Центральная Научная Библиотека УрО РАН

Инвентарный номер: нет.

   О-75


    Особенности характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двучзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл [Текст] / М. Л. Бараночников [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2008. - № 12. - С. 45-48 : рис. - Библиогр. : с. 48 (6 назв.)

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
КНИ-СТРУКТУРА -- ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА -- ДВУХЗАТВОРНАЯ УПРАВЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА -- МОП-ТРАНЗИСТОР -- ТОК-ЗАТВОРНЫЕ И ХОЛЛ-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Аннотация: Проведены измерения ток-затворных и холл-затворных характеристик КНИ полевых датчиков Холла с двухзатворной управляющей системой типа металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. Продемонстрирована возможность управления характеристиками КНИ ПДХ путем раздельного и совместного упрваления потенциалами затворов.

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   М 74

    Мокров , Е. А.
    Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком / Е. А. Мокров , Е. М. Белозубов, Н. Е. Белозубова // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 31-36 : рис. - Библиогр. : с. 36 (8 наим.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЕМКОСТНЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ДИЭЛЕКТРИК ДЕФОРМИРУЕМЫЙ
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с деформируемым диэлектриком с планарными и цилиндрическими электродами. Определены оптимальные соотношения их основных элементов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   З-17

    Зайцев, Н. А.
    Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Б 43

    Белозубов, Е. М.
    Тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком / Е. М. Белозубов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 4. - С. 48-53 : рис. - Библиогр. : с. 53 (6 назв.)

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ -- ДИЭЛЕКТРИК МОНОЛИТНЫЙ
Аннотация: Рассмотрены тонкопленочные емкостные микроэлектромеханические системы с монолитным диэлектриком. Показаны преимущества и недостатки различных вариантов построения таких систем

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Г 55

    Глухова , О. Е.
    Электронные и упругие свойства графана - нового материала электроники: квантово-химическое и эмпирическое исследования / О. Е. Глухова , М. М. Слепченков // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 8. - С. 22-24 : рис. - Библиогр. : с. 24 (5 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦА ГРАФАНОВАЯ -- СЖАТИЕ ПРОДОЛЬНОЕ -- ПСЕВДОМОДУЛЬ ЮНГА
Аннотация: С помощью молекулярно-механического метода установлено, что насыщенная водородом наночастица графена (графан) является эластичным материалом. При этом модуль упругого сжатия графана зависит от его размеров, что позволяет определить линейные параметры графана с максимальным для этого материала модулем Юнга. Полуэмпирическим методом РМ3 исследована электронная структура графановых наночастиц. Установлено, что графановые наночастицы можно характеризовать как диэлектрик, у которого энергетическая щель электронного спектра уменьшается с наращиванием длины, стремясь к определенному значению. При этом также убывает и ионизационный потенциал. Проведен сравнительный анализ рассчитанных величин с аналогичными параметрами однослойных нанотрубок

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с МДП-структурой (часть 1) / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 27-37. - Библиогр. : с. 37 (82 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 10 . - С. 28-41. - Библиогр. : с. 41 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания "эры" данного типа приборных структур

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Г 69

    Горкунов, М. В.
    Моделирование оптических свойств наноразмерных решеток металл-диэлектрик методом собственных мод / М. В. Горкунов, Е. В. Подивилов, Б. И. Стурман // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5 , №3-4. - С. 92-97 : рис. - Библиогр. : с. 97 (14 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
РЕШЕТКИ НАНОРАЗМЕРНЫЕ -- МЕТОД СОБСТВЕННЫХ МОД -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК
Аннотация: Показано, что широко распространенная концепция оптических собственных мод в волноводных системах без потерь, подразумевающая разделение на распространяющиеся и эванесцентные моды, требует пересмотра при приложении к структурам металл-диэлектрик. В дополнение, к известным существует последовательность аномальных собственных мод с комплексными константами распространения. Последовательный учет аномальных мод позволил разработать новый метод моделирования оптических свойств субволновых металлических решеток с наноразмерными щелями. На основе расчетов спектров пропускания и отражения продемонстрирована возможность применения таких структур для эффективной спектральной фильтрации оптических сигналов

Найти похожие

Инвентарный номер: нет.

   Ш 75

    Шмырева, А. Н.
    Электронные сенсоры на основе наноструктурных пленок оксида церия / А. Н. Шмырева, А. В. Борисов, Н. В. Максимчук // Российские нанотехнологии. - 2010. - Т. 5, № 5-6 . - С. 99-104 : рис., табл. - Библиогр. : с.104 (24 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СЕНСЕРЫ ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ПЛЕНКИ НАНОСТРУКТУРНЫЕ -- МЕТОД РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Аннотация: Изучено влияние технологических параметров получения наноструктурных пленок СеОх на электронные, структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики с целью их применения в качестве активного элемента различных микроэлектронных сенсоров: высокоэффективных фоторезисторов и МДП-фотодиодов для регистрации биолюминесценции, ион-селективных полевых транзисторов (ИСПТ) и МДП-варакторов, реагирующих на изменение рН в результате биохимических процессов. Анализ методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии РФЭС показал, что в зависимости от технологических режимов, прежде всего от температуры подложки, изменяется соотношение концентраций ионов Се3+ и Се4+ в пленках СеОх, что приводит к изменению ширины запрещенной зоны. Установлена корреляция этих изменений с оптическими и фотоэлектрическими характеристиками. На основе разработанных высокочувствительных фотоприемников и живых организмов (дафнии и биолюминесцентные бактерии) создан портативный электронный биолюменометрический комплекс для определения общей токсичности среды, вызванной патулином, бифентрином и хлорпирофосом. Минимальный порог чувствительности составил для патулина 0.1 мг/л за 2 ч и 0.01 мг/л за 6 и 24 ч эксперимента, бифентрина - 0.01 мг/л за 3 ч и 0.0001 мг/л за 24 ч эксперимента. Показано, что применение нанокристаллических пленок оксида церия СеОх в качестве диэлектрика МДП-структур повышает чувствительность и стабильность сенсоров этого типа благодаря высокой плотности поверхностных чувствительных центров CeOх (до 1020 м-2), большому значению диэлектрической проницаемости (? = 26) и ширине запрещенной зоны (3.6 эВ), низким значениям токов утечек. Приведены результаты применения ИСПТ и МДП-варакторов с нанокристаллической пленкой CeOх для создания иммунных и ферментных биосенсоров. Порог чувствительности ферментного сенсора на основе холинэстеразы к фосфорорганическим пестицидам составляет 10-9 М, ионам тяжелых металлов - 10-7 М. рН-чувствительность ИСПТ - 58 мВ/рН, что близко к максимально возможной чувствительности для структуры полупроводник-диэлектрик-раствор, т.н. Нернстовской чувствительности - 59 мВ/рН

Найти похожие

10.

Инвентарный номер: нет.

   И 35


    Изготовление и исследования свойств наноструктур для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов / В. А. Чернов, А. Н. Палагушкин [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 2-9 : рис., табл. - Библиогр. : с. 9 (18 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ ВТОРИЧНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ ПРЯМОЕ -- МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- СТРУКТУРЫ МДМ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Аннотация: Обоснованы требования к наноструктурам металл- диэлектрик-металл (МДМ-структуры), применяемым для прямого преобразования ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Описаны методы изготовления МДМ-структур - метод магнетронного ионно-плазменного распыления и метод электронно-лучевого распыления. Изложены свойства изготовленных МДМ-структур W-Al2O3-Al с толщиной слоев 10, 100 и 10 нм соответственно

Найти похожие

11.

Инвентарный номер: нет.

   А 16

    Абрамов, И. И.
    Проблемы и принципы физики и моделирования приборных структур микро- и наноэлектроники. viii. нанотранзисторы с мдп-структурой / И. И. Абрамов // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 11. - С. 29-42. - Библиогр. : с. 42 (148 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОЭЛЕКТРОНИКА -- СТРУКТУРА МДП
Аннотация: В данной части работы проанализированы модели кремниевых нанотранзисторов со структурой металл- диэлектрик-полупроводник (МДП). Оценены перспективы развития электроники после окончания «эры» данного типа приборных структур

Найти похожие

12.

Инвентарный номер: нет.

   О-53

    Олейник, А. С.
    Регистрация лазерного излучения пленочными реверсивными средами на основе диоксида ванадия / А. С. Олейник, А. В. Федоров // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 5-6. - С. 120-129 : рис., табл. - Библиогр. : с. 129 (22 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД ВАНАДИЯ -- СРЕДЫ ПЛЕНОЧНЫЕ РЕВЕРСИВНЫЕ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ
Аннотация: В статье описаны пленочные реверсивные среды на основе диоксида ванадия Al-VO2-Д (диэлектрик) и VO2-Д (диэлектрик), реализующие изменение соответственно оптических и электрических свойств при фотоиндуцированном фазовом переходе полупроводник-металл (ФППМ). Среды получены путем окисления на воздухе напыленных в вакууме пленок ванадия. Приведены оптические, светотехнические параметры, а также разрешающая способность, дифракционная эффективность, энергетическая чувствительность среды Al-VO2-Д в зави- симости от характера лазерного излучения и указаны области ее применения (знакосинтезирующие индикаторы, визуализатор излучения, голографический транспарант). Определен термический гистерезис ФППМ в средах (величина скачка сопротивления, ширина петли гистерезиса) в зависимости от вариации технологии изготовления. Показано применение среды VO2-Д в качестве термочувствительного слоя теплового приемника излучения. Определена постоянная времени приемника, его чувствительность и фундаментальные шумы, ограничивающие чувствительность приемника. Приведены конструкции тепловых приемников излучения

Найти похожие

13.

Инвентарный номер: нет.

   Р 68


    Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАНИЦА РАЗДЕЛА -- МДП-СТРУКТУРА -- HiGH-K DIELECTRICS
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл

Найти похожие

14.

Инвентарный номер: нет.

   О-62


    Оптимизация состава и размеров источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов / В. А. Чернов [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 21-26 : рис., табл. - Библиогр. : с. 26 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОНЫ ВТОРИЧНЫЕ -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЯДЕРНОЙ ЭНЕРГИИ -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ -- МЕТОД МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
Аннотация: Проведены измерения тока вторичных электронов в МДМ-структурах W-Al2O3-Al как элементах источников тока, основанных на прямом преобразовании ядерной энергии в электрическую с использованием эмиссии вторичных электронов. Выполнены расчеты энергетических потерь осколков деления и альфа-частиц в слоях МДМ-структур. Проведенные эксперименты и расчеты позволили оптимизировать состав и размеры этих источников тока

Найти похожие

15.

Инвентарный номер: нет.

   С 89

    Суздалев, И. П.
    Электрические и магнитные переходы в нанокластерах и наноструктурах / И. П. Суздалев // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6, № 9-10. - С. 36-59 : рис. - Библиогр. : с. 59 (43 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ПЕРЕХОДЫ МАГНИТНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ -- НАНОКЛАСТЕРЫ -- НАНОСТРУКТУРЫ
Аннотация: Обзор посвящен электронным и магнитным переходам в нанокластерах и наноструктурах. Проводится рассмотрение оригинальных моделей фазовых переходов, трактующих наблюдаемые электрические и магнитные переходы первого рода в ряде нанокластеров и наноструктур с помощью критического размера нанокластера и критической концентрации дефектов в наноструктурах, когда электропроводимость и намагниченность изменяется скачком. Приводится оригинальная модель перехода массивного твердого тела в наноструктуру, появление которой сопровождает фазовые переходы первого рода металл-диэлектрик в оксидах ванадия и магнетите. Рассматриваются электрические и магнитные переходы в изолированных нанокластерах и наноструктурах на основе V2O3, VO2, Fe3O4, aFe2O3 и yFe2O3??

Найти похожие

16.

Инвентарный номер: нет.

   П 53


    Получение и свойства ультратонких слоев для изготовления элементов КНИ МДП-нанотранзистора / Т. Ф. Шкляр, Е. П. Дьячкова, О. А. Динисламова, А. П. Сафронов, Д. В. Лейман, Ф. А. Бляхман // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 3-4. - С. 89-94 : рис. - Библиогр.: с. 94 (10 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОТРАНЗИСТОР -- СЛОИ УЛЬТРАТОНКИЕ -- ЭЛЕМЕНТЫ КНИ МДП-НАНОТРАНЗИСТОРА -- МЕТОД ВЫСОКОЧАСТОТНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК -- СТРУКТУРА КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНОК HFO2 -- КНИ-СТРУКТУРА -- СОПРОТИВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ -- ИМПЛАНТАЦИЯ
Аннотация: Рассмотрены методы получения и свойства таких элементов КНИ МДП-нанотранзистора, как затвор/подзатворный диэлектрик, области истока/стока и омические контакты. Затворные структуры HfO2(50 нм)/Si (100) и W/HfO2(4 нм)/Si (100) создавались методом высокочастотного магнетронного распыления. Показано, что кристаллическая структура пленок HfO2 и их электрические характеристики (напряжение пробоя) являются взаимосвязанными. Для создания ультрамелких областей стока/истока использовалась высокодозовая плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора. В процессе быстрого термического отжига имплантированных слоев обнаружено существенное снижение количества бора у поверхности в КНИ-структуре. Образование омических контактов CoSi2 осуществлялось с использованием структур Ti(8 нм)/Co(10 нм)/Ti(5 нм), сформированных на Si-подложке ориентации (100). Установлено, что образовавшаясяся в результате двухстадийного отжига пленка CoSi2 обладает поверхностным сопротивлением 20 Ом/□

Найти похожие

17.

Инвентарный номер: нет.

   Т 76

    Троян, П. Е.
    Эмиссионные структуры на основе формованных тонкопленочных систем / П. Е. Троян, В. И. Зеленский // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 9-11 : рис. - Библиогр.: с. 11 (6 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
СТРУКТУРЫ ЭМИСИОННЫЕ -- СИСТЕМЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ -- НАНОСТРУКТУРЫ -- МЕТАЛЛ -- ДИЭЛЕКТРИК -- ПОЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ -- ВАКУУМ -- СИСТЕМА МЕТАЛЛ—ДИЭЛЕКТРИК—МЕТАЛЛ
Аннотация: Рассматриваются технология получения тонкопленочной системы металл—диэлектрик—металл и свойства, приобретаемые системой в результате электрической формовки в сильном электрическом поле в вакууме. Обсуждается модель возникающей в результате электрической формовки наноструктуры

Найти похожие

18.

Инвентарный номер: нет.

   Ф 79


    Формирование филаментных структур из наночастиц благородных металлов в прозрачных диэлектриках под воздействием непрерывного лазерного излучения / А. О. Рыбалтовский, В. Н. Баграташвили, С. С. Илюхин, Д. А. Леменовский, Н. В. Минаев, В. В. Фирсов, В. И. Юсупов // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 7-8. - С. 110-119 : рис. - Библиогр.: с. 119 (22 назв.) . - ISSN 1992-7223

УДК

620.3

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОЧАСТИЦЫ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ЛАЗЕРНОЕ -- МЕТАЛЛЫ БЛАГОРОДНЫЕ -- НАНОЧАСТИЦЫ ЗОЛОТА И СЕРЕБРА -- ФИЛАМЕНТЫ -- микролинзах -- КАНАЛИРОВАНИЕ -- МАТРИЦА -- ДИЭЛЕКТРИК
Аннотация: Образование нитеподобных филаментных структур (длиной до 5 мм и толщиной 5–90 мкм нитей) из наночастиц золота и серебра было изучено в пористых стеклах Vycor и полимерных материалах типа сшитого олигоуретанметакрилата, легированных соответствующимиорганическими и неорганическими прекурсорами этих металлов (H[AuCl4]x4H2O, AgNO3, Ag(hfac)COD), под воздействием непрерывного лазерного излучения видимого диапазона длин волн мощностью 5–100 мВт. Формирование подобных структур вдоль направления лазерного луча с λизл = 473 нм было рассмотрено как во время самого воздействия излучения, так и после его окончания на образцах, содержащих молекулы H[AuCl4]. Механизм появления филаментов из наночастиц металла связан с фотолизом молекул прекурсора, находящихся в зоне облучения, выделением атомов металла и их сборкой в наночастицы. Сам процесс сборки частиц в филаменты упорядочивается за счет эффектов самофокусировки лазерного излучения на возникающих микролинзах в веществе и его каналирования в среде с изменяющимся показателем преломления. На примере наночастиц золота обсуждаются особенности формирования структур из них в данных матрицах при воздействиях излучений с λизл = 405, 473 и 532 нм

Найти похожие

19.

Инвентарный номер: нет.

   Д 20


    Датчики внешних воздействий с частотным выходом на основе полевого МДПДМ-транзистора со встроенным каналом / М. Л. Бараночников, А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, В. Н. Мурашев, Д. М. Пажин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 10. - С. 8-11. - Библиогр.: с. 11 (8 назв.) . -

УДК

621.317

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДАТЧИК -- ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ-ЧАСТОТА -- КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Аннотация: Показано, что полевой транзистор со встроенным каналом и управляющей системой типа металл — диэлектрик — полупроводник — диэлектрик — металл может функционировать как чувствительный элемент датчиков внешних воздействий (таких как магнитное поле, температура, радиация), преобразующих воздействия в цифровой сигнал. Датчик основан на принципе изменения частоты автогенератора, в схему которого в качестве нагрузки, изменяющейся при внешних воздействиях, включен упомянутый транзистор. В качестве основы автогенератора может быть использована как специальная ИС, так и эффект самовозбуждения в чувствительном элементе, благодаря особенностям его ВАХ на участке лавинного умножения. Датчики изготовлены по технологии кремний-на-изоляторе

Найти похожие

20.

Инвентарный номер: нет.

   Д 37

    Деспотули, А. Л.
    Ток смешения Максвелла и "универсальный" динамический отклик в наноионике / А. Л. Деспотули, А. В. Андреева // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 5. - С. 3-10. - Библиогр.: с. 8-9 (45 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

621.38

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОИОНИКА -- СТРУКТУРНО-ДИНАМИЧЕСКИЙ ПОДХОД -- ТОК СМЕЩЕНИЯ МАКСВЕЛЛА НА ПОТЕНЦИАЛЬНОМ БАРЬЕРЕ -- УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ОТКЛИК
Аннотация: Введение понятия тока смещения Максвелла на потенциальном барьере при использовании структурно-динамического подхода наноионики позволяет дать детальное описание коллективного явления - взаимосвязанных ион-транспортных и диэлектрик-поляризационных процессов, определяющих формирование и релаксацию пространственного ионного заряда в неоднородном на наномасштабе потенциальном рельефе. В компьютерных экспериментах исследовано распределение локальных токов смещения Максвелла в области идеально поляризуемого когерентного гетероперехода передовой суперионный проводник (ПСИП)/электронный проводник, заряжаемого в гальваностатическом режиме. Другим объектом исследования являлась модельная наноструктура, которая представляет собой прослойку твердого электролита (ТЭ) между двумя ПСИП, образующими с ТЭ когерентные границы. Для экспоненциального распределения высот потенциальных барьеров в этой наноструктуре обнаружен джоншеровский универсальный динамический отклик Res*(w) µ w n (n < 1) в поведении реальной части частотно-зависимой комплексной проводимости s*(w). Дана однозначная интерпретация природы динамического отклика

Найти похожие

21.

Инвентарный номер: нет.

   Г 16

    Галушка, В. В.
    Исследование управляемого массопереноса в наноструктурах AgL-Ag методом туннельной микроскопии / В. В. Галушка, Д. И. Биленко, Д. В. Терин // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 8. - С. 37-42 : граф. - Библиогр.: с. 42 (16 назв.) . - ISSN 1813-8586

УДК

544.6

ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
МАССОПЕРЕНОС -- ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ТУННЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА -- AGI-AG -- РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ
Аннотация: Приведены результаты исследования методом туннельной микроскопии массопереноса в структуре, содержащей нанометровый слой AgI. Показана возможность использования интерфейса Ag-AgI-диэлектрик-металл в качестве резистивной памяти с зарядом переключения Q » 5 пКл и кратностью сопротивления HRS/LRS > 10 4

Найти похожие

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН

  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)