Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   У 25


    Углеродные нанотрубные автоэмиттеры с большой плотностью эмиссионного тока: синтез и эмиссионные характеристики / Е. Ф. Куковицкий [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 10. - С. 5-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586

ББК 623.7
Рубрики: ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- ПОДЛОЖКИ КРЕМНЕВЫЕ -- СИЛИЦИД КРЕМНИЯ -- АВТОЭМИССИЯ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 29

    Селезнев, В. А.
    Чипы с полупроводниковыми трубками-зондами для сканирующей туннельной микроскопии / В. А. Селезнев, В. Я. Принц, И. А. // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 5-8 : рис. - Библиогр. : с. 8 (36 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСКОПИЯ СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ -- ТРУБКИ-ЗОНДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ -- ГЕТЕРОПЛЕНКИ НАПРЯЖЕННЫЕ
Аннотация: Описан метод массового изготовления чипов с трубчатыми зондами для сканирующей туннельной микроскопии из гетероструктур InP/InxGa1- xAs/InyGaj-yAs. Технология базируется на методах самосворачивания тонких напряженных гетеропленок в трубки, анизотропном и селективном травлении подложки InP и методах, используемых в технологии изготовления интегральных схем. Впервые изготовлены микротрубки из гетеропленок InxGa 1-xAs/InyGa 1-yAs с использованием селективного анизотропного травления подложки InP. Созданные чипы с полупроводниковыми трубками-зондами перспективны для применений в высоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, спиновой туннельной микроскопии и микроскопии ближнего поля

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Н 25


    Нанослои полипиромеллитимидных ориентантов жидких кристаллов для устройств органической электроники / Е. С. Кузьменко, А. А. Жуков, Е. П. Пожидаев, И. Н. Компанец // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 1-2 . - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОСЛОИ ПОЛИПИРОМЕЛЛИТИМИДНЫЕ -- ОРИЕНТАНТЫ ДЛЯ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ -- УСТРОЙСТВА ОРГАНИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация: Исследована структура, термодинамические и оптические свойства полипиромеллитимидных нанослоев толщиной 8-23 нм, полученных на поверхности полупроводника путем нанесения на центрифуге из растворов преполимеров, и их последующей имидизации при температурах до 453 К. Обнаружено, что с уменьшением толщины нанослоев температура и время их имидизации резко понижаются. Показано, что слои полиимида толщиной менее 10 нм на поверхности полупроводника являются не сплошными, а самоорганизующимися разрывными покрытиями с характерными размерами полимерных островков в плоскости подложки порядка сотен нанометров. Доказана возможность использования указанных сплошных и разрывных нанослоев поверхности полупроводника в качестве ориентантов для жидких кристаллов, используемых при изготовлении гибких дисплеев

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 80


    Морфология и структура углеродных нанотрубок, синтезированных на железном катализаторе в присутствии монооксида углерода / А. Г. Насибулин, С. Д. Шандаков, П. Р. Мудимела, Е. И. Кауппинен // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 3-4. - С. 29-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (47 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРУБКИ УГЛЕРОДНЫЕ -- КАТАЛИЗАТОР ЖЕЛЕЗНЫЙ -- МОНООКСИД УГЛЕРОДА
Аннотация: Данная статья посвящена обзору результатов, полученных нами при изучении процессов роста углеродных нанотрубок (УНТ) на различных подложках, используя железо в качестве катализатора и СО как источник углерода. В работе обсуждается три различных подхода для нанесения катализатора: металлизация распылением и синтез частиц, используя генератор раскаленной проволочки, и их ex situ и in situ осаждение. Показана возможность роста ультрадлинных, толстых одно- и двухслойных нанотрубок, а также упорядочивание УНТ по потоку. Изучено влияние диаметра однослойных УНТ на их деформацию на поверхности подложки. Кроме того, показана возможность управления количеством стенок УНТ в зависимости от экспериментальных условий. Обсуждается роль травящих агентов в ходе синтеза УНТ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   С 17


    Самосборка упорядоченных слоев микросфер диоксида кремния на вертикальной пластинке / С. П. Молчанов, П. В. Лебедев-Степанов [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , № 5-6 . - С. 54-58 : рис. - Библиогр. : с.58 (15 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МИКРОСФЕРЫ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ -- ПЛАСТИНКА ВЕРТИКАЛЬНАЯ СТЕКЛЯННАЯ -- САМОСБОРКА
Аннотация: Исследуются особенности формирования упорядоченной твердой фазы микросфер диоксида кремния из коллоидного раствора на поверхности стеклянной вертикальной пластинки. Изучены механизмы формирования твердой фазы при автоколебательном режиме движения контактной линии раствора и подложки, когда формируется структура переменной толщины. Установлена закономерность получения решетки гексагонального и кубического типа в такой системе частиц

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ш 75

    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Е 30

    Егоров, Г. П.
    Измерение внутренних напряжений в нанопленках in-situ / Г. П. Егоров, А. А. Волков, А. Л. Устюжанинов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 7-8 . - С. 74-78 : табл., рис. - Библиогр. : с. 78 (11 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОПЛЕНКИ IN-SITU -- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ НАПРЯЖЕНИЙ -- ПЛАСТИНА КОНСОЛЬНО ЗАКРЕПЛЕННАЯ
Аннотация: Описан метод измерения внутренних напряжений в нанопленках in-situ. Внутренние механические напряжения непосредственно влияют на работоспособность пленочных структур в микроэлектронных приборах. Метод основан на измерении прогибов консольно закрепленной пластины во время осаждения нанопленок в вакууме. В работе использован магнетронный способ нанесения покрытий в вакууме. Для определения прогиба консоли измерялась емкость конденсатора, образованного неподвижной обкладкой, закрепленной на стойке, и обкладкой, прикрепленной к свободному концу тонкой пластины. Для измерения малой емкости конденсатор включен в цепь мультивибратора. Проведены эксперименты по измерению напряжений in-situ при нанесении пленок Ti и Си на медные подложки. Установлено, что напряжения, возникающие в титановой пленке, - растягивающие, а в медной пленке - сжимающие, а их величина существенно меняется при напуске воздуха в вакуумную камеру. Полученные результаты показывают перспективность данного метода исследования механических напряжений в нанопленках не только для прямого измерения возникающих напряжений, но и эффектов взаимодействия газов с наноструктурными пленками in-situ

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 76

    Молчанов, С. П.
    Влияние температуры подложки на самосборку частиц в испаряющейся капле коллоидного раствора / С. П. Молчанов, П. В. Лебедев-Степанов, М. В. Алфимов // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 61-66 : рис., табл. - Библиогр. : с. 66 (18 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КАПЛЯ КОЛЛОИДНОГО РАСТВОРА -- СИЛЫ САМОСБОРКИ -- ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ
Аннотация: Показано, что морфологией ансамбля коллоидных частиц, осажденных на подложку из испаряющейся капли коллоидного раствора, можно управлять, изменяя температуру подложки относительно температуры наносимого раствора и окружающей среды. Обсуждаются основные движущие силы самосборки при наличии градиента температуры внутри капли

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   И 88


    Исследование структуры однослойных покрытий TiN и многослойных покрытий TiN/ZrN / П. Л. Журавлева, И. А. Тренинков [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 9-10. - С. 112-116 : рис., табл. - Библиогр. : с. 116 (4 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПОКРЫТИЯ ОДНОСЛОЙНЫЕ TIN -- ПОКРЫТИЯ МНОГОСЛОЙНЫЕ TIN/ZRN -- МЕТОД ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ (пэм) -- МЕТОД РЕНТГЕНОСТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА (РСА)
Аннотация: B работе исследована структура ионоплазменных покрытий (однослойное - TiN и многослойное - TiN/ZrN), нанесенных на подложки из сплава ЭИ961, и определены величины остаточных напряжений в основных фазах покрытий. Исследование методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) показало, что покрытие TiN/ZrN имеет периодичную слоистую структуру. Измерены толщины покрытий (~ 17 мкм) и толщины отдельных слоев (~ 75 нм). Результаты темнопольных исследований методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) показали, что слои TiN и ZrN являются поликристаллическими, размеры зерен сопоставимы с размерами слоев. Методом рентгеноструктурного анализа (РСА) определен фазовый состав покрытий, выбраны рентгеновские линии для определения остаточных напряжений (ОН), установлена однородность химического состава по глубине покрытия. В результате анализа остаточных напряжений показано, что в многослойном покрытии величина ОН на 40 % меньше, чем в однослойном. Напряжения в покрытиях являются сжимающими. Образцы с покрытием находятся в объемном напряженном состоянии, следовательно, напряжения в подложках обратны по знаку напряжениям в покрытиях. В многослойном покрытии величина ОН в фазе TiN на порядок меньше, чем в фазе ZrN

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   В 58


    Влияние компонентов дисперсионной среды на структуру и свойства металл-полимерных композиций на основе наночастиц серебра и золота / А. И. Лоскутов, О. Я. Урюпина, В. В. Высоцкий, М. Р. Киселев // Нанотехника. - 2010. - № 1. - С. 39-45 : табл., рис. - Библиогр. : с. 45 (8 назв.) . - ISSN 1816-4498

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ СЕРЕБРА И ЗОЛОТА -- СВОЙСТВА МЕТАЛЛ-ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ -- СРЕДА ДИСПЕРСИОННАЯ
Аннотация: Методами зондовой микроскопии, оптической спектроскопии, динамического рассеяния света и термогравиметрии исследованы процессы образования наночастиц (НЧ) серебра и золота в коллоидных растворах и формирования новых металл-биополимерных нанокомпозитных материалов на твердых поверхностях. Установлена связь между химической активностью функциональных групп в макромолекулах оксицеллюлозы и средними размерами НЧ золота в коллоидных растворах. Размеры НЧ золота в коллоидных растворах практически совпадают с размерами НЧ золота в нанокомпозитных слоях. Наличие НЧ золота увеличивает термическую прочность металл-полимерных композиций. Существенную роль в повышении термической прочности играет и взаимодействие НЧ с подложкой. Замена восстановителей золота (формальдегид, танин) на производные целлюлозы приводит к изменению структуры полимерной матрицы: от глобулярной к фибриллярной вследствие уменьшения числа межмолекулярных связей целлюлозы. Этот же эффект наблюдается и при взаимодействии дисперсионной среды со свежеприготовленной поверхностью подложки. Локальные туннельные вольтамперные характеристики (ЛТВАХ) нанокомпозитных слоев имеют нелинейный вид. Нелинейность ЛТВАХ и, в частности, их S-образная форма, обусловлены механизмом переноса заряда через полимерную матрицу. Ширина запрещенной зоны композитов на основе НЧ серебра составляет 0,5-0,7 эВ, а золота - близка к нулю. Основными механизмами проводимости нанокомпозитных слоев являются: токи, ограниченные пространственным зарядом, и механизм Пула-Френкеля. Предложена модель формирования нанокомпозитных слоев и рассмотрены области их практического применения

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-38

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)