О-75 Особенности применения магниторезистивных наноструктур в датчиках автомобильных электронных систем / В. А. Беспалов, Н. А. Дюжев, А. С. Юров, М. Ю. Чиненков, Н. С. Мазуркин // Нано- и микросистемная техника. - 2013. - № 11. - С. 48-54. - Библиогр.: с. 54 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНИЗОТРОПНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ДАТЧИК ОБОРОТОВ -- ДАТЧИК УГЛОВОГО ПОЛОЖЕНИЯ -- МАГНИТОРЕЗИСТОР -- НЭМС -- МЭМС Аннотация: Рассматриваются пути применения магниторезистивных наноструктур на основе анизотропных пленок пермаллоя Ni (80 %) Fe (20 %) в автомобильных датчиках. Чувствительный элемент датчиков представляет собой четыре магниторезистора в форме меандра, соединенных в мостовую схему. Характерная толщина слоя пермаллоя в экспериментальных образцах магниторезисторов составляет 50...100 нм. Приводятся характеристики экспериментальных образцов чувствительных элементов. Показана возможность использования подобных чувствительных элементов для построения датчиков оборотов и углового положения |