Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мозалев, А. М.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   Н 25


   
    Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия / А. С. Басаев [и др.] // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 3-4. - С. 31-38 : рис. - Библиогр. : с. 38 (51 назв.) . - ISSN 1992-7223
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАТЕРИАЛ УГЛЕРОДНЫЙ НАНОКОМПОЗИТНЫЙ -- ОКСИД АЛЮМИНИЯ ПОРИСТЫЙ -- ПРОЦЕСС СИНТЕЗА
Аннотация: Рассматривается процесс синтеза нанокомпозитного углеродного материала с упорядоченной структурой в матрице из пористого анодного оксида алюминия. Матрица с высокоупорядоченной структурой обеспечивает формирование массива ориентированных углеродных трубок с высоким аспектным отношением (больше 1000) в поликристаллическом анодном оксиде алюминия. Полученный материал исследован с помощью сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, Оже-, ИК- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии

Найти похожие

2.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 74


    Мозалев, А. М.
    Интегральные высокочастотные конденсаторы с наноструктурными анодно-оксидными диэлектриками / А. М. Мозалев, А. Н. Плиговка, А. О. Крупко // Нанотехника. - 2011. - № 3. - С. 65-73 : рис., табл. - Библиогр. : с. 73 (21 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МЕХАНИЗМ ИОННО-РЕЛАКСАЦИОННЫЙ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ЧАСТОТНЫЕ
Аннотация: С помощью тонкопленочной технологии и анодирования изготовлены интегральные конденсаторы с тремя типами диэлектриков из наноструктурных анодных оксидов Al, сплава Al-Si (1%) и двухслойной системы Al/Ta. Конденсаторы обладают высокими пробивными напряжениями (до 270 В), малыми токами утечки (< 6 10-11 Аl/мм2 при 10 В) и низкими диэлектрическими потерями (tgS порядка 10-3 ). Обнаруженная дисперсия диэлектрической проницаемости и особенности температурных и частотных зависимостей tgd в диапазоне до 300 МГц свидетельствуют о ионно-релаксационном механизме поляризации со временем релаксации от 10 до 100 мкс в зависимости от типа диэлектрика. Конденсаторы эффективны как на низких частотах до 10 кГц, так и на радиочастотах

Найти похожие

 

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика