Главная Новые поступления Описание Шлюз Z39.50

Базы данных


Нанотехнологии - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и продолжающихся изданий
Сводный каталог иностранных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Сводный каталог отечественных периодических изданий, имеющихся в библиотеках УрО РАН
Каталог диссертаций и авторефератов диссертаций УрО РАН
Каталог препринтов УрО РАН (1975 г. - )
Имидж-каталог отечественных книг (до 2010 г.)
Имидж-каталог иностранных книг (до 2010 г.)
Алфавитно-предметный указатель (АПУ) ЦНБ УрО РАН
Публикации об УрО РАН
Изобретения уральских ученых
Интеллектуальная собственность (статьи из периодики)
Нанотехнологии
Демидовские премии
Гибель династии Романовых
История Урала
Личная библиотека С. В. Вонсовского
Книжная коллекция Шубиных
Труды Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН
Труды Института истории и археологии УрО РАН
Труды сотрудников Института горного дела УрО РАН
Труды сотрудников Института органического синтеза УрО РАН
Труды сотрудников Института теплофизики УрО РАН
Труды сотрудников Института химии твердого тела УрО РАН
Расплавы
Труды сотрудников ЦНБ УрО РАН
Публикации Черешнева В.А.
Публикации Чарушина В.Н.
Каталог библиотеки ИГД УрО РАН
Каталог библиотеки ИЭРиЖ УрО РАН
Электронная энциклопедия «Дискурсология»
Библиометрия
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Матюшкин, И. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
Инвентарный номер: нет.
   
   З-17

    Зайцев, Н. А.
    Особенности формирования подзатворной системы наноприборов / Н. А. Зайцев, И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 2. - С. 36-39 : граф. - Библиогр. : с. 39 (10 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ДИОКСИД КРЕМНИЯ -- ДИЭЛЕКТРИК ПОДЗАТВОРНЫЙ -- СЛОЙ ПЕРЕХОДНЫЙ
Аннотация: Определены свойства, которыми должна обладать подзатворная система в нанопpибоpах. Показано, что дефоpмация [SiO4]4--тетpаэдpов приводит к обpазованию диполей на гpанице Si-SiO2. Данный эффект необходимо учитывать о^еделении электpических свойств нанотpанзистоpов

Найти похожие
2.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Методика компарации способов коррекции оптических эффектов баизости при формировании топоаогии на фоторезисте / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 12. - С. 5-10 : рис. - Библиогр. : с.10 (5 назв.) . -
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ТОПОЛОГИЯ -- КОРРЕКЦИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ БЛИЗОСТИ -- ФОТОРЕЗИСТОР
Аннотация: На основе САПР Synoрsys и MATLAB разработана методика компарации ОРС-методов. Дана математическая формулировка процедуры компарации, связанная с контурными метриками и учитывающая интерактивно-графический характер компаратора. Предложен метод базовой матрицы доведения компарации

Найти похожие
3.
Инвентарный номер: нет.
   
   Р 68

   
    Роль границ раздела в наноразмерных МДП-транзисторах с многослойными high-K-диэлектриками / Н. А. Зайцев // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 15-17. - Библиогр. : с. 17 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ГРАНИЦА РАЗДЕЛА -- МДП-СТРУКТУРА -- HiGH-K DIELECTRICS
Аннотация: Раскрывается тезис о необходимости управления структурой субоксидного слоя на границе high-K-диэлектрик/Si путем формирования ультратонкого слоя SiO2, а также на целесообразность использования буферного слоя на границе high-K-диэлектрик/металл

Найти похожие
4.
Инвентарный номер: нет.
   
   М 35

    Матюшкин, И. В.
    Оценка времени деградации заряда на нанокристаллах Si в элементах флэш-памяти / И. В. Матюшкин // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 3. - С. 34-41 : рис. - Библиогр. : с. 41 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
УДК
620.3
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
ВРЕМЯ ДЕГРАДАЦИИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ПАМЯТЬ ЭНЕРГОЗАВИСИМАЯ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ КРЕМНИЯ (NC-SI)
Аннотация: В рамках (2n + 1)-уровневой (n = 4) модели зонной структуры нанокристалла Si, несущего заряд, рассмотрено положение уровня Ферми. Показано, что типичное время утечки заряда на подложку составляет: для электронов зоны проводимости менее 10 с (до микросекунд в зависимости от толщины туннельного SiO2), для электронов на ловушке около 10 лет и выше

Найти похожие
 
Описание базы данных
Стандартный
По словарю
Расширенный
ГРНТИ-навигатор
Статистика обращений

Сиглы отделов ЦНБ УрО РАН


  бр.ф. - Бронированный фонд

  бф - Научно-библиографический отдел

  БХЛ - Фонд художественной литературы

  ИИиА -Фонд исторической литературы в ЦНБ УрО РАН

  ИМЕТ -Отдел ЦНБ в Институте металлургии УрО РАН

  кх - Отдел фондов (книгохранениe)

  МБА - Межбиблиотечный абонемент

  мф - Методический фонд

  ок - Отдел научной каталогизации

  оку - Отдел комплектования и учета

  орф - Обменно-резервный фонд

  пф - Читальный зал деловой и патентной информации

  рк - Фонд редкой книги

  ч/з - Главный читальный зал

  эр - Зал электронных ресурсов

  

Сиглы библиотек институтов и НЦ УрО РАН
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)
Яндекс.Метрика