Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и продолжающихся изданий (111)Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН (40)Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН (7)Интеллектуальная собственность (статьи из периодики) (1)Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН (2)Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН (33)Расплавы (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ЭЛЕКТРОНЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.
Инвентарный номер: 201309 - бр.ф.; 201310 - кх; 201359 - кх.
   В38
   С 59

    Соковнин, Сергей Юрьевич.
    Наносекундные ускорители электронов и радиационные технологии на их основе [] : [учеб. пособие для вузов] / С. Ю. Соковнин ; [отв. ред. С. П. Никулин] ; РАН, УрО, Ин-т электрофизики, УГТУ-УПИ. - Екатеринбург : [б. и.], 2007. - 224, [1] с. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 5-7691-1840-7 : 20.00 р.
ГРНТИ
29.05
ББК В381.1я73
Рубрики: ФИЗИКА--ФИЗИКА АТОМНОГО ЯДРА И ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ЧАСТИЦ--УЧЕБНИКИ ДЛЯ ВУЗОВ
Кл.слова (ненормированные):
УСКОРИТЕЛИ НАНОСЕКУНДНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИИ ЯДЕРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИИ РАДИАЦИОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОНЫ (УСКОРИТЕЛИ НАНОСЕКУНДНЫЕ) -- ФИЗИКА (УСКОРИТЕЛИ НАНОСЕКУНДНЫЕ)

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17

    Зайцев, Н. А.
    Модель поведения электронов в структуре сегнетоэлектрика [Текст] / Н. А. Зайцев, Ю. М. Пастухова // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 2. - С. 43-45. - Библиогр.: с. 45 (8 назва.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ХОЛОДНЫЙ КАТОД -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК -- ЭЛЕКТРОНЫ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 88

   
    Использование сверхмногослойных наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую [Текст] / В. Б. Ануфриенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 8. - С. 30-38 : рис., табл. - Библиогр.: с. 37-38 (12 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВТОРИЧНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ПРЯМОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ -- МНОГОСЛОЙНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Аннотация: Рассмотрено применение нанотехнологий для решения одной из проблем прямого преобразования ядерной энергии в электрическую, минуя тепловую стадию преобразования. Установлено, что применение тонких слоев (толщина в десятки нанометров) в ячейке преобразователя ядерной энергии в электрическую позволяет примерно на два порядка повысить КПД преобразователя, работающего на вторичных электронах, по сравнению с ячейкой с "толстыми слоями". Обоснована целесообразность изготовления гибридных источников тока, включающих в себя преобразователи энергии на вторичных электронах и суперконденсаторы

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 68

    Волобуев, А. Н.
    Распределение электронов в нанопленках металлов при взаимодействии с электромагнитным излучением / А. Н. Волобуев, А. В. Скворцов // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 3. - С. 2-7 : рис. - Библиогр. : с. 7 (9 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ -- ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ФОТОН -- КВАНТОВОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА

Найти похожие
5.
Инвентарный номер: нет.
   
   Х 17

    Халилов, Р. З.
    Релаксация электронов в иттрий-железистом гранате / Р. З. Халилов, Н. В. Воробьева // Нанотехника. - 2009. - № 1. - С. 103-106 : ил. - Библиогр. : с. 106 (6 назв.)
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- МАГНИТНАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ

Найти похожие
6.
Инвентарный номер: 204864 - кх.
   648.5
   Ц 67

    Ципенюк, Юрий Михайлович.
    Фундаментальные и прикладные исследования на микротроне [] : монография / Ю. М. Ципенюк. - М. : Физматлит, 2009. - 424.00 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 423-424. - ISBN 978-5-9221-1035-8 : 271.40 р.
ГРНТИ
47.49.29
ББК 648.5
Рубрики: РАДИОЭЛЕКТРОНИКА--ЭЛЕКТРОНИКА

Найти похожие
7.
Инвентарный номер: 207876 - кх.
   623
   Н 25

   
    Наноинженерия поверхности. Формирование неравновесных состояний в поверхностных слоях материалов методами электронно-ионно-плазменных технологий [] : монография / А. И. Лотков [и др.] ; отв. ред.: Н. З. Ляхов, С. Г. Псахье ; РАН, СО, Ин-т физики прочности и материаловедения. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2008. - 275, [1] с. : граф., ил., табл. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-7692-0982-6 : 350.00 р.
ГРНТИ
81.09
ББК 623.0630-1с
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ--СЫРЬЕ--МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ

Найти похожие
8.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Открытие физических принципов упрочнения материалов слоями объемного заряда / Ф. И. Высикайло, В. С. Тивков // Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 27-34 : рис. - Библиогр. : с. 34 (15 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЛОИ ОБЬЕМНОГО ЗАРЯДА -- НАНОТРУБКИ -- УПРОЧНЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ
Аннотация: Впервые обсуждается возможность упрочнения композитных материалов формированием на их поверхности слоев объемного заряда. В качестве ловушек для свободных электронов, формирующих отрицательно заряженный слой объемного заряда на поверхности упрочняемого материала, можно использовать фуллерены, нанотрубки и иные наноструктуры с большим сродством к электрону. Эти наноструктуры с большим сродством к электрону (модификаторы) присоединяют к себе свободные электроны и тем заряжают положительным зарядом модифицируемый материал. Как показывают аналитические расчеты, модификация прочностных характеристик композитных материалов слоями объемного заряда возможна в десятки раз! Проведены аналитические расчеты резонансных объемных процентных концентраций модификатора, при известных характерных размерах нанокристалла и самого модификатора. Согласно аналитическим расчетам можно надеяться на упрочнение молекулами Cgg до 104 ГПа кристаллов меди и других материалов со свободными электронами

Найти похожие
9.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 35

   
    Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов / В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ ВТОРИЧНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ ПРЯМОЕ -- МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- СТРУКТУРЫ МДМ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно

Найти похожие
10.
Инвентарный номер: нет.
   
   В 93

    Высикайло, Ф. И.
    Поляризация аллотропных полых форм углерода и ее применение в конструировании нанокомпозитов / Ф. И. Высикайло // Нанотехника. - 2011. - № 1. - С. 19-37 : рис. - Библиогр. : с. 37 (27 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КОНСТРУИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТОВ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- КУМУЛЯЦИЯ -- ЛЕГИРОВАНИЕ ХИМИЧЕСКОЕ И ФИЗИЧЕСКОЕ -- РЕЗОНАТОРЫ
Аннотация: Предложена аналитическая модель поляризационных резонансных взаимодействий аллотропных полых форм углерода с квантовыми заряженными частицами с полной энергией E > 0. Задача сведена к классическому квантово-механическому эффекту: «частица в ящике» (Q-частица), в котором энергетические состояния (например, кинетическая энергия электронов проводимости) определены размерами ящика с поляризационными силами, локально действующими как самоорганизующийся потенциальный барьер или «зеркало», возвращающее заряженную частицу с положительной резонансной энергией обратно в поляризующийся «ящик». Аналитически исследованы квантовые пары резонанса (wn(r)-функции электронов и их резонансные энергии - En > 0) при поляризационном захвате свободных электронов с резонансной энергией сферически симметричными полыми молекулами с характерным радиусом R - квантовыми резонаторами для волн де Бройля электронов. Проведено сравнение аналитических расчетов собственных энергий квантовых резонаторов с имеющимися в литературе экспериментальными резонансными сечениями захвата (прилипания) электронов (с En > 0)молекулами С60 и С70. В результате сравнения доказана важность учета поляризации полой молекулы в стабилизации эндоионов фуллеренов с эндоэлектронами (солитонами) с энергией активации от 0,2 до 12 эВ для С60 и С70. Характерный размер квантового ящика, в котором локализуется электрон, из-за действия поляризационных сил вне поляризующейся полой молекулы, увеличивается на r ind (R > R + r ind). В соответствии с имеющимися экспериментами по резонасному захвату электронов классифицированы квантовые точки, линии и ямы в зависимости от знака полной энергии электронов на бесконечности от квантового «ящика». В классических строго финитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы En < 0(FQ-частицы), а в ограниченных поляризационными силами инфинитных квантовых структурах полная энергия квантовой частицы на бесконечности от поляризующегося квантового ящика En > 0, но поляризационные силы локализуют такие заряженные частицы с резонансными кинетическими энергиями En > 0 (IQ-частицы) в области поляризующегося квантового «ящика». Впервые исследована неограниченная кумуляция волн де Бройля (wn-функции) электронов (IQ-частиц), захваченных С60-поляризующимися, сферически симметричными, квантовыми поляризующимися резонаторами для электронов с E > 0. В качестве доказательства явления кумуляции свободных электронов с полной энергией E > 0 (IQ-частиц) к центру полой молекулы аналитически решено стационарное уравнение Шредингера (Гельмгольца): ^w(r) + kn 2 w(r) = 0 с учетом кумулирующих свободный электрон поляризационных сил. Эндоэлектрон имеет положительную полную энергию, но из-за поляризационных сил, действующих на него, постоянно отражается от поляризационного барьера и кумулирует к центру полой молекулы, в результате формируется отрицательный эндоион атом наоборот) с электроном с E > 0 запертым поляризационными силами в области полой молекулы. Действие поляризационных сил в модели учтено сферически (для фуллеренов) или цилиндрически (для нанотрубок) симметричным бесконечным потенциальным барьером, локализующимся за границами полой молекулы на расстоянии rind от ее поверхности. Отличное совпадение аналитических расчетов для квантовых точек (IQ-частиц) в фуллеренах с имеющимися в литературе экспериментальными наблюдениями подтверждает достоверность предложенной аналитической модели для описания поляризационного захвата полыми молекулами свободных электронов с резонансной энергией En > 0. Для полых аллотропных форм углерода, формирующихся на базе пентагонов или гексагонов с sp2-связью (в своей основе) определено r ind = 0,26 нм - оптимальное расстояние от полой молекулы, на котором наиболее эффективно действует поляризационное «зеркало». Показано, что в результате локализованного в области квантового резонатора, дуального процесса (кумуляции к центру и распыла от центра кумуляции) происходит формирование стоячей волны де Бройля электрона (как и в атоме или квантовой точке FQ типа). Этим доказана возможность формирования отрицательно заряженных эндоионов фуллеренов с захваченными во внутреннюю полость электронами (эндоэлектроны) с резонансной энергией. Эндоэлектроны в эндоионе фуллеренов и нанотрубок не вступают в 19 химические связи с атомами углерода, поэтому ожидать модификацию связей в С60 или нанотрубке и соответствующий сдвиг спектров молекулы С60 на 5-6 см-1, как в случае интеркалирования, не приходится. Эффект кумуляции электронов в полые молекулы (ловушки для электронов) может быть применен для управления в полупроводниках: концентрацией носителей заряда, их термическими, электрическими свойствами и упрочнения материалов со свободными электронами. Квантовые свойства поляризующихся резонаторов, самосогласованные с резонансной энергией активации электронов, могут обуславливать резонансный (колебательный) характер изменения параметров нанокомпозитов в зависимости от их характерного размера D и объемной концентрации квантовых модификаторов (С60). Покрывая нанокристаллы слоями ловушек для электронов можно управлять параметрами нанокомпозитных полупроводников, применяя этот квантово-размерный эффект. Впервые доказано, что в нанокомпозитных материалах пара «собственная функция -собственная энергия» составляющие квантовое состояние в наномире, помеченное основным квантовым числом n, в мезомире легируемых ловушками нанокомпозитов заменяется двумя параметрами наномира: диаметром нанокристалла - D и резонансной относительной концентрацией модификатора (ловушки, например С60)- r n. Доказано, что в кумулятивно-диссипативных конвективных структурах микромира (IQ-частицах) возможны самокумуляция (в виде явно выраженного пульсирующего в резонаторе солитона) массы, энергии, импульса, заряда и электрического поля, обусловленные кулоновскими (поляризационными) силами. Электроны, захваченные полыми поляризующимися сферически симметричными молекулами (например, С60) являются одномерными квантовыми IQ-точками с полной квантующейся энергией En > 0, зависящей от характерного эффективного размера квантового ящика R + r ind. Обсуждается возможность самосборки полых аллотропных форм углерода на резонансных электронах

Найти похожие
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика