П 76 Применение сканирующей силовой микроскопии для исследования тонких композитных слоев GaAs-MnAs [Текст] / М. П. Темирязева [и др.] // Нанотехника. - 2008. - № 1. - С. 96-100 : рис., табл. - Библиогр.: с. 100 (6 назв.)
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ |
С 71 Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, С. П. Капинос, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 93-95 : рис. - Библиогр.: с. 95 (5 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ТРАВЛЕНИЕ -- КОНТРОЛЬ -- СПЕКТР -- ХЛОРОВОДОРОД -- ТРАВЛЕНИЕ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Аннотация: Было выполнено исследование спектров плазмохимического травления GaAs в HCl. На обзорных спектрах выбраны контрольные линии и полосы. На временных зависимостях интенсивности излучения продуктов травления (в частности, линии атомарного Ga) в начале процесса обработки наблюдается нестационарный участок продолжительностью около 1 мин. Соотношение интенсивности излучения продуктов и скорости травления носит прямопропорциональный характер. Это свидетельствует о возможности спектрального контроля процесса травления в реальном времени |
И 88 Исследование влияния на модуль Юнга геометрических параметров ориентированных нитевидных нанокристаллов GaAs методом атомно-силовой микроскопии / О. А. Агеев, Б. Г. Коноплев, М. В. Рубашкина, А. В. Рукомойкин, В. А. Смирнов, М. С. Солодовник // Российские нанотехнологии. - 2013. - Т. 8, № 1-2. - С. 27-32 : рис., табл. - Библиогр.: с. 32 (16 назв.) . - ISSN 1992-7223
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДУЛЬ ЮНГА -- НАНОКРИСТАЛЛЫ GAAS НИТЕВИДНЫЕ -- ПАРАМЕТРЫ ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ -- НАНОКРИСТАЛЛЫ -- МЕТОД АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- НАНОДИАГНОСТИКА НИТЕВИДНЫХ СТРУКТУР -- НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Аннотация: Разработана методика определения модуля Юнга ориентированных нитевидных нанокристаллов методом атомно-силовой микроскопии. Представлены результаты исследования влияния геометрических параметров на модуль Юнга ориентированных нитевидных нано-кристаллов арсенида галлия. Экспериментально определено значение модуля Юнга нитевидных нанокристаллов арсенида галлия, которое, в зависимости от их аспектного соотношения, изменялось от 9 до 143 ГПа. Показано, что модуль Юнга нитевидных нанокристаллов GaAs зависит от аспектного соотношения и может превышать значение модуля Юнга объемного GaAs. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования структур нано- и микросистемной техники, нано- и микроэлектроники на основе ориентированных нитевидных нанокристаллов, в частности нанокристаллов арсенида галлия, а также при разработке методик нанодиагностики нитевидных структур |
М 21 Мальцев, П. П. Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов / П. П. Мальцев // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 4. - С. 40-48 : рис., табл. - Библиогр.: с. 48 (8 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): АНТЕННА -- СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ (СНК) -- АНТЕННЫ ИНТЕГРИРОВАННЫЕ -- УСИЛИТЕЛЬ -- мэмс-КОММУТАТОРЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Аннотация: Показана возможность создания российских систем на кристалле (СнК) для СВЧ и КВЧ диапазонов частот, включающих интегрированные антенны, усилители, МЭМС-коммутаторы, преобразователи частоты и генераторы, управляемые напряжением. Все микросхемы производятся на основе единой базовой технологии изготовления монолитных интегральных схем с использованием РНЕМТ и МНЕМТ гетероструктур арсенида галлия, что позволяет интегрировать их в единую СнК, обеспечивающую малые потери в тракте между элементами системы, низкий уровень шумов и большую передаваемую мощность. Приведены измеренные характеристики полученных в ИСВЧПЭ РАН МИС в сравнении с зарубежными аналогами для диапазона от 5 до 60 ГГц |
Р 24 Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10...12 ГГц на подложках арсенида галлия / П. П. Мальцев, М. В. Майтама, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 30-33. - Библиогр.: с. 33 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ (МЭМС) -- СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ -- РАСЧЕТ МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Аннотация: Рассмотрены вопросы проектирования и изготовления дискретных электростатических СВЧ переключателей на основе микроэлектромеханических систем (МЭМС) на пластинах арсенида галлия и оценки возможности интегрирования их в общую схему с монолитными интегральными схемами (МИС) приемо-передающих устройств, изготовленных в едином производственном цикле |