Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Амеличев, В. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20  
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 17


   
    Разработка и создание опытных образцов искусственных тактильных механорецепторов для эндоскопии [Текст] / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 2. - С. 30-33 : рис. - Библиогр. : с. 33 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 68
Рубрики: ТРАНСПОРТ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТАКТИЛЬНЫЙ ДАТЧИК

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 24


   
    Расчет параметров тестовой структуры МЭМС-акселерометра, изготовленного с использованием КНИ-пластин / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2009. - № 12. - С. 39-45 : рис., табл. - Библиогр. : с. 45 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЭМС -- КНИ -- АКСЕЛЕРОМЕТР

Найти похожие

3.
Инвентарный номер: нет.
   
   А 67


   
    Анизотропные магниторезистивные преобразователи на основе ферромагнитных нано- структур с различным содержанием кобальта / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 22-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ АНИЗАТРОПНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- НАНОСТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ФЕРРОМАГНИТНАЯ
Аннотация: Представлены результаты научных исследований и разработки анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля и тока на основе тонкопленочных металлических ферромагнитных наноструктур с различным содержанием кобальта

Найти похожие

4.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 27


    Амеличев, В. В.
    Перспективная технология изготовления высокодобротных кремниевых микромеханических резонаторов / В. В. Амеличев, И. В. Годовицын, Д. А. Сайкин // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 4. - С. 39-45 : рис. - Библиогр. : с. 45 ( 11 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕЗОНАТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ МИКРООБРАБОТКИ КРЕМНИЯ -- КНИ-ПЛАСТИНЫ
Аннотация: Описана разработка технологии изготовления высокодобротных кремниевых резонаторов с использованием КНИ-пластин. К достоинствам разработанной технологии можно отнести необходимость только одного процесса анодной посадки и только одного стекла, обработка которого ограничивается формированием углублений для геттера. Обработка КНИ-пластины и стекла ведется групповым способом, анодная сварка проводится на заключительном этапе обработки. Сформирована структура резонатора в герметизированной камере. Показано, что значения основных электрофизических параметров структуры (сопротивление подвесов, наряжение притягивания) соответствуют расчетным. Проанализированы перспективы разработанной технологии

Найти похожие

5.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 61


   
    Миниатюрные тензорезистивные преобразователи давления: итоги двадцатипятилетия / И. В. Годовицын [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 7. - С. 29-41 : рис., табл. - Библиогр. : с. 41 (31 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЕ
Аннотация: Проведен анализ разработок в области миниатюрных тензорезистивных преобразователей давления с 1985 года по настоящее время. Показано основное отличие миниатюрных преобразователей давления от традиционных - формирование мембраны с помощью осаждения - и вытекающие из этого конструктивно-технологические особенности миниатюрных преобразователей. Проанализированы достоинства и недостатки миниатюрных преобразователей давления. Даны характерные примеры применений миниатюрных преобразователей давления. Показана необходимость увеличения чувствительности миниатюрных преобразователей давления для повышения их привлекательности как средства измерения

Найти похожие

6.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 59


   
    Микросистема контроля двух компонент вектора магнитной индукции на основе наноразмерных магниторезистивных структур / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр. : с. 35 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТОРЫ -- МОСТ УИТСТОНА -- РАЗБАЛАНС НАПРЯЖЕНИЙ
Аннотация: Изготовлены и исследованы двухкоординатные датчики магнитного поля с использованием анизотропных магниторезисторов с полюсом барбера в двух вариантах топологии. Установлено, что распределение магнетосопротивлений по пластине влияет на разбаланс выходных напряжений моста Уитстона и мало влияет на чувствительность. Компактное топологическое расположение магнетосопротивлений уменьшает разбаланс мостов Уитстона

Найти похожие

7.
Инвентарный номер: нет.
   
   П 84


   
    Профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства регистрации магнитных меток / В. В. Амеличев [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 52-54 : рис. - Библиогр. : с. 54 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
УСТРОЙСТВО БИОСЕНСОРНОЕ -- БИОМАТЕРИАЛ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- МЕТКА МАГНИТНАЯ -- СТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ
Аннотация: Разработана конструкция профилированного магниторезистивного микрочипа биосенсорного устройства регистрации магнитных меток, представляющая собой массив чувствительных элементов, размещенных на кремниевом кристалле. Показан способ организации выборки массива, позволяющий минимизировать необходимое число выводов микрочипа. Разработана сложносовмещенная технология, обеспечивающая формирование на одном кристалле тонких мембран, полупроводниковых активных элементов и тонкопленочных магниторезистивных наноструктур

Найти похожие

8.
Инвентарный номер: нет.
   
   И 73


   
    Интегрированная наноэлектромеханическая система параметров движения / Е. В. Благов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 46-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (4 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЛЕНКА ТОНКАЯ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ -- ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ МИНИАТЮРНЫЙ -- СИСТЕМА ИНТЕГРИРОВАННАЯ НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ
Аннотация: Представлены результаты исследования конструктивно-технологических узлов для реализации интегрированных наноэлектромеханических систем. Рассмотрены методы создания миниатюрного магнитного диполя на основе магнитожестких пленок Co80Ni20 и Fe19Ni81 Исследована зависимость чувствительности тонкопленочного магниторезистивного преобразователя от тока в управляющем проводнике

Найти похожие

9.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 61


   
    Миниатюрный тензорезистивный преобразоватеаь давления с высокой чувствительностью / И. В. Головицын, В. В. Амеличев, В. В. Панков, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 6. - С. 26-29 : рис., табл. - Библиогр.: с. 29 (19 назв.) . -
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТЕНЗОРЕЗИСТОРЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ МИКРООБРАБОТКИ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ДАВЛЕНИЯ МИНИАТЮРНЫЕ
Аннотация: Описана разработка технологического маршрута и изготовление миниатюрного преобразователя давления на КНИ-структуре, предложенного ранее. Преобразователь имеет тензорезисторы из монокристаллического кремния и мембрану из поликристаллического кремния. Структура преобразователя формируется с помощью технологии поверхностной микрообработки с применением односторонней обработки пластины. Изготовлены два варианта преобразователя - с кольцевым концентратором напряжений на мембране, сформированным из пассивирующего слоя толщиной 1,2 мкм, и без концентратора. Проведены измерения основных параметров преобразователя при температуре +20, -50 и +60 °С. Оба варианта демонстрируют чувствительность около 24 мВ-(В•атм)-1. Проведен анализ параметров преобразователей с точки зрения влияния технологических факторов

Найти похожие

10.
Инвентарный номер: нет.
   
   К 65


   
    Конструкция и технология создания матриц преобразователей давления для эндоскопических тактильных датчиков / В. В. Амеличев, В. М. Буданов , Д. В. Гусев, Ю. А. Михайлов, М. Э. Соколов , В. С. Суханов, Р. Д. Тихонов // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 11. - С. 27-30 : рис. - Библиогр.: с. 30 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК ТАКТИЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ
Аннотация: Разработана и исследована новая конструкция кристаллов матриц интегральных преобразователей давления МИПД-7для тактильных датчиков на основе плоских кремниевых мембран с тензорезистивными преобразователями. Тактильные датчики на основе МИПД-7 прошли полный цикл клинических испытаний в составе эндохирургической аппаратуры

Найти похожие

 1-10    11-20  
 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика