Р 17 Разработка и исследование фотопроводящих антенн на основе полупроводников группы А3В5, выращенных при пониженных температурах эпитаксиального роста / Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, Ю. В. Федоров, А. С. Бугаев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - № 6. - С. 28-29 : граф., табл. - Библиогр.: с. 29 (3 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРА -- А3В5 -- ГЕНЕРАЦИЯ И ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -- МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ -- НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Аннотация: Приведены результаты экспериментальных разработок в области создания перспективного материала для современной терагерцовой ЭКБ - низкотемпературного арсенида галлия, а также фотопроводящих антенн на его основе для генерации и детектирования терагерцового излучения. Разработаны и изготовлены антенны с различной топологией с максимальной частотой генерации ~2 ТГц |