Б 73 Богданов, С. А. Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов / С. А. Богданов, А. Г. Захаров, А. А. Лытюк // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15 : рис. - Библиогр. : с. 15 (7 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): БАРЬЕР ШОТТКИ -- ЭФФЕКТ КРАЕВОЙ -- ПОТЕНЦИАЛ ЭЛЕКТРОСТАТИСТИЧЕСКИЙ Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики |
Д 38 Детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл- полупроводник из соединения AlGaN / И. Д. Бурлаков, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, К. С. Журавлев // Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 7. - С. 37-47 : рис., табл. - Библиогр.: с. 47 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ДЕТЕКТОРЫ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ -- ALGAN -- ДИАПАЗОН ДЛИН ВОЛН "СОЛНЕЧНО-СЛЕПОЙ" Аннотация: Рассмотрены детекторы ультрафиолетового диапазона на основе контакта металл-полупроводник из AlGaN. Проанализированы последние разработки в области дискретных и матричных детекторов на основе барьеров Шоттки, структур металл-полупроводник-металл |