Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 96


   
    Пьезоэлектрический датчик магнитного поля на основе планарной биморфной структуры с током / Ю. К. Фетисов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИК -- ЦИРКОНАТ-ТИТАНАТ СВИНЦА
Аннотация: Описан пьезоэлектрический датчик постоянных магнитных полей в виде планарной биморфной структуры из цирконата-титаната свинца с дополнительным токовым проводником. Принцип работы датчика основан на комбинации силы Ампера и пьезоэффекта. Чувствительность датчика на частоте резонанса изгибных колебаний структуры составляет 10 В / (А . кЭ), а напряженность минимального регистрируемого поля -0,1 Э

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Д 20


   
    Датчик постоянного магнитного поля на основе пьезоэлектрического преобразователя и многовиткового контура с током / А. Г. Итальянцев, Ю. В. Шульга, Ю. К. Фетисов, Д. В. Чашин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 41-45 : рис. - Библиогр.: с. 45 (3 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЦТС-КЕРАМИКА -- СИЛА АМПЕРА -- СТРУКТУРА БИМОРФНАЯ -- ЭЛЕМЕНТ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ -- ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ -- КОНТУР МНОГОВИТКОВЫЙ
Аннотация: Описана новая конструкция магниточувствительной MEMS, принцип действия которой основан на комбинации прямого пьезоэлектрического эффекта и силы Ампера. Теоретически и экспериментально обоснованы физические и конструкционные принципы увеличения чувствительности таких структур к постоянным магнитным полям. Выведено каноническое выражение для чувствительности первичных преобразователей на основе изгибного пьезоэлемента и многовиткового контура с током на резонансной частоте преобразователя. Экспериментально показано, что чувствительность предлагаемых MEMS многократно превышает чувствительность ближайших аналогов и достигает 104 В/(Тл-А)

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика