аннотация: Представлены результаты создания интегральных компонентов усиления магнитного сигнала на основе пленок пермаллоя. Рассмотрены способы повышения чувствительности магниторезистивных преобразователей и построения на их основе беспроводных МЭМС с магнитной связью для передачи информации на малые расстояния. Приведены результаты моделирования распределения магнитного поля в полосках пермаллоя. Представлены результаты формирования концентраторов магнитного поля толщиной 10...11 мкм с помощью электрохимического осаждения

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 61

    Амеличев, В. А.
    Технологические особенности создания беспроводной магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения / В. А. Амеличев, Е. В. Благов, Р. О. Гаврилов // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 7. - С. 13-15 : рис. - Библиогр.: с. 15 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
БАЛКА -- МЭМС МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ -- СПОСОБ БЕСПРОВОДНОЙ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- РАДИОКАНАЛ -- МИКРОМАГНИТ -- УСКОРЕНИЕ -- ПЛЕНКА ТОНКАЯ
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных работ по созданию совмещенной технологии изготовления магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения. Приведены результаты исследования совместимости технологических процессов объемной обработки кремния и формирования тонкопленочных магниторезистивных структур на одном кристалле. Рассмотрены возможности передачи по радиоканалу информационного сигнала магниторезистивной МЭМС контроля параметров движения

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)